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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > かんせいちょう4ちょうめの解説 

かんせいちょう4ちょうめの英語

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日英固有名詞辞典での「かんせいちょう4ちょうめ」の英訳

かんせいちょう4ちょうめ

地名

英語 Kanseicho 4-chome

寛政丁目


「かんせいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 101



例文

そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。例文帳に追加

The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal. - 特許庁

各非縦方向成長部の上面では、xy平面に平行にr面が結晶成長し、これらの個々のr面は、側壁面1bの近傍に若干のボイド5を形成しつつも、ストライプ溝Sを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。例文帳に追加

An r-plane is grown in parallel to xy-plane on the upper surface of each growing section 4 growing in the non-vertical direction. - 特許庁

成膜工程では、基板20と半導体膜の界面に空間2が散在している状態で半導体膜を成長させる。例文帳に追加

The film-forming process makes the semiconductor film 4 grow while spaces 24 scatter on the interface between a substrate 20 and the semiconductor film 4. - 特許庁

北京議定書で清朝に定められた賠償金4億5000万両(利払いを含めると8億5000万両になる)という額は、年間予算1億両足らずであった当時の清朝にはまさに天文学的な要求であった。例文帳に追加

The amount of the reparations of 450 million taels specified in the Peking Protocol (850 million taels in total with the interest) was a really astronomical demand to the Qing Dynasty whose annual budget was less than 100 million taels.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

4 つめは、参加国・地域間でのマクロ経済バランスの不均衡を解消しながらの「均衡ある成長(Balanced Growth)」である。G20 とも連携をしながら、バランスのとれた経済成長を目指して、国内の構造改革にも取り組む。例文帳に追加

Fourth, balance while eliminating macroeconomic imbalances among countries and regions participating. "Balanced Growth" is cooperation with G20 and aims to balance economic growth, structural reforms to tackle the country. - 経済産業省

接続端子のSnめっき膜12上にウイスカ18が発生して成長した後、ウイスカ18を観察して発生及び成長の程度を評価する。例文帳に追加

The method evaluates the degree of the generation and growth of the whisker 18, by observing it after the whisker 18 has been formed and grown on the Sn-plated film 12 of the connecting terminal 4. - 特許庁

例文

本発明の液相成長装置1は、反応管3と、不純物を含むプロセスガスGを成長反応室9内に流出させるガス供給部2と、プロセスガスGの成長反応室9内における流量を規制する通口10が形成されているバッフルとを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

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「かんせいちょう4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 101



例文

その結果、2007年第4四半期のEUの実質GDP成長率は前年同期比0.5%に減速しており、今後、個人消費や固定資本形成が低迷を続ける場合には、EUの成長は不安定化する可能性が高まると考えられる。例文帳に追加

As a result, during the fourth quarter of 2007, the real GDP growth rate in the EU, had slowed 0.5% compared to the same period of the previous year, and it is thought that, if personal consumption and fixed capital formation continue to flag, the likelihood of growth in the EU becoming unstabilized will increase. - 経済産業省

これにより、貫通らせん転位1aが存在しない表面を有するSiC成長層を得ることが可能となる。例文帳に追加

In this way, the SiC growth layer 4 having the surface including no threading screw dislocation 1a can be obtained. - 特許庁

この処理後、純水洗浄を5分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜の形成を実施する。例文帳に追加

After this process, cleaning in pure water is performed for at least five minutes, and after drying, second formation of an epitaxial growth film 4 is executed. - 特許庁

回路基板1の導電用貫通孔に絶縁性感光剤3で核9を露光・現像して形成し、該核9と貫通孔内壁によりメッキを成長させ、貫通孔4にメッキを充填する回路基板1の貫通孔に核9を形成するメッキ方法。例文帳に追加

A plating method for forming a nucleus 9 in a through hole 4 of a circuit board 1 includes forming the nucleus 9 in the through hole 4 for electric conduction in the circuit board 1 by exposure and development using insulating photosensitizer 3, growing plating by the nucleus 9 and an inner wall of the through hole 4, and filling the through hole 4 with the plating. - 特許庁

このように、炭化珪素単結晶が多結晶6に埋め込まれるような状態で成長させると、炭化珪素単結晶の成長表面の温度分布がほぼ均一となり、炭化珪素単結晶の成長表面をフラットに保ったまま長尺化でき、かつ亀裂欠陥を発生させないようにできる。例文帳に追加

When the silicon carbide single crystal 4 thus grows in such the state as embedded in the polycrystal 6, the temperature distribution of the growth surface of the silicon carbide single crystal 4 is approximately uniformed, and the silicon carbide single crystal can be grown in a long length in a state flatly maintaining the growth surface of the single crystal without generating crack detects. - 特許庁

 旧法又はこれに基く命令の規定によつてした行政庁、家畜検疫官吏又は家畜防疫委員の処分その他の行為は、それぞれこの法律又はこの法律に基く命令の相当規定により行政庁、家畜防疫官又は家畜防疫員のしたものとみなす。例文帳に追加

(4) The dispositions and other acts of government agencies, animal quarantine officers or prefectural animal health inspectors carried out under the provisions of the Old Act, or orders based on the same, shall be regarded as having been made by government agencies, animal quarantine officers or prefectural animal health inspectors, respectively, under the corresponding provisions of this Act or orders based on this Act.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO_2薄膜3を蒸着し、ナノコラム5を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でNi薄膜2が露出するまで貫通孔を穿設しておく。例文帳に追加

Subsequently, as shown in the figure 1(b), a transparent SiO_2 thin film 3 as an insulating film is evaporated, and a through hole 4 is drilled on evaporation positions where the nano-columns 5 are grown at a diameter and a distance for growing the nano-columns until the Ni thin film 2 is exposed. - 特許庁

例文

Si(001)基板2上にBTO単結晶薄膜6等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板1であって、Si(001)基板上にSiとBTOとの格子不整合を緩衝する緩衝層3,,5が2層以上形成されている。例文帳に追加

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2. - 特許庁

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1
Kanseicho 4-chome 日英固有名詞辞典

2
寛政町4丁目 日英固有名詞辞典

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