「ふっ化水素酸エッチング」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

電子部品のエッチングおよび／または洗浄に使用された廃液を用いて、硝酸濃度が５０〜１５０ｇ／リットル、ヘキサフルオロケイ酸濃度が１０〜７５ｇ／リットルおよびフッ化水素濃度が１ｇ／リットル以下に濃度調整して酸洗液とし、この酸洗液を用いてステンレス鋼を酸洗する。例文帳に追加

The waste solution used for etching and/or washing the electronic parts is used and adjusted to respective concentrations of 50-150 g/liter nitric acid, 10-75 g/liter hexafluoro silicic acid and ≤1 g/liter hydrogen fluoride to make the pickling solution, and the stainless steel is pickled by using this pickling solution. - 特許庁

酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。例文帳に追加

In a method, while being cooled, a silicon wafer 3 with an oxide film is brought into contact with hydrogen fluoride gas, and hereby condensation (not including a silicon oxide component) is generated on a wafer surface, to thereby etch an oxide film on the silicon wafer surface. - 特許庁

塩素を含有するフロンを破壊処理して生成したガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、炭酸水素ナトリウムを主成分とする多段の固形物層を用いた乾式法により、前方の層では塩素分だけを選択的に固定化した塩化ナトリウムとして回収し、後方の層ではフッ素分を固定化したフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収する。例文帳に追加

Hydrogen chloride and hydrogen fluoride in gas generated by decomposing chlorofluorocarbon containing chlorine or dry etching exhaust gas are collected by a dry process using a multi-stage solid substance layer which makes sodium hydrogencarbonate a major component, wherein chlorine component only is selectively fixed and collected as sodium chloride at the front layer and fluorine component is fixed and collected as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride at the back layer. - 特許庁

水素ガス中にフッ化水素ガスを添加して形成したエッチングガスを珪素半導体単結晶基板１上に供給して該珪素半導体単結晶基板１上に形成されている珪素酸化膜２を除去する際に、酸化珪素から水分子を供給させ、該水分子の介在によりフッ化水素ガスによる珪素酸化膜２の除去を開始させる。例文帳に追加

When a silicon oxide film 2 formed on a silicon semiconductor single-crystalline board 1, by supplying etching gas formed by adding hydrofluoric gas in hydrogen gas, water molecule is supplied from silicon oxide and the removal of the silicon oxide film 2 is started by hydrofluoric gas through the interposing of the water molecules. - 特許庁

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。例文帳に追加

In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas. - 特許庁

多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。例文帳に追加

The etchant for a transparent electrode includes an aqueous solution containing: one or more compounds selected from a group consisting of a polycarboxylic acid and a salt thereof; and one or more compounds selected from a group consisting of a hydrofluoric acid and a salt thereof. - 特許庁

アルミニウム箔の表面上で一部の領域にフッ化水素を含む酸性の第１の液を接触させた後、一部の領域を少なくとも含むアルミニウム箔の表面上に塩酸を含む酸性の第２の液を接触させることによってアルミニウム箔をエッチング処理する。例文帳に追加

A partial region on the surface of the aluminum foil is brought into contact with an acidic first liquid comprising hydrogen fluoride, and thereafter, the surface of the aluminum foil at least comprising the part is brought into contact with an acidic second liquid comprising hydrochloric acid, so that the aluminum foil is subjected to etching treatment. - 特許庁

超臨界二酸化炭素（ＳＣＦ）にフッ化水素、フッ化アンモニウムおよびイソプロピルアルコールを含む混合液を添加した流体を第１処理流体として用いて基板をエッチング処理することにより基板表面に形成されたＳｉＯ_２膜が効率良く除去される。例文帳に追加

An Sio_2 film, formed on a substrate surface can be efficiently removed by etching the substrate using a fluid to which a mixed liquid containing hydrogen fluoride, ammonium fluoride and isopropyl alcohol, is added to supercritical carbon dioxide(SCF) as first treatment fluid. - 特許庁

（１００）結晶面から［１１１］方向または［１−１−１］方向にオフ角を有する化合物半導体基板上に設けられたストライプ状のリッジ部をウェットエッチングするエッチャントとして、フッ化水素を含有する溶液、臭素含有溶液、またはバッファードフッ酸を用いる。例文帳に追加

As an etchant for wet etching of a ridge stripe provided on a compound semiconductor substrate having an off angle to the [111] direction or [1-1-1] direction from the crystal surface (100), a solution including hydrogen fluoride, a solution including boron, or a buffered hydrofluoric acid is used. - 特許庁

第１及び第２ウェーハの表層をフッ化水素酸及び硝酸をそれぞれ含む混合溶液によりそれぞれウェーハ表面から少なくとも深さ５μｍのエッチング回収を行い、第１ウェーハから回収した第１回収液と第２ウェーハから回収した第２回収液とをそれぞれ得る。例文帳に追加

Surface layers of the 1st and 2nd wafers are subjected to etching collection to a depth of at least 5 μm from wafer surfaces, by using a mixed solution containing hydrofluoric acid and nitric acid respectively to obtain a 1st collected liquid from the 1st wafer and a 2nd collected liquid from the 2nd wafer. - 特許庁

一般式（ＸｍＯｎ）−Ｙ （ＸはＢｒまたはＩ、ｍは１または２、ｎは１、３、４、６または９、Ｙは１、４または５）で表されるオキソ酸イオンとフッ化水素酸を含む水溶液からなる、シリコンゲルマニウムのエッチング剤。例文帳に追加

This etching agent for the silicongermanium comprises an aqueous solution containing an oxo-acid ion represented by general formula (X_mO_n)-Y (wherein, X is Br or I; m is 1 or 2; n is 1, 3, 4, 6 or 9; and Y is 1, 4 or 5) and a hydrofluoric acid. - 特許庁

シュウ酸、クエン酸、マロン酸およびコハク酸から選ばれる１種以上の有機酸または硫酸および/または塩酸である無機酸とフッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選択される１種以上であるフッ素化合物からなる水溶液であるＨｆＯ_２および/またはＨｆＳｉＯＮである高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。例文帳に追加

This etching agent composition for a thin film having high permittivity is HfO_2 and/or HfSiON being an aqueous solution comprising one or more kinds of organic acid selected from oxalic acid, citric acid, malonic acid and succinic acid, or an inorganic acid being sulfuric acid and/or hydrochloric acid, and a fluorine compound being one or more kinds selected from ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride and tetramethylammonium fluoride. - 特許庁

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。例文帳に追加

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic. - 特許庁

エッチング残渣物を剥離するに際し、剥離液として、チタンおよびチタン化合物の溶解性を有する剥離液と、少なくともフッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含有する剥離液との少なくとも２液を併用する。例文帳に追加

When the etching residue is stripped, at least two kinds of the removers are used together, wherein one is the remover having the solubility of titanium and a titanium compound, and the other is the remover including at least salt of a hydrofluoric acid and a metal ion-free base. - 特許庁

フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、ナトリウム化合物を用いて乾式法により選択的に固定化し、塩素分は塩化ナトリウムの固形物として、フッ素分はフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収・再利用する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for selectively fixing hydrogen chloride and hydrogen fluoride in chlorofluorocarbon decomposition gas or dry etching exhaust gas by a dry process using a sodium compound, and collecting and reusing chlorine component as a solid substance of sodium chloride and fluorine component as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride. - 特許庁

このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ＥＣＥを施して孔１１を形成することにより製造される。例文帳に追加

The silicon structure is manufactured by forming an initial pit on the silicon substrate by alkali etching, then applying ECE to the silicon substrate while irradiating the silicon substrate with light from the back surface side of the silicon substrate in hydrofluoric acid to form the holes 11. - 特許庁

耐食性膜の形成回数を従来の２回から１回にして成膜コストの削減を図り、水晶をフッ化水素酸系のエッチング液で加工する際に生じるピンホールなどの欠陥を無くし製品の高歩留まりを達成する。例文帳に追加

To reduce the cost of deposition by decreasing the time of formation for corrosion-resistant films from two times in convention to one time, and to attain a high yield of a product by eliminating a defect such as a pin hole caused at working a quartz crystal with a hydrofluoric acid etching liquid. - 特許庁

（Ａ）２−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、２−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で５〜２０質量％と、（Ｂ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物０．０５〜５質量％とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。例文帳に追加

The etchant composition of a metal oxide film consists of a solution containing (A) 5-20 mass% of 2-hydroxy ethane sulfonic acid or its salt in terms of 2-hydroxy ethane sulfonic acid, and (B) 0.05-5 mass% of at least one kind of fluoride compound selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, potassium fluoride, sodium fluoride and lithium fluoride. - 特許庁

過酸化水素と酸性フッ化アンモンまたは蓚酸を含有する水溶液を用いて揺動エッチング処理後、水酸化カリウムとグルコン酸ナトリウムを含有する水溶液を用いて揺動処理することにより、更には塩酸水溶液で揺動処理することによりスマット析出を抑制してクロムモリブデン鋼材の金属表面状態を清浄化することができる。例文帳に追加

After the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation etching treatment using an aqueous solution containing hydrogen peroxide and acid ammonium bifluoride or oxalic acid, the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation treatment using an aqueous solution containing calcium hydroxide and sodium gluconate, or further subjected to oscillation treatment with a hydrochloric acid aqueous solution to thereby suppress smut precipitation, and the metallic surface condition of the chromium-molybdenum steel can be cleaned. - 特許庁

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。例文帳に追加

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product. - 特許庁

電子部品パッケージ１の表面を、解析対象となる電子素子３の上部の電子素子３が露出するまで研磨紙などで研磨し、この状態でフッ化水素酸と硝酸が３対１の比率で混合されたフッ硝酸エッチング液、または水酸化カリウム水溶液を用いて、露出した電子素子３を溶解して除去する。例文帳に追加

The surface of an electronic component package 1 is polished with a polishing paper until an electronic element 3 is exposed on the top of an electronic element 3 to be analyzed, and a nitrohydrofluoric acid etchant in which a hydrofluoric acid and a nitric acid are mixed at a ratio of 3:1 or a potassium hydroxide solution is used in this state to dissolve and eliminate the exposed electronic element 3. - 特許庁

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。例文帳に追加

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid. - 特許庁

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。例文帳に追加

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas. - 特許庁

塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。例文帳に追加

The photoresist peeling process includes three processes: a metal wiring exposure process of performing full ashing by using a mixed gas with a fluorocarbon gas containing oxygen and hydrogen; a cleaning process of cleaning by pure water; and an ashing process by a plasma using oxygen. - 特許庁

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。例文帳に追加

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate. - 特許庁