「ふっ化水素酸エッチング」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。例文帳に追加

Then, the etching stop layer 18 is removed by wet etching using an aqueous hydrofluoric acid solution. - 特許庁

フッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物には、錯化剤、過酸化水素を含んでも良い。例文帳に追加

The composition for etching constituted, containing silicon fluoride and phosphoric acid may, contain complexing agents and hydrogen peroxide. - 特許庁

フッ化水素を主成分とするエッチング液がフッ化アンモニウム，酢酸を含有する。例文帳に追加

The etching liquid containing hydrogen fluoride as the main component contains ammonium fluoride and acetic acid. - 特許庁

またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。例文帳に追加

In addition, when an inorganic acid is added to the hydrofluoric acid, polyhydric carboxylic acid, and hydrogen peroxide solution, the etching rate of the etchant is improved. - 特許庁

及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。例文帳に追加

This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt. - 特許庁

アルミニウムを含む材料のエッチング液であって、 前記エッチング液は、フッ化水素アンモニウムと過酸化水素と水を含む溶液からなることを特徴とする。例文帳に追加

The etching liquid for an aluminum-containing material is composed of a solution containing ammonium hydrogen fluoride, hydrogen peroxide and water. - 特許庁

下層基板上に形成された酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物、有機酸、過酸化水素水及び有機アルカリを含む水溶液を用いる。例文帳に追加

At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of an aluminum oxide or aluminum silicate, an aqueous solution containing a fluorine compound, organic acid, hydrogen peroxide solution, and organic alkali is used as the etchant. - 特許庁

フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜２１のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン２５を除去する。例文帳に追加

A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25. - 特許庁

金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素：フッ化アンモニウム＝１：７〜１：８０であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が０．０１〜１０質量％であり、フッ化アンモニウム濃度が０．８〜８０質量％であることを特徴とする湿式エッチング溶液である。例文帳に追加

In a wet etching solution for a silicon substrate having a metal silicide film and a silicon oxide film, the content ratio of hydrogen fluoride and ammonium fluoride is 1:7-1:80 in mass ratio, the hydrogen fluoride concentration in the whole wet etching solution is 0.01-10 mass%, and the ammonium fluoride concentration is 0.8-80 mass%. - 特許庁

この開口部74が形成された基板を少なくともフッ化水素酸を含むエッチング溶液に浸し、シリコン酸化物層間膜部62、68を除去する。例文帳に追加

Then the silicon oxide interlayer film sections 62 and 68 are removed by dipping the substrate 2, having the formed opening 74 in an etchant containing at least aqueous hydrofluoric acid. - 特許庁

シリコン酸化物層間膜部62、68は、フッ化水素酸を含む溶液でエッチングされるので、絶縁物に接触していない配線が形成される。例文帳に追加

Since the sections 62 and 68 are etched off with the etchant containing aqueous hydrofluoric acid, wiring which is not in contact with an insulator is formed. - 特許庁

この後前記パタ−ニングされた薄膜２をエッチンングマスクとして、フッ化水素酸を含有するエッチング液により、前記基板１を等方的にエッチングする。例文帳に追加

The substrate 1 is isotropically etched by the etchant containing hydrofluoric acid using the patterned thin film 2 as the etching mask. - 特許庁

珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。例文帳に追加

The etching method includes etching the titanium-containing layer in a stacked body having the titanium-containing layer and a layer except the titanium-containing layer, by using the etching solution which includes hydrofluosilicic acid, water and the alcohol having the ether linkage. - 特許庁

該歯科インプラントの表面の少なくとも一部が、少なくとも７０℃の温度においてフッ化水素酸を含むエッチング液によりエッチング処理される。例文帳に追加

According to this process, at least a part of the surface of the dental implant is etched with an etching solution including hydrofluoric acid at a temperature of 70°C or higher. - 特許庁

珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するチタン含有層用エッチング液。例文帳に追加

The etching solution for the titanium-containing layer includes hydrofluosilicic acid, water and an alcohol having an ether linkage. - 特許庁

シリカ系被膜におけるフッ化水素酸によるエッチングレートを低減させることができるシリカ系被膜形成用材料を提供する。例文帳に追加

To provide a silica-based film-forming material capable of reducing the etching rate by hydrofluoric acid in the silica-based film. - 特許庁

希フッ化水素酸中での陽極エッチングによって、多孔質シリコン基体２１０を形成することができる。例文帳に追加

A porous silicon substrate 210 can be formed by anodic etching in a dilute hydrofluoric acid. - 特許庁

フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、四フッ化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸等のフッ化物、及び塩化水素酸、塩化アンモニウム等の塩化物を含んでなるエッチング用組成物を用いる。例文帳に追加

A composition for etching containing a fluoride such as hydrofluoric acid, ammonium fluoride, silicon tetrafluoride, or hexafluorosilicic acid, and a chloride such as hydrochloric acid or ammonium chloride, is used. - 特許庁

リッジストライプ１５０上の不要なｎ型ＧａＡｓ電流阻止層１１６０とｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１とをアンモニア過酸化水素系エッチャントで選択的にエッチング除去して、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０をフッ化水素酸で選択的にエッチング除去する。例文帳に追加

By selectively carrying out the etching removal of unnecessary n-type GaAs current inhibition layer 1160 on the ridge stripe 150 and the p-type GaAs top cap layer 111 with ammonia/hydrogen peroxide based etchant, the etching removal of the p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110 is selectively carried out with hydrofluoric acid. - 特許庁

フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを溶解することができる。例文帳に追加

An etchant containing a hydrofluoric acid, a polyhydric carboxylic acid, and a hydrogen peroxide solution dissolves the zirconium oxide and/or hafnium oxide without damaging other semiconductor materials, such as the silicon oxide, silicon, etc. - 特許庁

添加剤の逐次投入によってシリコン窒化膜のエッチングを促進するＦ^-を適宜補充するとともに、その逐次投入によって増加したシロキサンをホウフッ化水素酸が分解したフッ酸によってエッチングすることにより、シロキサン濃度の著しい上昇を抑制する。例文帳に追加

F- which accelerates etching of a silicon nitride film is added as appropriate by sequentially charging the additive and siloxane which increases by the sequential input is etched with hydrofluoric acid generated by decomposition of the fluoroboric acid, to thereby suppress a significant increase in the concentration of siloxane. - 特許庁

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。例文帳に追加

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas. - 特許庁

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。例文帳に追加

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas. - 特許庁

アルコキシシラン、フッ化水素酸、ヘキサフルオロリン酸およびテトラフルオロホウ酸からなる群より選ばれる１種以上のフッ素原子を含む酸、および水を必須成分とする窒化ケイ素用エッチング液を用いる。例文帳に追加

In the process, an etchant for silicon nitride including an acid and water as essential components is used, the acid containing at least one fluorine atom selected from the group consisting of alkoxysilane, hydrofluoric acid, hexafluorophosphoric acid, and tetrafluoroboric acid. - 特許庁

ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。例文帳に追加

The etchant composition comprising fluoride with a concentration (excluding hydrofluoric acid) of 0.01-5 mass% and a specified oxidizing agent with a concentration of 0.1-50 mass%. - 特許庁

本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A metal wiring etchant according to the present invention includes hydrogen peroxide, an oxidant, a fluorine compound, a chelating agent, a nitrate-based compound, a boron-based compound, an additive, and water as the remainder. - 特許庁

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。例文帳に追加

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween. - 特許庁

電子部品のエッチングや洗浄に用いられた硝酸廃液、フッ化水素水廃液、硝フッ酸廃液をステンレス鋼の酸洗液として利用する技術を提案する。例文帳に追加

To provide a technique utilizing a nitric acid waste solution, a hydrogen fluoride waste aqueous solution and a nitric-hydrofluoric acid waste solution used for etching and cleaning of electronic parts as a pickling solution for stainless steel. - 特許庁

エッチング開始用溝の形成された基板抵抗率が３０Ω・ｃｍ以上のｐ型シリコン基板を、該溝の形成された面に対向するように配置された対向電極とともにフッ化水素酸溶液に浸漬し、上記シリコン基板を陽極として電解エッチングする際に、上記フッ化水素酸溶液として溶媒中の水含有率が１０重量％以上である溶液を用いた。例文帳に追加

A solution containing water content of ≥10 wt.% is used at a hydrofluoric acid solution for electrolyte etching using the p-type silicon substrate, which has an etching start groove and has ≥30 Ω cm substrate resistivity, as an anode by dipping the p-type silicon substrate in the hydrofluoric acid solution together with a counter electrode arranged opposite the surface where the groove is formed. - 特許庁

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。例文帳に追加

The method is also used for etching by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt, a layer containing titanium as the main constituent within a layered product including the layer containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent, and a layer containing aluminum as the main constituent at the same time. - 特許庁

過酸化水素、有機酸、リン酸塩(Phosphate)、窒素(Ｎ)を含む第１添加剤、第２添加剤、フッ素化合物及び脱イオン水を含む銅単一膜または、銅モリブデン膜のエッチング溶液を提供する。例文帳に追加

An etching solution for a copper single film or a copper molybdenum film composed of a first additive and a second additive containing a hydrogen peroxide, an organic acid, phosphate, and nitrogen (N), a fluorine compound and deionized water is provided. - 特許庁

即ち、洗浄工程の溶液には、アンモニア、過酸化水素水および水からなる混合用溶液や希フッ酸等の第１のゲート酸化膜１０１をエッチングするような溶液は使用しない。例文帳に追加

That is, as the solution in the cleaning process, solution such as mixed solution composed of ammonia, hydrogen peroxide water and water and dilute hydrofluoric acid which etches the first gate oxide film 101 is not used. - 特許庁

半導体の半田メッキ工程において、フッ化物フリーの硫酸−過酸化水素のエッチング剤で処理したとき特殊銅合金材の表面に堆積するスマットを水圧ジェット水の噴射により除去する。例文帳に追加

In the solder plating process of semiconductor, smut deposited on the surface of the special copper alloy material at the time of treatment with an etching agent of fluoride free sulfuric acid-hydrogen peroxide is removed by jetting hydraulic jet water. - 特許庁

ｐ型ＧａＮコンタクト層６の光取り出し部には、メタノール、フッ酸及び過酸化水素水の混合液を用いたウェットエッチングにより多孔質化領域９が形成されている。例文帳に追加

A porous area 9 is formed by wet etching using a mixture of methanol, a hydrofluoric acid and a hydrogen peroxide in a light-extraction section of the p-type GaN contact layer 6. - 特許庁

本発明は、特定濃度の、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び水を含む湿式エッチング溶液、並びに、特定量の、フッ化水素、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、アルコール、及び水を含む湿式エッチング溶液をもそれぞれ構成する。例文帳に追加

The present invention also provides: a wet etching solution that comprises ammonium fluoride at a specific concentration, an organic acid compound having one or more carboxyl groups, and water; and a wet etching solution that comprises hydrogen fluoride in a specific amount, ammonium fluoride in a specific amount, an organic acid compound having one or more carboxyl groups, alcohol, and water. - 特許庁

エッチング剤の構成は、フッ酸（ＨＦ）及び過酸化水素水(Ｈ_2Ｏ_2)を含む水溶液からなり、レジストと反応する材料を用いていないため、レジストを侵食しない。例文帳に追加

This etching agent consists of an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF) and a hydrogen peroxide solution (H2O2), and materials reacted with a resist are not used, so that the resist is not eroded. - 特許庁

更に、下地が、アルミニウム及びその合金、ＳｉＯ_2、Ｓｉの場合、フッ酸と過酸化水素水の濃度を共に０.２５ｍｏｌ／Ｌ以下の低濃度に調製すると、下地にほとんど影響を与えない条件でのエッチングが可能である。例文帳に追加

Further, in the case the substrate is composed of aluminum, the alloy thereof, SiO2 or Si, when the concentrations are controlled to ≤0.25 mol/L, etching under the conditions where influence is hardly exerted on the substrate is possible. - 特許庁

フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。例文帳に追加

The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal. - 特許庁

次に、第１の熱酸化膜４が除去されるまで、第１の熱酸化膜４および素子分離膜１６の表面部を、フッ化水素を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし（図１の（Ｅ））、その上に、減圧酸化膜３０を形成した後、抵抗素子やトランジスタ素子とするポリシリコン層３６を形成する。例文帳に追加

In addition, the first thermally oxidized film 4 and the surface section of the element isolating film 16 are wet-etched until the film 4 is removed by using an etchant containing a hydrogen fluoride (Fig.1 (E)) and, after a pressure-reduced oxide film 30 is formed on the etched surface, a polysilicon layer 36 which is used as a resistance element or transistor element is formed. - 特許庁

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する、エッチングによる基板の湿式洗浄技術において、洗浄処理を均一・安定化とともに、洗浄液調製用薬品の消費量を低減する。例文帳に追加

To uniformize and stabilize cleaning treatment and reduce the consumption of chemicals for preparing a cleaning solution in the wet cleaning of a substrate by etching using the cleaning solution in which hydrofluoric acid as an effective component is dissolved in water. - 特許庁

したがって、アルミニウムあるいは銀といった、フッ化水素酸をエッチング剤として用いた材料系で光スイッチングデバイスを製造するときに使用できなかった反射性能の良い金属を使用することができる。例文帳に追加

Therefore, the metal good in the reflexivity ability which has not been used when manufacturing the optical switching device by a material system such as aluminum or silver using hydrofluoric acid as the etching agent can be used. - 特許庁

エッチング液は、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を０．０１〜３．０ｍｏｌ／Ｌと、塩酸、硝酸、燐酸及び酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸を０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌとを含有する水溶液である。例文帳に追加

The etchant is an aqueous solution containing 0.01-3.0 mol/L of at least one of fluorine compounds within ammonium fluoride and hydrogen fluoride, and 0.1-5.0 mol/L of at least one acid selected from a group comprising hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid and acetic acid. - 特許庁

臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。例文帳に追加

The etchant for a transparent electrode includes an aqueous solution containing: one or more compounds selected from a group consisting of a hydrobromic acid and a salt thereof; and one or more compounds selected from a group consisting of a hydrofluoric acid and a salt thereof. - 特許庁

本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。例文帳に追加

The etchant composition contains at least one kind of a fluorine compound selected from a group comprising hexafluorosilicic acid, metal salt or ammonium salt of hydrofluoric acid, and metal salt or ammonium salt of hexafluorosilicic acid, and contains an oxidant. - 特許庁

その多結晶シリコンの横断面に対して、５０％フッ化水素水溶液と７０％硝酸水溶液との比率が１：５０の混酸溶液により１５μｍのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが２００μｍ以下となる。例文帳に追加

When the polycrystalline silicon is etched to the depth of 15 μm with regard to the cross section using a mixed acid solution containing an aqueous solution of 50% hydrogen fluoride and an aqueous solution of 70% nitric acid in the ratio of 1:50, the etching depth at the boundary between the seed crystal part and the precipitated silicon part is at most 200 μm. - 特許庁