だいせいちょう１ちょうめの英語

第十九条　聴聞は、行政庁が指名する職員その他政令で定める者が主宰する。例文帳に追加

Article 19 (1) Hearings shall be presided over by an official designated by the administrative agencies or such other persons as may be provided for by a Cabinet Order.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

成長が低迷した前半と回復した後半2010年前半の実質 GDP 成長率は、実質 GDP の約7割を占める個人消費の回復などにより、第1四半期に前期比年率3.7％、第2四半期に同1.7％とプラス成長ではあったが、その伸びは鈍化していった。例文帳に追加

The economy hovered at a low level in the first half and recovered in the second half The real GDP growth rate in early 2010 achieved a plus growth of 3.7% at an annual rate increase from the previous quarter in the first quarter, and gained a 1.7% increase in the second quarter supported by recovery of personal consumption which account for approximately 70% of the real GDP, but the growth rate slowed down. - 経済産業省

表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー２０であって、台座１と、爪部材２と、弾性部材３とを備えている。例文帳に追加

The substrate holder 20 for holding a substrate for growing a film on its surface comprises a pedestal 1, a claw member 2, and an elastic member 3. - 特許庁

成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like. - 特許庁

第１の窒化物半導体１１表面に、選択的に第１の表面１と、該第１の表面１よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第２の表面２とを形成する工程と、該工程の後、第１の窒化物半導体１１の第１の表面１及び第２の表面２に第２の窒化物半導体１２を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

This growth method possesses a process of selectively forming a first surface 1 on the surface of a first nitride semiconductor 1 and a second surface 2 larger in the growth speed of a nitride semiconductor than that first surface, and a process of growing the a second nitride semiconductor 12 on the first surface 1 and the second surface of the first nitride semiconductor 1. - 特許庁

予めシンタリングされた第１酸化物粒子１が拡散障壁となるので、第２酸化物粒子２の粒成長が抑制される。例文帳に追加

Since the first oxide grains 1 beforehand subjected to sintering serves as diffusion barriers, the grain growth of the second oxide grains 2 can be suppressed. - 特許庁

第1 章、第2 章でみてきたとおり、世界経済が構造的に変化する中で、世界経済成長の中心がアジアはじめ新興国に移行しつつある。例文帳に追加

As seen in Chapter1 and 2, the centre of the world economic growth is shifting to Asia and emerging countries through changes in world economic structure. - 経済産業省

第十二条　行政庁は、処分基準を定め、かつ、これを公にしておくよう努めなければならない。例文帳に追加

Article 12 (1) Administrative agencies shall endeavor to establish disposition standards, and to make such standards available to the public.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム