しんきば３ちょうめの英語

本発明では、上記圧電基板として回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ__3 基板を用いるとともに、弾性表面波共振子を構成するＩＤＴ電極３におけるギャップ長Ｇを、弾性表面波の波長λの０．３倍以下に規定する（０．３λ≧Ｇ）。例文帳に追加

A turned Y-cut X propagation LiTaO_3 board is used as a piezoelectric board, and a gap length G in an IDT electrode 3 constituting a surface acoustic wave resonator is made as ≤0.3 times as long as the wavelength λof a surface acoustic wave (0.3λ≥G). - 特許庁

回路基板の表面に形成された信号伝送線路３と、この信号伝送線路３に対して、空間を介して対向するように配置された導体７Ａと、これら導体７Ａ及び信号伝送線路３の間の距離を調整するアクチュエータとを備えたインピーダンス調整装置を構成する。例文帳に追加

The impedance adjuster is provided with a signal transmission line 3 formed on the surface of a circuit board, a conductor 7A disposed opposed to the signal transmission line 3 via a space, and an actuator for adjusting a distance between the conductor 7A and the signal transmission line 3. - 特許庁

回路基板１の上面及び下面に設けられたパッド部２ａ及び２ｂの幅を回路基板１の比誘電率ε_rに応じて調整し、回路基板１に設けられた信号線３の幅のおよそ２〜４倍に設定する。例文帳に追加

The widths of the pads 2a and 2b formed respectively on the upper and lower surfaces of the circuit board 1 are adjusted according to the specific inductive capacity ε_r of the circuit board 1, and they are set to about two to four times the width of a signal line 3 provided on the circuit board 1. - 特許庁

誘電体基板３の一方の面にアンテナパターン４が形成されたアンテナ装置１において、アンテナパターン４にアンテナ装置１の共振周波数を調整するための共振周波数調整部４２を形成する。例文帳に追加

In the antenna device 1 in which an antenna pattern 4 is formed on a face of a dielectric substrate 3, a resonant frequency adjustment unit 42 for adjusting resonant frequency of the antenna device 1 is formed on the antenna pattern 4. - 特許庁

また、少なくとも前記箱体側面の前記真空断熱材に接する前記硬質ポリウレタンフォームの密度が３０kg／ｍ^3以上３５kg／ｍ^3以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The density of the hard polyurethane foam kept into contact with, at least, the vacuum heat insulating material of the side face of the housing is 30-35 kg/m^3. - 特許庁

伸縮弾性を有する基板２の片面側又は両面側に基板を伸長させた状態で、電極層３及び圧電体結晶薄膜１が形成されている伸縮可能な圧電素子Ａである。例文帳に追加

In the state where the substrate is expanded to the one side of a substrate 2 with elasticity or both-surface side, the element is a piezoelectric element A which can be expanded and contracted and in which an electrode layer 3 and a piezoelectric crystal thin film 1 are formed. - 特許庁

半導体チップ３を基板４に超音波ボンディングする前に、超音波振動子５によりホーン２ａを発振させる予備運転を行い、ボンディングツール２を常温から３８℃程度まで暖める。例文帳に追加

Before a semiconductor chip 3 is subjected to ultrasonic bonding to a substrate 4, the preliminary operation is performed which oscillates a horn 2a by using an ultrasonic vibrator 5, and the bonding tool 2 is warmed from a normal temperature to about 38^OC. - 特許庁

光配線板１は、基板２とその内部又は表面に光信号を伝播させる光配線３と、光配線３の光軸の延長上に配される光偏向器４と、基板２の表面に配された光信号を略平行光５０とするための凸レンズ５とを備えている。例文帳に追加

An optical wiring plate 1 is provided with an optical wiring 3 by which optical signals are propagated in its inside and its surface and in a substrate 2, an optical deflector 4 which is arranged along the extended direction of the optical axis of the optical wiring 3 and a convex lens 5 which is arranged on the surface of the substrate 2 to make the optical signals into approximately parallel light beams 50. - 特許庁