ふっ化水素酸エッチングの英語

フッ化水素を主成分とするエッチング液がフッ化アンモニウム，酢酸を含有する。例文帳に追加

The etching liquid containing hydrogen fluoride as the main component contains ammonium fluoride and acetic acid. - 特許庁

またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。例文帳に追加

In addition, when an inorganic acid is added to the hydrofluoric acid, polyhydric carboxylic acid, and hydrogen peroxide solution, the etching rate of the etchant is improved. - 特許庁

及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。例文帳に追加

This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt. - 特許庁

アルミニウムを含む材料のエッチング液であって、 前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素と水を含む溶液からなることを特徴とする。例文帳に追加

The etching liquid for an aluminum-containing material is composed of a solution containing ammonium hydrogen fluoride, hydrogen peroxide and water. - 特許庁

下層基板上に形成された酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物、有機酸、過酸化水素水及び有機アルカリを含む水溶液を用いる。例文帳に追加

At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of an aluminum oxide or aluminum silicate, an aqueous solution containing a fluorine compound, organic acid, hydrogen peroxide solution, and organic alkali is used as the etchant. - 特許庁

フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜２１のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン２５を除去する。例文帳に追加

A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25. - 特許庁

金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素：フッ化アンモニウム＝１：７〜１：８０であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が０．０１〜１０質量％であり、フッ化アンモニウム濃度が０．８〜８０質量％であることを特徴とする湿式エッチング溶液である。例文帳に追加

In a wet etching solution for a silicon substrate having a metal silicide film and a silicon oxide film, the content ratio of hydrogen fluoride and ammonium fluoride is 1:7-1:80 in mass ratio, the hydrogen fluoride concentration in the whole wet etching solution is 0.01-10 mass%, and the ammonium fluoride concentration is 0.8-80 mass%. - 特許庁

この開口部74が形成された基板を少なくともフッ化水素酸を含むエッチング溶液に浸し、シリコン酸化物層間膜部62、68を除去する。例文帳に追加

Then the silicon oxide interlayer film sections 62 and 68 are removed by dipping the substrate 2, having the formed opening 74 in an etchant containing at least aqueous hydrofluoric acid. - 特許庁