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高電位のの英語
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「高電位の」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2607件
共通電位を対向電位よりも高電位とし、画素電極の電位を、共通電位と対向電位の間の電位とする。例文帳に追加
Common potential is set higher than the opposite potential, and the potential of pixel electrode is set to be a potential between the common potential and the opposite potential. - 特許庁
第2の高電源電位は、第1の高電源電位よりも高い。例文帳に追加
The second high power supply potential is higher than the first high power supply potential. - 特許庁
電源回路部は、正の電源電位よりも高い第1の電位と、負の第2の電位と、を生成する。例文帳に追加
A power circuit section generates a first potential higher than a positive power supply potential, and a second negative potential. - 特許庁
基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第1基準電位から第1基準電位よりも高い第2基準電位に設定する。例文帳に追加
The reference potential setting section sets potential of a low-potential-side terminal that the power storage element includes to be second reference potential higher than first reference potential from the first reference potential when the potential of the analog signal is higher than a threshold. - 特許庁
このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位VDDと同電位となり、低レベルのときには電源電位VSSと同電位である。例文帳に追加
An H level of the digital signal is equal to the power supply potential VDD, and an L level of the digital signal is equal to the power supply potential VSS. - 特許庁
高電位側の第1入力電位(VCC)を第G電位(V3)として供給し、低電位側の第2入力電位(GND)を第J電位(VC)として供給し、第3入力電位(Vee)を第1電位(VH)又は第N電位(VL)のいずれかとして供給する。例文帳に追加
The power source circuit is configured so as to supply a 1st input potential (VCC) of a high potential side as a Gth potential (V3), a 2nd input potential (GND) of a low potential side as a Jth potential (VC), and a 3rd input potential (Vee) as a 1st potential (VH) or an Nth potential (VL). - 特許庁
PMOS21のバックゲート電位はドレイン電位あるいはソース電位のどちらか高い方に吊られ、レベルシフタ25によりゲート電位のHレベルもドレイン電位あるいはソース電位のどちらか高い方に吊られる。例文帳に追加
The back gate of the PMOS 21 is pulled up by its drain and source potentials, whichever higher, and a level shifter 25 keeps the H-level of the gate potential also pulled up to the drain and source potentials, whichever higher. - 特許庁
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「高電位の」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2607件
第1駆動電圧は、第1電極の電位である第1電位が、第2電極の電位である第2電位よりも高い。例文帳に追加
In the first driving voltage, a first potential as a potential of the first electrode is higher than a second potential as a potential of the second electrode. - 特許庁
導体CLGには低電位側の電源電位が印加され、導体CLVには高電位側の電源電位が印加される。例文帳に追加
Power supply potential on the lower potential side is applied to the conductor CLG, and power supply potential on a higher potential side is applied to the conductor CLV. - 特許庁
コンデンサ素子22の耐圧は、高電位Vddと低電位Vssとの電位差より低く、高電位Vddと中間電位Vceとの電位差以上あればよい。例文帳に追加
The withstanding voltage of the capacitive element 22 is lower than a difference between a high potential Vdd and a low potential Vss and is equal to a difference between the high potential Vdd and the intermediate potential Vce or over. - 特許庁
LDMOSFETのベース電位とソース電位とは独立に制御され、LDMOSFETのオン時にはベース電位をソース電位よりも高くし、オフ時にはベース電位をソース電位と等しくする。例文帳に追加
The base potential and the source potential of the LDMOSFET are controlled independently, and the base potential is made higher than the source potential when the LDMOSFET is "on", and the base potential is made equal to the source potential when it is "off". - 特許庁
VBB制御回路34は、負電位である基板電位VBBを受けて電源電位INTVDDと接地電位との間の分圧電位を出力する中間電位発生回路72と、分圧電位を受けて基板電位が所望の値に対して高いか低いかを判定するインバータ74とを含む。例文帳に追加
A VBB control circuit 34 includes an intermediate potential generating circuit 72 for outputting a voltage divided between power source potential INTVDD and an earth voltage by receiving substrate potential VBB which is negative potential, and an inverter 74 determining whether the substrate potential VBB is high or low compared with a prescribed value, by receiving the voltage-divided potential. - 特許庁
電位設定部11は、各電位出力端D_1〜D_nから、コモン電極電位V_COMより高い電位とV_COMより低い電位とを電位出力端の配置順に交互に出力する。例文帳に追加
A potential setting section 11 alternately outputs a potential higher than a common electrode potential V_COM and a potential lower than V_COM from respective potential output ends D_1 to D_n in order of arrangement of the potential output ends. - 特許庁
電源供給線の電位DSの高電位Vccから低電位Vssへの遷移、即ち立ち下がりの過渡応答(トランジェント)を、低電位Vssから高電位Vccへの遷移、即ち立ち上がりの過渡応答よりも遅くする。例文帳に追加
A transition of the potential DS of the power supply line from a high potential Vcc to a low potential Vss, i.e. transient response of a fall is made slower than a transition from the low potential Vss to the high potential Vcc, i.e. transient response of a rise. - 特許庁
高速な電源電位の上昇と同様に高速な電源電位の下降を検知する電源電位検知回路を提供する。例文帳に追加
To provide a power potential detection circuit that detects a high-speed increase and a high-speed decrease in a power potential. - 特許庁
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