ますお５ちょうめの英語

超音波振動子基材３２Ｍを加工位置に準備し、超音波振動子基材３２Ｍに、マスク５を介して所定の大きさの砥粒を吹き付けて、超音波振動子基材３２Ｍを所定の形状に加工する。例文帳に追加

An ultrasonic vibrator base material 32M is prepared at a working position, the abrasive particles of a prescribed size are blown through a mask 5 to the ultrasonic vibrator base material 32M and the ultrasonic vibrator base material 32M is worked into a prescribed shape. - 特許庁

今、ご指摘のとおり、先般7月14日、警視庁が日本振興銀行及び同行の役員の検査忌避について、木村前会長ほか現経営陣である西野代表執行役社長を含め合計5名を逮捕したと承知をいたしております。例文帳に追加

I understand that on July 14, based upon an allegation that the Incubator Bank of Japan and its senior officers evaded an inspection, the Tokyo Metropolitan Police Department arrested a total of five persons, including former Chairman Kimura and incumbent President Nishino.発音を聞く  - 金融庁

(5) 集積回路の回路配置，マスクワーク又は連続マスクワークに係る意匠の登録出願の場合は，表示は，A4判より大きくてもよいが，集積回路の回路配置，マスクワーク又は連続マスクワークの特徴が肉眼で明瞭に見える寸法でなければならない。例文帳に追加

(5) In the case of an application for the registration of a design for an integrated circuit topography, a mask work or a series of mask works, the representations may exceed A4 size, and shall be of such dimensions that the features of the integrated circuit topography, mask work or series of mask works are clearly visible to the naked eye. - 特許庁

マスク７を介して、基板５にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部５ａと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部５ｂとを形成する。例文帳に追加

By imparting energy to a substrate 5 through a mask 7, a high surface free energy part 5a relatively large in critical surface tension and a low surface free energy part 5b small in critical surface tension are formed. - 特許庁

さらに、辺長が升目と高さが磁石（４）と同程度の升状を逆さにした形状で容易に手で掴めるサイズの大ブロック（５）および小ブロック（６）を設けることを特徴とする。例文帳に追加

Moreover, large blocks (5) and small blocks (6) which have side lengths about equal to the sizes of the measures and heights about equal to the magnets (4) and are shaped like inverted measures and which can be gripped easily by hand, are provided. - 特許庁

次いで、コントロールゲート電極８およびゲート電極１５を覆うように基板１上にフォトマスク５を形成した後、メモリアレイ領域のフォトマスク５を除去し、メモリアレイ領域の基板１にしきい値調整用のイオンを注入する。例文帳に追加

Then, after forming a photomask 5 on the substrate 1 so as to coat the control gate electrode 8 and the gate electrode 15, the photomask 5 in a memory array region is removed, and ion for adjusting thresholds is implanted to the substrate 1 of the memory array region. - 特許庁

本発明は、フォトマスク基板１のフォトマスク基板表面２とフォトマスク基板裏面３に設けられ、フォトマスク基板１の同一法線上に略形成される位置あわせパターンであって、裏面に形成される透過パターン４と、表面に形成される遮光パターン５とからなり、透過パターン４の面積が遮光パターン５の面積より大きいことを特徴とする。例文帳に追加

The present invention relates to the positioning pattern which is provided on the top surface 2 and reverse surface 3 of the photomask substrate 1 and formed on the same normal of the photomask 1, the positioning pattern comprising a transmission pattern 4 formed on the reverse surface and a light shield pattern 5 formed on the top surface such that the transmission pattern 4 is larger in area than the light shield pattern 5. - 特許庁

位相シフター膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記位相シフター膜５は、主に露光光の位相を制御する位相調整層４と、透明基板２と位相調整層４との間に形成され主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層３とを有し、前記透過率調整層３の膜厚が、９０オングストローム以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In the halftone phase shifting mask blank 1 having a phase shifter film 5, the phase shifter film 5 has a phase adjusting layer 4 which chiefly controls the phase of exposure light and a transmittance adjusting layer 3 formed between a transparent substrate 2 and the phase adjusting layer 4 and having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and the thickness of the transmittance adjusting layer 3 is ≤90 Å. - 特許庁