| 意味 | 例文 (347件) |
えきそうせいちょうの英語
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
「えきそうせいちょう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 347件
工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。例文帳に追加
In a process S108, the temperature of the growth furnace 10 is changed to a growth temperature T_B from the growth temperature T_W before the barrier layer is grown. - 特許庁
次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。例文帳に追加
Subsequently, the well layer and the barrier layer are repeatedly grown without interruption of the growth. - 特許庁
基板上方にＧａＮ系半導体積層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
A laminated GaN system semiconductor is epitaxially grown on the upper surface of substrate. - 特許庁
結晶性の良好なＡｌＮを成長させるＡｌＮ結晶の成長方法およびＡｌＮ積層体を提供する。例文帳に追加
To provide a method of growing an AlN crystal having excellent crystallinity, and an AlN laminate. - 特許庁
量子井戸層の成長開始時での成長表面のＳｂ量がサーファクタントとして機能するに十分なように、量子井戸層の成長を開始する前、たとえば障壁層１０４の成長中にＳｂを供給する。例文帳に追加
Before starting the growth of the quantum well layer, for example, Sb is supplied during the growth of a barrier layer 104 so that an amount of Sb on a growth surface in the time of the growth origination of the quantum well layer is enough to function as a surfactant. - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「えきそうせいちょう」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 347件
注液装置の配管内に混入した気泡の成長を防止する。例文帳に追加
To prevent growth of bubbles entrained in the piping of a liquid filler. - 特許庁
ＩｎＧａＮ成長を進めると、障壁層２５の主面２５ａの全体上に平坦に成長されたＩｎＧａＮ２９ｄが形成される。例文帳に追加
When the growth of the InGaN is advanced, am InGaN 29d grows flat and is formed on the whole of the principal surface 25a of the barrier layer 25. - 特許庁
積層型ＬＣ複合部品及び積層型ＬＣ複合部品の周波数特性調整方法例文帳に追加
LAYERED LC COMPOSITE COMPONENT AND FREQUENCY CHARACTERISTIC ADJUSTMENT METHOD FOR THE LAYERED LC COMPOSITE COMPONENT - 特許庁
これにより、エピタキシャル膜の液層エピタキシャル成長を可能とし、エピ成長時の加熱に伴うスリップの発生を無くせる。例文帳に追加
Consequently, liquid layer epitaxial growth of the epitaxial film is performed to eliminate the slip accompanying heating during epitaxial growth. - 特許庁
成長障壁層１の凸部Ｐのみに三族窒化物系中間層Ｉ１を成長させると、この上に成長する歪抑制層Ｉ２は比較的良好に成長する。例文帳に追加
By growing a group III nitride-based intermediate layer I1 only on convex portions P of a growth barrier layer 1, a strain suppression layer I2 which will be grown on the group III nitride-based intermediate layer I1 grows relatively well. - 特許庁
半導体デバイスの製造方法、エピ成長用積層支持基板およびデバイス用積層支持基板例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, LAMINATE SUPPORT SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, AND LAMINATE SUPPORT SUBSTRATE FOR DEVICE - 特許庁
このような形状の変調器積層構造は、接合端部における上方への異常成長を抑えながら成長させることができる。例文帳に追加
The modulator laminating structure of the shape described above can be grown while abnormal growth in the upward at the end of the bonding portion is controlled. - 特許庁
メッキ液管理装置、それを備えたメッキ装置、およびメッキ液組成調整方法例文帳に追加
PLATING SOLUTION CONTROL DEVICE, PLATING APPARATUS PROVIDED THEREWITH, AND METHOD FOR PREPARING COMPOSITION OF PLATING SOLUTION - 特許庁
| 意味 | 例文 (347件) |
|
|
えきそうせいちょうのページの著作権
英和・和英辞典
情報提供元は
参加元一覧
にて確認できます。
| This page uses the JMdict dictionary files. These files are the property of the Electronic Dictionary Research and Development Group, and are used in conformance with the Group's licence. | |
| Copyright © 2024 CJKI. All Rights Reserved |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
