comb-patternとは 意味・読み方・使い方

A copper base substrate adhered to a polyimide 2 as an insulator is formed on a comb-shaped lead pattern 3 and a ground pattern 4 insulating the lead pattern by resist patterning.例文帳に追加

絶縁体であるポリイミド２に被着されている銅ベース基板を櫛歯状のリードパターン３と、リードパターンと絶縁するグランドパターン４にレジストパターニングにより形成する。 - 特許庁

To provide a patterning applicator capable of forming a linear comb-like finished pattern, and to provide a finishing method using the patterning applicator.例文帳に追加

直線状の櫛目仕上がりパターンとなる塗布具を得、この塗布具を用いた仕上げ方法を提供する。 - 特許庁

The conductor pattern 8b and the active region 1b are arranged not to overlap, in top view, with the metal pattern of comb shape of wirings M1-M5.例文帳に追加

そして、導体パターン８ｂおよび活性領域１ｂは、配線Ｍ１〜Ｍ５の櫛型形状の金属パターンと平面的に重ならないように配置される。 - 特許庁

There is provided an electric circuit pattern, which comprises an interlayer insulating film 8 formed on a semiconductor substrate 9, a comb wiring 1 formed on the interlayer insulating film 8, the wiring 1 including a comb teeth wiring section 4 and a comb handgrip section 5, and a floating wiring 2 disposed between the adjacent comb teeth wiring section 4.例文帳に追加

半導体基板９上に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成された、くし歯配線部４とくし柄部５を有するくし型配線１と、層間絶縁膜８上に形成され、隣接するくし歯配線部４の間に配置されたフローティング配線２とを備えた電気回路パターンを有する。 - 特許庁

DRIE (Deep Reactive Ion Etching) is executed from the surface 153b side, the silicon substrate 153 is selectively removed by using the rough comb mask pattern 155 as a mask, and the silicon substrate 151 is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152a as a mask.例文帳に追加

面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。 - 特許庁

The FET (first FET) of the comb-like pattern gate electrode is excellent in linearity, and the FET (second FET) of the bent pattern gate electrode is in harmonic distortion characteristics.例文帳に追加

櫛状パターンのゲート電極のＦＥＴ（第１ＦＥＴ）は線形性に優れ、曲折パターンのゲート電極のＦＥＴ（第２ＦＥＴ）は高調波歪み特性に優れている。 - 特許庁

A first FET having a comb-like pattern gate electrode and a second FET having a bent pattern gate electrode are combined and cascaded to constitute a switching element.例文帳に追加

櫛状パターンのゲート電極を有する第１ＦＥＴと、曲折パターンのゲート電極を有する第２ＦＥＴを組み合わせて多段接続し、スイッチング素子を構成する。 - 特許庁

The DRIE is executed from the surface 151b side, a remaining silicon substrate 151c is selectively removed by using the rough comb mask pattern 154 as a mask, and a remaining silicon substrate 153c is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152b as a mask.例文帳に追加

面１５１ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５４をマスクにして残存シリコン基板１５１ｃを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ｂをマスクにして残存シリコン基板１５３ｃを選択的に除去する。 - 特許庁