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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > ふぉとふぁぶりけーしょんの英語・英訳 

ふぉとふぁぶりけーしょんの英語

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日英・英日専門用語辞書での「ふぉとふぁぶりけーしょん」の英訳

フォトファブリケーション


「ふぉとふぁぶりけーしょん」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 104



例文

フォトレジスト組成物は、特に、化学増幅型フォトレジスト組成物に有用であり、半導体の微細加工、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等、広範な用途に好適に利用することができる。例文帳に追加

A photoresist composition is especially useful for chemical amplification type photoresist compositions, and can suitably be used for wide uses such as fine processing of semiconductors, liquid crystals, the production of circuit boards for thermal heads and the like, and other photofabrication processes. - 特許庁

WWW情報提供システムにおいて、データベース格納媒体からの検索結果を情報検索クライアントへの表示処理を行なとともに、表示フォーマット生成部で検索結果記憶ファイルを生成し、検索結果記憶ファイルを検索結果記憶媒体に格納する。例文帳に追加

In a WWW information providing system, the display processing of a retrieval result from a data base storage medium to an information retrieving client is performed; a retrieval result storage file is generated by a display format generating part; and the retrieved result storage file is stored in a retrieved result storage medium. - 特許庁

遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、ラインエッジラフネス、パターン倒れの問題が解消されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which can be suitably used for microphotofabrication using far UV rays, in particular ArF excimer laser light and which eliminates problems of line edge roughness and pattern collapse. - 特許庁

遠紫外光、とくにKrF又はArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、現像欠陥の発生が少なく、エッジラフネスに優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To solve a technical problem in enhancing performance peculiar to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly KrF or ArF excimer laser light and to obtain a positive type photoresist composition less liable to cause development defects and excellent in edge roughness. - 特許庁

遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide an excellent positive photoresist composition for exposure to far UV rays and having a wide defocus latitude of an isolated line pattern. - 特許庁

遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、コンタクトホールパターンの疎密依存性に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV excellent in density dependence of a contact hole pattern. - 特許庁

例文

遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエッジラフネスが優れたポジ型感光性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive composition excellent in line edge roughness to solve a technical problem to enhance the performance of microphotofabrication using far-ultraviolet rays especially ArF eximer laser beam. - 特許庁

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Weblio英和対訳辞書での「ふぉとふぁぶりけーしょん」の英訳

フォトファブリケーション

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「ふぉとふぁぶりけーしょん」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 104



例文

扁平金属板にフォトファブリケーションを施して、ポケット4を含む保持器5全体の外縁部と、径方向に貫通する複数の貫通孔6とを一括に形成した。例文帳に追加

Applying a photofabrication process to a flat metal plate, an outer edge portion of a whole of a retainer 5 including a pocket 4 and a plurality of through holes 6 penetrating in a radial direction are collectively formed. - 特許庁

半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for stably forming a high-definition fine pattern for use in the production process of a semiconductor, in the production of a circuit substrate of liquid crystal, thermal head and the like or in other photofabrication processes. - 特許庁

遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、解像力、露光マージンの優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition excellent in resolution and exposure margin, which can be suitably used for microphotofabrication using far-UV rays, particularly ArF excimer laser light. - 特許庁

遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、パターン倒れ性、LER(ラインエッジラフネス)が抑制できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for improving the performance of essential micro-photofabrication using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and also to provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays which suppresses pattern collapse or LER (line edge roughness). - 特許庁

遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin. - 特許庁

パケット転送処理装置10は、パケットの転送を行うフォワーディングエレメント(FE)101〜103と、FE101〜103間を接続するバックプレーンスイッチファグリック(SW)100と、FE101〜103を制御するコントロールエレメント(FE)104と、を有する。例文帳に追加

The packet transfer processing apparatus 10 includes: forwarding elements (FEs) 101 to 103 for executing packet transfer; a back plane switch fabric (SW) 100 for interconnecting among the FEs 101 to 103; and a control element (CE) 104 for controlling the FEs 101 to 103. - 特許庁

遠紫外光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消し、更には基板密着性に優れたレジストパターンを与え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition which solves the problem of the occurrence of development defects and scum in development in micro-photofabrication using far ultraviolet light and which is capable of giving a resist pattern excellent in adhesion to a substrate. - 特許庁

例文

ユーザにより、メモリカードに記憶された複数のファイルを記憶媒体(DVD−RWなど)へMPV形式で保存する処理が選択されると、メモリカードに記憶された複数のファイルのうち印刷に利用可能なファイルを拡張子に基づいて選択し(S130)、今回選択したファイルを作成したフォルダにコピーする(S140)。例文帳に追加

When processing for storing a plurality of files stored in a memory card to a storage medium (DVD-RW, etc.) in MPV format is selected by a user, a file usable for printing of the plurality of files stored in the memory card is selected based on an extender (S130), and the selected file is copied to a formed holder (S140). - 特許庁

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