bulk heat treatmentとは 意味・読み方・使い方

This invention relates to the component for the heat treatment to be used in the heat treatment process of semiconductor wafers, in which bulk microdefect is formed with a density of 10^10 pieces/cm^3 or more.例文帳に追加

本発明にかかる熱処理用部材は、半導体ウエハの熱処理工程において用いられる熱処理用部材であって、前記部材の内部に、バルク微小欠陥が１０^10個／ｃｍ^3以上の密度をもって形成されている。 - 特許庁

In the production method, on heat treatment of an oxide film/bulk body such as a ferroelectric substance, as for a method of applying an electric field, it is performed in a state where both upper and lower electrodes are not brought into contact with the film/bulk body, but are separated therefrom, or in a state where only either electrode is separated therefrom.例文帳に追加

強誘電体等の酸化物膜・バルク体を熱処理するときに、電界を印加する方法として、上下の電極ともに、膜・バルク体に接触させないで離して行うか、どちらか一方の電極だけを離した状態で行うことを特徴とする製造方法。 - 特許庁

A silicon monocrystal wafer formed by the Czochralski method is subjected to a first heat treatment in the temperature range of 600-1100°C to form oxygen precipitates in a bulk and then to a second heat treatment in the temperature range of 1150-1300°C.例文帳に追加

チョクラルスキー法により作製されたシリコン単結晶ウェーハに対し、６００〜１１００℃の温度範囲で第１熱処理を行なってバルク中に酸素析出物を形成した後、１１５０〜１３００℃の温度範囲で第２熱処理を行なうようにした。 - 特許庁

By the heat treatment at the second predetermined temperature, dislocations 4 are introduced and the lattice constant of the second epitaxial thin film 6 is alleviated to a value close to the lattice constant of a bulk crystal of the second material.例文帳に追加

第２の所定の温度で熱処理することによって転位４が導入され、第２のエピタキシャル薄膜６は第２の物質のバルク結晶の格子定数に近い値に緩和する。 - 特許庁

An annealed wafer or epitaxial wafer having a DZ (Denuded Zone) layer with reduced grown-in defect and BMD (Bulk Micro Defect) of COPs (Crystal Oriented Particles) etc. is subjected to a rapid temperature raising/falling heat treatment in an oxygen gas atmosphere.例文帳に追加

ＣＯＰ等のグローンイン欠陥およびＢＭＤが低減したＤＺ層を有するアニールウェーハあるいはエピタキシャルウェーハに、酸素ガス雰囲気における急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

In the manufacturing method of the high-temperature superconductive current lead, jointing of the high-temperature superconductive bulk body and the electrode terminal is carried out using a jointing method without a heat treatment.例文帳に追加

高温超電導電流リードの製造方法において、高温超電導バルク体と電極端子との接合を加熱処理無しで接合する方法を用いて行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an α-alumina bulk body using a chemical solution method and laser irradiation capable of rapidly manufacturing the α-alumina bulk body by using laser irradiation for an amorphous alumina molded article not containing residual organic materials without requiring a heat treatment for a long time by a heating furnace for high temperature.例文帳に追加

高温用の加熱炉による長時間の加熱処理を必要とせず、残留有機物を含まない非晶質アルミナ成型体にレーザ照射を用いて短時間でα−アルミナバルク体を製造することが可能な化学溶液法とレーザ照射を用いたα−アルミナバルク体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a quarts glass member stably containing high concentration hydroxy groups in a surface layer part of its bulk, capable of suppressing diffusive migration of metallic impurities from inside of the bulk, excellent in thermal resistance and processability, and preferably usable for a jig for heat treatment of a semiconductor such as a wafer boat or furnace core tube, and a method for producing the member.例文帳に追加

バルク表層部において、高濃度の水酸基を均質かつ安定に含有し、バルク内部からの金属不純物の拡散移行を抑制することができ、かつ、耐熱性、加工性にも優れており、ウエハボートや炉芯管等の半導体熱処理用治具に好適に用いることができる石英ガラス部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁