「だいせいちょう１ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第二十三条　裁判所は、処分又は裁決をした行政庁以外の行政庁を訴訟に参加させることが必要であると認めるときは、当事者若しくはその行政庁の申立てにより又は職権で、決定をもつて、その行政庁を訴訟に参加させることができる。例文帳に追加

Article 23 (1) When the court finds it necessary to have an administrative agency other than the one that has made an original administrative disposition or administrative disposition on appeal intervene in an action, the court may, upon the petition of a party or such other administrative agency or by the court's own authority, by an order, have the administrative agency intervene in the action.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

成長用基板１の第一主表面上に化合物半導体層２４をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層２４の第一主表面に仮支持基板１１０を、高分子結合材１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板１を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 24 is epitaxially grown on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 24 through a polymer binding material 111 and, in addition, the substrate 1 for growth is removed by chemical etching etc. - 特許庁

第十九条　聴聞は、行政庁が指名する職員その他政令で定める者が主宰する。例文帳に追加

Article 19 (1) Hearings shall be presided over by an official designated by the administrative agencies or such other persons as may be provided for by a Cabinet Order.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

成長が低迷した前半と回復した後半2010年前半の実質 GDP 成長率は、実質 GDP の約7割を占める個人消費の回復などにより、第1四半期に前期比年率3.7％、第2四半期に同1.7％とプラス成長ではあったが、その伸びは鈍化していった。例文帳に追加

The economy hovered at a low level in the first half and recovered in the second half The real GDP growth rate in early 2010 achieved a plus growth of 3.7% at an annual rate increase from the previous quarter in the first quarter, and gained a 1.7% increase in the second quarter supported by recovery of personal consumption which account for approximately 70% of the real GDP, but the growth rate slowed down. - 経済産業省

表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー２０であって、台座１と、爪部材２と、弾性部材３とを備えている。例文帳に追加

The substrate holder 20 for holding a substrate for growing a film on its surface comprises a pedestal 1, a claw member 2, and an elastic member 3. - 特許庁

成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like. - 特許庁

第１の窒化物半導体１１表面に、選択的に第１の表面１と、該第１の表面１よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第２の表面２とを形成する工程と、該工程の後、第１の窒化物半導体１１の第１の表面１及び第２の表面２に第２の窒化物半導体１２を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

This growth method possesses a process of selectively forming a first surface 1 on the surface of a first nitride semiconductor 1 and a second surface 2 larger in the growth speed of a nitride semiconductor than that first surface, and a process of growing the a second nitride semiconductor 12 on the first surface 1 and the second surface of the first nitride semiconductor 1. - 特許庁

予めシンタリングされた第１酸化物粒子１が拡散障壁となるので、第２酸化物粒子２の粒成長が抑制される。例文帳に追加

Since the first oxide grains 1 beforehand subjected to sintering serves as diffusion barriers, the grain growth of the second oxide grains 2 can be suppressed. - 特許庁

第1 章、第2 章でみてきたとおり、世界経済が構造的に変化する中で、世界経済成長の中心がアジアはじめ新興国に移行しつつある。例文帳に追加

As seen in Chapter1 and 2, the centre of the world economic growth is shifting to Asia and emerging countries through changes in world economic structure. - 経済産業省

第十二条　行政庁は、処分基準を定め、かつ、これを公にしておくよう努めなければならない。例文帳に追加

Article 12 (1) Administrative agencies shall endeavor to establish disposition standards, and to make such standards available to the public.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

基板１に対してダイヤモンド結晶粒の（００１）面を選択的に残す成長条件の化学気相成長法により結晶方位が配向した高配向性ダイヤモンド膜を形成する。例文帳に追加

The highly oriented diamond film in which the crystal orientation exists is formed by a chemical vapor deposition method adopting a deposition condition such that the (001) plane of the diamond crystal grains is selectively left to the substrate 1. - 特許庁

底面２に沿って成長する細胞を培養する培養容器１であって、細胞を成長させる底面２の面積を拡大可能な培養容器１を提供する。例文帳に追加

A cultural vessel 1 cultures a cell growing along a bottom surface 2 and can enlarge the area of the bottom surface 2 growing the cell. - 特許庁

本発明の真空処理装置１を用いれば、大面積の処理対象物７にも、面内膜厚分布の均一性が高い薄膜が成長される。例文帳に追加

A thin film exhibiting high uniformity in in-plane film thickness distribution even for the treatment object 7 of a large area can be grown by using the inventive vacuum treatment apparatus 1. - 特許庁

基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。例文帳に追加

The diamond film 2 is formed on a substrate 1, and has abnormal growth diamond projection parts 4, defined to have a transverse direction span size 5 of ≥3/4 of an average film thickness 6 of the diamond film 2 on the growth surface of the film 2, of 100 or less per 1 cm^2. - 特許庁

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

持続可能な成長のために世界が解決すべき大きな課題の1 つが地球温暖化、エネルギー対策である。例文帳に追加

One of big problems that the world should solve for sustainable growth is global warming and energy measures. - 経済産業省

第1章で分析したとおり、1990年代以降、中国をはじめとする東アジア諸国の急成長、他方における我が国経済の長期低迷等の状況下、我が国大企業のグローバルな立地戦略は大きく進展してきた。例文帳に追加

As analyzed in Chapter 1, large Japanese enterprises’ global location strategies have evolved considerably in the face of rapid growth in China and other East Asian countries, and the Japanese economy’s prolonged slump.  - 経済産業省

2010 年第1 四半期のGDPは13.1％増と高成長を実現したが、シンガポール政府によると、製造業では半導体、バイオメディカル産業が成長に寄与したと発表されている。例文帳に追加

Singapore achieved high economic growth of 13.1% in the first quarter of 2010 and the government announced that its major contributors were semiconductor of manufacturing industry and biomedical industry. - 経済産業省

(1) 特許出願が第65条に定める要件を満たす場合は，ハンガリー特許庁は，明細書及び図面に適切な考慮を払って，クレームに基づき新規性調査を実施し，かつ，調査報告を作成する。例文帳に追加

(1) If a patent application satisfies the requirements laid down in Article 65, the Hungarian Patent Office shall carry out a novelty search and shall draw up a search report on the basis of the claims, with due regard to the description and any drawings. - 特許庁

第十一条　処分又は裁決をした行政庁（処分又は裁決があつた後に当該行政庁の権限が他の行政庁に承継されたときは、当該他の行政庁。以下同じ。）が国又は公共団体に所属する場合には、取消訴訟は、次の各号に掲げる訴えの区分に応じてそれぞれ当該各号に定める者を被告として提起しなければならない。例文帳に追加

Article 11 (1) Where an administrative agency that has made an original administrative disposition or administrative disposition on appeal (in cases where the authority of the administrative agency that made the original administrative disposition or administrative disposition on appeal has later been succeeded to by another administrative agency, such other administrative agency; the same shall apply hereinafter) is affiliated with the State or a public entity, any action for the revocation of said administrative disposition shall be filed against the person specified in each of the following items according to the categories of actions listed in the respective items:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明のツェナーダイオード用ウェハー５は、不純物がドーナツ状に分布したウェハー１上にエピタキシャル層４を成長させている。例文帳に追加

The wafer 5 for a Zener diode is formed by growing an epitaxial layer 4 on a wafer 1 wherein impurities are distributed as a doughnut. - 特許庁

半導体レーザダイオード７０において、非極性面を主面とする基板１の主面にｐ型半導体層１２を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor laser diode 70 has a p-type semiconductor layer 12 grown on a principal surface of a substrate 1 having a nonpolar surface as the principal surface. - 特許庁

１時間当たり約１マイクロメートルより大きい成長速度で単結晶ダイヤモンドを製造すること。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for producing a single-crystal diamond at a growth rate greater than about 1 μm per hour. - 特許庁

民間消費は2008 年、2009 年を通じて2～3％台の成長率で伸びており、純輸出は足下の2009年第3 四半期、第4 四半期ともに1～2％台の伸びを示している（第1-2-4-48 図）。例文帳に追加

Private consumption in both 2008 and 2009 maintained a 2 to 3% level of growth, and net exports in the both third and fourth quarter of 2009 showed a 1 to 2% level of increase (see Figure 1-2-4-48). - 経済産業省

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板１上に、第１の窒化物半導体２を成長させ、この第１の窒化物半導体２に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させた後、凹凸を有する第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を成長させる。例文帳に追加

A first nitride semiconductor 2 is grown on a different kind substrate 1 comprising a material different from the nitride semiconductor, after irregularities are partially formed on the first nitride semiconductor 2 to expose a surface where the nitride semiconductor can be grown in a lateral direction on a recessed side surface, the second nitride semiconductor 3 is grown on the first nitride semiconductor 2 having the irregularities. - 特許庁

エクステンション部２０は、半導体基板１上に形成され、ゲート電極１２側に傾斜面２１ａをもつ第１エピタキシャル成長層２１と、第１エピタキシャル成長層２１上に形成され、傾斜面２１ａよりも急峻な端面２２ａをゲート電極側にもつ第２エピタキシャル成長層２２とを有する。例文帳に追加

And, the extension portion 20 comprises: a first epitaxially-grown layer 21, which is formed on the semiconductor substrate 1, having an inclined plane 21a at gate electrode 12 side; and a second epitaxially-grown layer 22, which is formed on the first epitaxially-grown layer 21, having an end surface 22a steeper than the inclined plane 21a at gate electrode side. - 特許庁

第１及び第２のコイル導体１１、１３は、コア部材１を螺旋状に巻回するようにコア部材の第３〜第６の側面に成長させて形成されている。例文帳に追加

The first and second coil conductors 11, 13 are grown and formed on the third-the sixth side faces of the core member 1, so that they are helically wound about the core member 1. - 特許庁

米国経済は、第1章で見たように景気後退懸念が高まっているが、長期的に見ると、1990年代以降、日本やドイツといった他の先進諸国経済が低迷する中、高い成長率を維持している。例文帳に追加

The economy of the United States, as described in Chapter 1, is on the brink of recession. However, from the long-term perspective, the American economy has been maintaining high economic growth since the 1990s, while the economies of other developed countries such as Japan and Germany have remained sluggish. - 経済産業省

第2-5-1図①は、研究開発に取り組む中小企業が、上述の成長初期、成長・拡大期、安定期のうち、自社が現在属していると考えているステージごとに、中小企業がどのような経営課題を抱えていると認識しているかを示したものである。例文帳に追加

Fig. 2-5-1 [1] shows the kinds of management challenges perceived by SMEs that are carrying out research and development by the particular developmental phase they feel they are currently in (the early growth phase, the growth and expansion phase, or the stable phase, as defined above). - 経済産業省

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。例文帳に追加

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon. - 特許庁

貼付台１５上に吸引保持したレンズ１と貼付皿保持具２２に保持した貼付皿２との軸芯を一致させ、貼付面２ｂに熱溶解性貼付剤３を塗布した貼付皿２を、予め設定された貼付高さ４１まで下降する。例文帳に追加

The shaft center of the lens 1 sucked and held on the adhesion plate 15 and that of the adhesion plate 2 held on an adhesion plate holder 22 are aligned with each other, and the adhesion plate 2 to the adhesion face 2b of which thermoplastic adhesive 3 is applied is lowered to preset adhesion height 41. - 特許庁

真空度が１×１０^-8 Ｔｏｒｒ以下の成長槽内に水素を励起することで得られる原子状水素を含む水素を導入するとともに、ネオペンタン［Ｃ（ＣＨ_3）_4］を熱励起して得られるメチルガスを導入することにより前記成長槽内に配置され、所望の温度に加熱された被成膜部材表面にダイヤモンド薄膜を成長することを特徴とする。例文帳に追加

Hydrogen including atomic hydrogen obtained by exciting hydrogen is introduced into a deposition tank with a vacuum degree of ≤1×10-8 Torr, and, moreover, gaseous methyl obtained by thermally exciting neopentane [C(CH3)4] is introduced therein, by which a diamond thin film is grown on the surface of a member to be film-deposited arranged in the deposition tank and heated to a desired temperature. - 特許庁

アンチモンを導入したｎカソード層１に、リンをドープさせながらエピタキシャル成長層２０を形成し、このエピタキシャル成長層２０の不純物濃度を、ｎ^＋ 層１側から中央部（Ｘｐ）までは、徐々に増大させ、中央部（Ｘｐ）からエピタキシャル成長層２０表面へ向かって、不純物濃度を徐々に減少させる。例文帳に追加

On an n-cathode layer 1 in which antimony is doped, an epitaxial growth layer 20 is formed while doping phosphorous, and a impurity concentration in the epitaxial growth layer 20 is gradually increased from an n^+-layer 1 side to a central part (Xp) and gradually decreased from the central part (Xp) toward the surface of the epitaxial growth layer 20. - 特許庁

シリコンウェハー１を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層２を形成し、多孔質シリコン層２の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層３を気相成長により形成し、中間層３の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。例文帳に追加

A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth. - 特許庁

AIJの投資顧問の問題で、投資一任業者に対する一斉調査を今行っていまして、先週金曜日に第1次調査（の結果）がまとまったわけですけれども、改めて今後の対応についてお聞かせください。例文帳に追加

In connection with the case of AIJ Investment Advisors, the FSA is conducting a survey targeting all companies managing customers' assets on discretional investment contracts and the results of the first-round survey were summarized last Friday. Could you tell me again about the FSA's future actions?  - 金融庁

光半導体装置では、電極を備えた光伝導性のある半導体薄膜１が、半導体薄膜１をエピタキシャル成長するための第１の半導体基板とは異なった第２の基板４上に形成されている。例文帳に追加

In the photosemiconductor device, a photoconductive semiconductor film 1 having an electrode is formed on a second substrate 4 which is different from a first semiconductor substrate to epitaxially grow the semiconductor film 1. - 特許庁

基板１上に、エピタキシャル成長により、基板１の表面に対して垂直な方向を含む断面が下底よりも上底が短い台形形状である低濃度ドープダイヤモンド層４を形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor element, a low-concentration doped diamond layer 4 which has a cross section including a direction perpendicular to a surface of a substrate 1 and having a trapezoidal shape of an upper bottom side shorter than a lower bottom side, is formed on the substrate 1 by an epitaxial growth method. - 特許庁

蒸着フィルム１が、基材の一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第１のガスバリア性塗布膜と、物理気相成長法または化学気相成長法による無機酸化物の蒸着膜と、ガスバリア性組成物による第２のガスバリア性塗布膜と、が順次形成されてなる。例文帳に追加

In the vapor deposition film 1, an inorganic oxide vapor deposition film by a physical vapor phase growth method, a first gas-barrier coating film by a gas-barrier composition, an inorganic oxide vapor deposition film by the physical vapor phase growth method or a chemical vapor phase growth method, and a second gas-barrier coating film by the gas-barrier composition are formed in turn on one side of a base material. - 特許庁

窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。例文帳に追加

A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth. - 特許庁

第百十一条　この法律中「行政庁」とあるのは、第六十五条第一項及び第七十四条第二項（第七十五条第三項において準用する場合を含む。）の場合を除いては、次の各号に定めるところによる。例文帳に追加

Article 111 (1) In this Act, the "administrative agency" shall be as prescribed in the following items, except in the case of Article 65, paragraph (1) and Article 74, paragraph (2) (including the case where it is applied mutatis mutandis pursuant to Article 75, paragraph (3)):  - 日本法令外国語訳データベースシステム

また、第2-5-1図②は、第2-5-1図①との比較のため、研究開発に取り組んでいない中小企業がどのような経営課題を抱えていると考えているかについて、各成長ステージごとに示したものである。例文帳に追加

Also, in order to provide a comparison with the answers in Fig. 2-5-1 [1], Fig. 2-5-1 [2] shows the management challenges perceived by SMEs that do not carry out research and development in each of the three developmental phases. - 経済産業省

第1部第1節で見たとおり、2007年度に発生したサブプライム住宅ローン問題は世界的な金融市場の動揺を引き起こし、世界経済は先行きの不透明感を増大させているものの、過去10年間を振り返ると、世界経済は着実な成長を遂げ、堅調に推移してきた。ASEAN及びNIES諸国は1997年に発生したアジア通貨危機の影響から速やかに立ち直り、高い成長率を維持しているのに加え、米国経済やユーロ圏の好調さも重なり、世界全体は年平均5.4％の成長を遂げている。例文帳に追加

As we saw in Section 1 of Part I, the subprime mortgage problem that came to the fore in fiscal 2007 triggered worldwide turmoil in the financial markets, increasing uncertainty about the future of the world economy. But the world economy achieved steady growth over the past 10 years, with ASEAN countries and NIEs recovering quickly from the effects of the 1997 Asian currency crisis and maintaining high growth rates. In addition, with strong showings in the U.S. and Eurozone, overall the world achieved an average annual growth of 5.4% - 経済産業省

第十五条　行政庁は、聴聞を行うに当たっては、聴聞を行うべき期日までに相当な期間をおいて、不利益処分の名あて人となるべき者に対し、次に掲げる事項を書面により通知しなければならない。例文帳に追加

Article 15 (1) In conducting hearings, administrative agencies shall provide to the anticipated subject parties of Adverse Dispositions written notice of the following matters, which notice shall be provided with a considerable period of time before the date of the hearing:  - 日本法令外国語訳データベースシステム

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。例文帳に追加

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁

本発明に係る水浄化装置は、複数の第二シックナー３〜５の上部に第一シックナー２を配置した多段式シックナー1と、清澄濾過槽３０と、重力脱水式のスラッヂ脱水槽５８とを備える。例文帳に追加

This water cleaning apparatus is provided with a multi-step type thickener 1 comprising a first thickener 2 in the upper part of a plurality of second thickeners 3-5, clarification filtering tank and a gravitational dewatering type sludge dewatering tank 58. - 特許庁