はくしつじすとろふぃーの英語

ポリシリコンの薄膜トランジスタＰＴＦＴが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板５００に画素を構成する薄膜トランジスタＰＴＦＴと、発熱層７００と断熱層７０１および放熱層７０２の積層構造からなる音波発生デバイスＳＰ０１が形成されている。例文帳に追加

In the image display device, a thin film transistor PTFT constituting a pixel and a sonic wave generating device SP01 comprising a stacked layer structure of a heat generating layer 700, a heat insulating layer 701 and a heat radiating layer 702 are formed on a thin transistor TFT substrate 500 formed with a thin film transistor PTFT of polysilicon. - 特許庁

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。例文帳に追加

To provide techniques for discriminating combinations of electrodes and organic semiconductors of organic TFTs which are improved in electron injection efficiency and hole injection efficiency, to actualize two kinds of TFTs which are n-channel TFTs and p-channel TFTs, and further to provide complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and an organic CTFT array forming desired arbitrary circuit constitution with organic CTFTs. - 特許庁

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する相補型有機ＴＦＴアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a method of discriminating a combination of an electrode and an organic semiconductor which have improved electron injection efficiency and hole injection efficiency in an organic TFT, to achieve two kinds of n-channel and p-type TFTs, and to provide a complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and a complementary organic TFT array forming a desired circuit configuration using the organic CTFT. - 特許庁

シフトレジスタ回路は、クロック信号ＣＬＫを第１出力端子ＯＵＴに供給するトランジスタＱ１、第１出力端子ＯＵＴを放電するトランジスタＱ２、上記クロック信号ＣＬＫを第２出力端子ＯＵＴＤに供給するトランジスタＱＤ１、第２出力端子ＯＵＴＤを放電するトランジスタＱＤ２とを備える。例文帳に追加

The shift register circuit includes: a transistor Q1 supplying a clock signal CLK to a first output terminal OUT; a transistor Q2 discharging the first output terminal OUT; a transistor QD1 supplying the above clock signal CLK to a second output terminal OUTD; and a transistor QD2 discharging the second output terminal OUTD. - 特許庁

触媒は、分散させて担持すること、キャンドル式セラミックフィルターの内側に充填して担持すること、キャンドル式セラミックフィルターの内側、チューブ式セラミックフィルターの外側、またはクロスフロー式セラミックフィルターのクリーンなガスの通路側に層状に担持することができる。例文帳に追加

The catalyst is supported in a dispersed state or charged in a candle type ceramic filter to be supported or can be supported on the inside of the candle type ceramic filter, on the outside of a tube type ceramic filter or on the clean gas passage side of a cross flow type ceramic filter in a laminar state. - 特許庁

ＴＦＴ基板１０上には、表示信号線ＤＬに接続された画素選択用の薄膜トランジスタＴＲが配置されている。例文帳に追加

A thin film transistor TR for pixel selection connected to a display signal line DL is disposed on a TFT substrate 10. - 特許庁

放射線検出器（１８）はトップ・ゲート薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（２８）を含み、該ＴＦＴはソース電極（５０）、ドレイン電極（５２）、ゲート電極（６６）、第１の誘電体層（５８）及び第２の誘電体層（６２）を含む。例文帳に追加

The radiation detector (18) includes the top gate thin film transistor (28), and the TFT includes a source electrode (50), a drain electrode (52), a gate electrode (66), a primary dielectric layer (59) and a second dielectric layer (62). - 特許庁