おくえいちょう４ちょうめの英語

また、食塩濃度１〜４％（Ｗ／Ｖ）、ｐＨ５.１〜５.４、アルコール濃度０.１〜１.５％（Ｖ／Ｖ）および酢酸濃度が１０〜８０ｍＭに調整された液体調味料（調味料２）に関する。例文帳に追加

The liquid seasoning preferably also has a salt concentration of 1 to 4%(W/V), a pH value of 5.1 to 5.4, an alcohol concentration of 0.1 to 1.5%(V/V), and an acetic acid concentration of 10 to 80 mM. - 特許庁

インク界面検出部２は、インク容器１２内のインク液１３へ超音波を送信し、インク液１３の界面で反射して到来する当該超音波の反射波を受信する送受信部４を少なくとも有している。例文帳に追加

An ink interface detecting part 2 has at least a transmitting receiving part 4 which transmits ultrasonic waves to an ink liquid 13 in the ink container 12 and receives reflected waves of the ultrasonic waves that arrive after reflected at an interface of the ink liquid 13. - 特許庁

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。例文帳に追加

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁

さらに、ヒータ４とヒータ５との間を仕切壁部６ｆにて断熱することで、成長結晶の表面の温度と粉末原料３の温度を別々に制御性良く調整することが可能となる。例文帳に追加

Further, it becomes possible to separately regulate the temperature of the surface of a growing crystal and the temperature of a powdery raw material 3 with a good controllability by insulating heat between the heater 4 and the heater 5 by a partition wall part 6f. - 特許庁

第１プリズム１３を、反射面１３ｍに合致した回転軸Ｓを中心に回転させるため、光学系４の焦点距離があまり変化せず、焦点の大幅な再調整が不要となる。例文帳に追加

Since a 1st prism 13 is rotated around a rotary shaft S matched with a reflection surface 13m, the focal distance of an optical system 4 is not changed so much and the drastic readjustment of the focus is not required. - 特許庁

さらにそれに先だって2009年4月2日に表明された最大2兆円規模のODAや、2009 年3 月14 日に表明された国際協力銀行による5,000 億円程度の「環境投資支援イニシアティブ」も活用して、アジアのインフラ整備に貢献することを表明している。例文帳に追加

Also, approaches for environmental problems must not be forgotten when considering the sustainable growth of Asia. - 経済産業省

次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。例文帳に追加

Subsequently, a single crystal silicon layer 8 grows upward from the top surface of the γ-Al_2O_3 layers 4, and thus, an SOI substrate having less crystal defect can be obtained. - 特許庁