sapphire interfaceとは 意味・読み方・使い方

To provide a jointed body in which a joining strength is high and in which a crack at a joining interface is prevented, in the jointed body of a first member in which at least a joining surface is composed of sapphire and a second member in which at least a joining surface is composed of sapphire or polycrystalline alumina.例文帳に追加

少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度が高く、接合界面におけるクラックが防止された接合体を提供する。 - 特許庁

To enhance the joining strength and prevent cracks in a joining interface of a joined body made up of a first component at least whose joining surface is made of sapphire and a second component at least whose joining surface is made of sapphire or polycrystalline alumina.例文帳に追加

少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度を高くし、接合界面におけるクラックを防止できるようにすることである。 - 特許庁

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁

The tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate thus obtained are jointed, and the junction region of amorphous whose thickness is 0.3 nm or larger and 2.5 nm or smaller is provided at the interface, thus obtaining the substrate whose junction strength is high.例文帳に追加

このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に０．３ｎｍ以上２．５ｎｍ以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer having grown on a substrate of a sapphire (Al_2O_3) single crystal has a solid solution layer formed by solidly solving aluminum (Al) of the substrate in an interface with the substrate.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_2Ｏ_3）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面に基板のアルミニウム（Ａｌ）が固溶された固溶層を有している。 - 特許庁

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁