いしょせいちょうりつの英語

また2003年には、実質成長率はプラス成長、名目成長率はマイナス0.1％にまで下げ幅を縮小している（第12図）”例文帳に追加

Coupled with that, it is prognosticated that the productive-age population, between 15 and 64 years of age, who constitute the majority of the labour force supply will consistently decrease in the future (Figure 13). - 厚生労働省

消化、成長または循環のような自律的機能例文帳に追加

vegetative functions such as digestion or growth or circulation発音を聞く  - 日本語WordNet

斜め成長結晶粒ではＢ２構造は確立される。例文帳に追加

The B-2 structure is established in the oblique growth crystal grains. - 特許庁

低転位の成長を促す、簡単で効率的な結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a simple and efficient crystal growth method by promoting growth of low dislocation. - 特許庁

殆どの支援対象国ではプラス成長が実現し、平均実質GDP成長率は5.2％に上りました。例文帳に追加

Most of the countries of operations realized positive growth, raising average real GDP growth to 5.2%.発音を聞く  - 財務省

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁

気相成長装置及び気相成長方法において、気相成長処理時に半導体ウェハが反応炉を占める時間を短縮し、気相成長処理の効率向上を図ること。例文帳に追加

To enhance efficiency of vapor phase epitaxial growth processing by shortening the time when a reactor is occupied by a semiconductor wafer during vapor phase epitaxial growth process in vapor phase epitaxial growth device and method. - 特許庁