「えきそうせいちょう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

結晶性の良好なＡｌＮを成長させるＡｌＮ結晶の成長方法およびＡｌＮ積層体を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing an AlN crystal having excellent crystallinity, and an AlN laminate. - 特許庁

量子井戸層の成長開始時での成長表面のＳｂ量がサーファクタントとして機能するに十分なように、量子井戸層の成長を開始する前、たとえば障壁層１０４の成長中にＳｂを供給する。例文帳に追加

Before starting the growth of the quantum well layer, for example, Sb is supplied during the growth of a barrier layer 104 so that an amount of Sb on a growth surface in the time of the growth origination of the quantum well layer is enough to function as a surfactant. - 特許庁

注液装置の配管内に混入した気泡の成長を防止する。例文帳に追加

To prevent growth of bubbles entrained in the piping of a liquid filler. - 特許庁

ＩｎＧａＮ成長を進めると、障壁層２５の主面２５ａの全体上に平坦に成長されたＩｎＧａＮ２９ｄが形成される。例文帳に追加

When the growth of the InGaN is advanced, am InGaN 29d grows flat and is formed on the whole of the principal surface 25a of the barrier layer 25. - 特許庁

積層型ＬＣ複合部品及び積層型ＬＣ複合部品の周波数特性調整方法例文帳に追加

LAYERED LC COMPOSITE COMPONENT AND FREQUENCY CHARACTERISTIC ADJUSTMENT METHOD FOR THE LAYERED LC COMPOSITE COMPONENT - 特許庁

これにより、エピタキシャル膜の液層エピタキシャル成長を可能とし、エピ成長時の加熱に伴うスリップの発生を無くせる。例文帳に追加

Consequently, liquid layer epitaxial growth of the epitaxial film is performed to eliminate the slip accompanying heating during epitaxial growth. - 特許庁

成長障壁層１の凸部Ｐのみに三族窒化物系中間層Ｉ１を成長させると、この上に成長する歪抑制層Ｉ２は比較的良好に成長する。例文帳に追加

By growing a group III nitride-based intermediate layer I1 only on convex portions P of a growth barrier layer 1, a strain suppression layer I2 which will be grown on the group III nitride-based intermediate layer I1 grows relatively well. - 特許庁

半導体デバイスの製造方法、エピ成長用積層支持基板およびデバイス用積層支持基板例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, LAMINATE SUPPORT SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, AND LAMINATE SUPPORT SUBSTRATE FOR DEVICE - 特許庁

このような形状の変調器積層構造は、接合端部における上方への異常成長を抑えながら成長させることができる。例文帳に追加

The modulator laminating structure of the shape described above can be grown while abnormal growth in the upward at the end of the bonding portion is controlled. - 特許庁

メッキ液管理装置、それを備えたメッキ装置、およびメッキ液組成調整方法例文帳に追加

PLATING SOLUTION CONTROL DEVICE, PLATING APPARATUS PROVIDED THEREWITH, AND METHOD FOR PREPARING COMPOSITION OF PLATING SOLUTION - 特許庁

液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride crystal in which a large crystal can be grown by a liquid phase process. - 特許庁

液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a Group III nitride crystal in a liquid phase process wherein the dislocation does not increase when the crystal being grown. - 特許庁

ｍ番目の障壁層を結晶成長させる工程と、ｍ番目の障壁層の上にｍ番目の井戸層を結晶成長させる工程と、ｍ番目の井戸層の上にｍ＋１番目の障壁層を結晶成長させる工程と、をリアクタ内で順に繰り返して、ｎ＋１層の障壁層とｎ層の井戸層とを交互に結晶成長させて発光層を形成する。例文帳に追加

Growth is interrupted for a fixed period during formation process or upon completion of a well layer 313b and/or a barrier layer 313a. - 特許庁

ｍ番目障壁層を結晶成長させる工程、ｍ番目障壁層の上にｍ番目井戸層を結晶成長させる工程、ｍ番目井戸層の上にｍ＋１番目障壁層を結晶成長させる工程をリアクタ内で順に繰り返し、ｎ＋１層障壁層とｎ層井戸層を交互に結晶成長させ発光層を形成する発光層形成工程を含む。例文帳に追加

The length of the growth-interruption period is set within a prescribed range, so that the dots of InGaN in quantum-size which contribute to light emission are formed evenly for promoting quantum effect when dotted, while variation in luminous wavelength among dots is suppressed. - 特許庁

半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED THEREWITH, AND METHOD FOR GROWING CRYSTAL - 特許庁

化合物半導体薄膜積層ウエハのInP薄膜のエピタキシャル結晶成長させる方法。例文帳に追加

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film of a compound semiconductor thin film multilayer wafer. - 特許庁

低温の気相成長法で形成可能な親水性積層構造を備えた物品を提供する。例文帳に追加

To provide an article equipped with a hydrophilic laminated structure formable by a low temperature vapor phase growing method. - 特許庁

発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。例文帳に追加

Each LED chip 2 of a light-emitting device 1 is formed using an LED substrate formed by epitaxially growing a light-emitting layer 22 composed of a laminated structure film on the main surface side of a substrate for crystal growth 24. - 特許庁

成長工程では、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物結晶１２を液相法により成長させて、下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２とを有する被成長基板１０を得る。例文帳に追加

In the growth step, a group III nitride crystal 12 is grown by a liquid phase method on the base substrate 11 to obtain a grown substrate 10 comprising the base substrate 11 and the group III nitride crystal 12. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer. - 特許庁

また、短波長側の半導体積層体Ａの方から先に結晶成長させる。例文帳に追加

Crystal growth is made from the semiconductor laminate A at a short-wavelength side. - 特許庁

気相成長炭素繊維の散布と、未加硫ゴムシートの積層を複数回繰り返すことが好ましい。例文帳に追加

Spraying the vapor-grown carbon fiber and laminating the unvulcanized rubber sheet are preferably repeated a plurality of times. - 特許庁

半導体積層構造３は、基板２上にエピタキシャル成長により形成されている。例文帳に追加

The semiconductor multilayer structure 3 is formed on the substrate 2 by epitaxial growth. - 特許庁

光学面の姿勢調整機構、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置例文帳に追加

POSTURE ADJUSTMENT MECHANISM OF OPTICAL SURFACE, MICHELSON INTERFEROMETER, AND FOURIER TRANSFORMATION SPECTROSCOPIC ANALYZER - 特許庁

ウェハの周縁部で膜を正常に成長させることができるめっき装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plating apparatus that can normally grow a film on the peripheral part of a wafer. - 特許庁

針状結晶配列体２１は、液相法によって結晶成長させて形成される。例文帳に追加

The body 21 is formed with the crystal grown by the liquid phase method. - 特許庁

①成長初期創業後、製造や販売活動を開始したものの、事業が軌道に乗る前の時期例文帳に追加

[1] Early growth phase Following inauguration, the company has commenced manufacturing and sales activities, but has yet to attain stability. - 経済産業省

低コストで且つ信頼性の高い、ネジ固定具、それを備えた特性調整機能を有する共振器装置、その共振器装置を含むフィルタ、発振器、通信装置、および共振器装置の特性調整方法を提供する。例文帳に追加

To provide a low cost and highly reliable screw fixture, a resonator device with a characteristic adjusting function having the screw fixture, and a characteristic adjusting method of a filter including the resonator device, an oscillator, a communication device, and the resonator device. - 特許庁

ＩｎＧａＮの成長に先立って障壁層２５の主面２５ａの表面２５ｂにＡｌＮ領域２７を形成するので、ＩｎＧａＮ２９ａは、ＡｌＮ領域２７に覆われていない表面２５ｃに成長される。例文帳に追加

Since an AlN domain 27 is formed on the front surface 25b of the principal surface 25a of a barrier layer 25 prior to the growth of InGaN, the InGaN 29a grows on the front surface 25c not covered with the AlN domain 27. - 特許庁

次に、物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＮ膜１０９の表面を、Ｎ２プラズマに暴露する。例文帳に追加

Then, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor-phase growth method and then a TiN film 109 by a chemical vapor-phase growth method, and the surface of TiN film 109 is exposed to N2 plasma. - 特許庁

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。例文帳に追加

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order. - 特許庁

ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。例文帳に追加

A p-cladding layer 15 has a superlattice structure where a p-AlGaN layer of 0.5-10 nm thick and an InGaN layer are grown repeatedly and laminated. - 特許庁

先ず、結晶成長基板１０上に、ＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮチャネル層２４及びＡｌＧａＮキャリア供給層２６が積層されたエピタキシャル成長層２０を形成する。例文帳に追加

The epitaxially grown layer 20 with an AIN buffer layer 22, a GaN channel layer 24 and an AlGaN carrier supply layer 26 laminated, is formed on a crystal growth substrate 10. - 特許庁

Ｓｎめっき層を有するめっき基材およびめっき層から針状ウィスカが成長するのを抑制する方法例文帳に追加

PLATED BASE MATERIAL HAVING Sn-PLATING LAYER AND METHOD FOR SUPPRESSING THE GROWTH OF ACICULAR WHISKER FROM THE PLATING LAYER - 特許庁

非マスク領域を結晶成長の出発面としてマスク層を覆うまでＧａＮ系結晶層を成長させ、さらに素子を構成する層を積層して積層構造体とする。例文帳に追加

With the non- mask region (b) as a start surface for crystal growth, the GaN crystal layer is grown until it covers the mask layer, and then a layer constituting an element is laminated to form a laminating structure body. - 特許庁

メッキ層の厚みを光検出器による反射光検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたので，あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略することが可能である。例文帳に追加

The thickness of the plating layer is detected during the plating growth by whether or not the reflected light is detected by the detector, and hence the plating growth on a check wafer to previously obtain the growth rate and a stage for measuring the thickness of the plating layer are omitted. - 特許庁

発光素子部２は、ｎ型ＧａＰ基板２ａ、ｎ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｂ、ｐ型ＧａＰエピタキシャル成長層２ｃを順次積層して化合物半導体領域を形成している。例文帳に追加

The element part 2 is formed by laminating in order an N-type GaP substrate 2a, an N-type GaP epitaxial growth layer 2b and an epitaxially grown P-type GaP layer 2c and forms a compound semiconductor region. - 特許庁

透過流束を低下させる要因である分離膜表面へのケーキ層の成長を抑制するとともに、成長したケーキ層の剥離も効果的に行うことができる固液分離装置及びその洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-liquid separator and the washing method for restraining growth of a cake layer on a separation membrane surface which is a factor for lowering a transmission flow flux and effectively remove the grown cake layer. - 特許庁

未加硫ゴムシート上に気相成長炭素繊維を散布し、さらにその上に未加硫ゴムシートを積層するゴム積層体の製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing the rubber laminated body, the vapor-grown carbon fiber is sprayed on an unvulcanized rubber sheet and furthermore the unvulcanized rubber sheet is laminated thereon. - 特許庁

炭化珪素半導体装置において、炭化珪素基板上に積層したエピタキシャル層中で積層欠陥が成長するのを防ぐこと。例文帳に追加

To prevent the growth of stacking faults in an epitaxial layer stacked on a silicon carbide substrate in a silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

中間層２、バッファ層３、チャネル層４および障壁層５は、順に、エピタキシャル成長により、基板１に積層される。例文帳に追加

An intermediate layer 2, a buffer layer 3, a channel layer 4, and a barrier wall layer 5 are stacked on a substrate 1 sequentially by epitaxial growth. - 特許庁

半導体素子において、エピタキシャル成長中に発生する積層欠陥を抑制し、積層欠陥に起因するオン抵抗の増加を抑制する。例文帳に追加

To suppress an increase in on-resistance resulting from stacking fault by inhibiting stacking fault generated during epitaxial growth in a semiconductor device. - 特許庁

主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a GaN crystal where the occurrence of a stacking fault is suppressed even if the GaN crystal is grown on a GaN seed crystal substrate whose principal plane is inclined at 20° or more and 90° or less from a (0001) plane. - 特許庁

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt. - 特許庁

この発明の方法は、Ｓｉ基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β−ＦｅＳｉ_２からなる初期層を第１の温度でＳｉ基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第１の温度より高い第２の温度で成長させる成長工程とを備える。例文帳に追加

The method is provided with a cleaning stage where an Si substrate is subjected to heating cleaning; an initial layer forming stage where an initial layer consisting of β-FeSi_2 is formed on the Si substrate at a first temperature; and a growing stage where the initial layer is grown at a second temperature higher than the first temperature. - 特許庁