五酸化タンタルの英語

五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサの製造方法。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an integrated circuit capacitor using a tantalum pentoxide layer. - 特許庁

キャパシタの絶縁体膜として、五酸化ニオブ膜と五酸化タンタル膜の積層膜もしくは五酸化ニオブ膜の積層膜を用いる。例文帳に追加

Also, by forming a multi- staged dielectric film, the leakage current of the capacitor can be suppressed. - 特許庁

五酸化タンタル−酸化アルミニウム膜の製造方法及びこれを適用した半導体素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING TANTALUM PENTOXIDE - ALUMINUM OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING THE SAME - 特許庁

これによって、金属の酸化が防止され、高品質の五酸化タンタルが形成される。例文帳に追加

Accordingly, oxidation of the metal is avoided and a high quality tantalum pentoxide is produced. - 特許庁

約１９３ｎｍの作動波長の場合、フィルタ被膜は主に五酸化タンタルで構成されている。例文帳に追加

In the case of operating wavelengths of about 193 nm, the filter coating film mainly consists of tantalum pentoxide. - 特許庁

五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT CAPACITOR USING TANTALUM PENTOXIDE LAYER - 特許庁

五酸化タンタル膜の二段階形成と、結晶化熱処理温度の低温化によって粒状シリコン結晶粒の平均粒径よりも大きい五酸化タンタル結晶粒を形成することと、界面ＳｉＯＮ膜厚制御を行う。例文帳に追加

A tantalum pentoxide film is formed in two-stage constitution and a tantalum pentoxide grain having an average grain size larger than that of the grain of granular silicone is formed by lowering crystallizing heat treatment temperature to control the thickness of an interface SiON film. - 特許庁

五酸化タンタル層を形成するステップ４８は、好ましくは、五酸化タンタルを、約５００℃より低い温度にて、化学蒸着することによって行なわれる。例文帳に追加

The step 48 for forming the tantalum pentoxide layer preferably includes chemical vapor deposition of the tantalum pentoxide at a temperature below about 500°C. - 特許庁