Ta2O5とは 意味・読み方・使い方

By cooling the (SiO2/Ta2O5)n layer 210, the mutual diffusion of Ta2O5 and SiO2 is prevented, and crystallizing heat treatment is enabled.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210の冷却でTa_2O_5 とSiO_2の相互拡散が防止され、結晶化熱処理が可能になる。 - 特許庁

The respective resonator filters 10a to 10c are coupled to each other in the state that Ta2O5 layers 24 are respectively interposed therebetween.例文帳に追加

各共振器型フィルタの間は、それぞれＴａ_2 Ｏ_5 層２４を介した状態で結合されている。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

In order to raise the temperature of Ta2O5 film to the crystallization temperature, at least either one of a position of the Ta2O5 film relative to a heater in a treatment chamber or a pressure in the treatment chamber is changed.例文帳に追加

前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の温度を前記結晶化温度まで上げるために、処理室内においてヒーターに対する前記Ｔａ_2Ｏ_5膜の相対的な位置と前記処理室内における圧力のうち少なくとも一方を変える。 - 特許庁

A capacitor of a semiconductor element is manufactured with a large capacity by forming a (Ta2O5)1-x (TiO2)x thin film as a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜として(Ta_2O_5)_1-x・(TiO_2)_x薄膜を形成させることにより、高容量の半導体素子のキャパシタを製造する。 - 特許庁

A Ta2O5 film 108 and a metal gate electrode 111 are provided inside a groove, where a sidewall comprises the sidewall insulating film 107.例文帳に追加

側壁が側壁絶縁膜１０７からなる溝の内部に、Ｔａ_2Ｏ_5膜１０８，メタルゲート電極１１１である。 - 特許庁

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16.例文帳に追加

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。 - 特許庁

Also, the first layer thin film is preferably constructed with a metal oxide layer such as Al2O3 or Ta2O5.例文帳に追加

また、この第１層目の薄膜は、Ａｌ_2Ｏ_3、Ｔａ_2Ｏ_5等の金属酸化物層で構成されることが好ましい。 - 特許庁