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インピーダンス結合の英語
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英訳・英語 impedance coupling
「インピーダンス結合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 217件
プラズマ処理装置、インピーダンス整合器、結合器例文帳に追加
PLASMA TREATMENT APPARATUS, IMPEDANCE MATCHING DEVICE, COUPLER - 特許庁
プラズマ処理装置、マッチングボックス、インピーダンス整合器、結合器例文帳に追加
PLASMA PROCESSING APPARATUS, MATCHING BOX, IMPEDANCE MATCHING DEVICE, AND COUPLER - 特許庁
第2の信号は低いソース・インピーダンスでピンに結合される。例文帳に追加
A 2nd signal is coupled with pins with low source impedance. - 特許庁
出力ディスク228が可変インピーダンス負荷302結合される。例文帳に追加
An output disc 228 is coupled to the variable impedance load 302. - 特許庁
これにより、導波管の特性インピーダンスを、当該導波管と電力結合させるマイクロストリップラインの特性インピーダンスに整合する。例文帳に追加
Consequently, characteristic impedance of the waveguide is matched with characteristic impedance of a microstrip line power-coupled with the waveguide. - 特許庁
これによりインピーダンス整合基板17に形成されたインピーダンス整合回路のGNDが直接シールドフレーム16に回路結合される。例文帳に追加
Thus, a GND of n impedance matching circuit formed on the impedance matching board 17 is directly coupled with the shield frame 16. - 特許庁
制御回路端子に結合されたインピーダンスに応答する制御回路のための方法および装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR CONTROL CIRCUIT RESPONDING TO IMPEDANCE COUPLED TO CONTROL CIRCUIT TERMINAL - 特許庁
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「インピーダンス結合」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 217件
高結合度トランス、インピーダンス変換回路、アンテナ装置および通信端末装置例文帳に追加
HIGH-COUPLING-DEGREE TRANSFORMER, IMPEDANCE CONVERSION CIRCUIT, ANTENNA DEVICE, AND COMMUNICATION TERMINAL DEVICE - 特許庁
本発明のホット・スイッチング法および回路は、インピーダンスを整合するためのRF発生器出力とプラズマ容器との間を、予め定められたインピーダンスをスイッチするためのRFスイッチを備えた制御されたインピーダンス・ネットワークが結合する。例文帳に追加
In these hot switching method and device, a controlled impedance network provided with an RF switch for switching predetermined impedance couples an RF generator output for matching impedance and a plasma container. - 特許庁
本発明のホット・スイッチング回路は、インピーダンスを整合するためのRF発生器出力とプラズマ容器との間を、予め定められたインピーダンスをスイッチするためのRFスイッチを備えた制御されたインピーダンス・ネットワークが結合する。例文帳に追加
The hot switching circuit is coupled through a controlled impedance network including an RF switch for switching a predetermined impedance between an RF generator output and a plasma chamber input for matching impedances. - 特許庁
インピーダンス整合装置は、送信アンテナ及び受信アンテナを電磁界によって結合させて電力を伝送する無線電力伝送システムにおいて、送信回路と送信アンテナとの間に設置され、前記送信回路のインピーダンスと、前記送信アンテナのインピーダンスと、を整合状態とする。例文帳に追加
The impedance matching device is disposed between a transmission circuit and a transmission antenna in a wireless power transmission system that transmits electric power by connecting the transmission antenna and the receiving antenna via an electromagnetic field, and matches the impedance of the transmission circuit with the impedance of the transmission antenna. - 特許庁
受信信号の波長よりも長さが短いアンテナ素子(210)と、アンテナ素子(210)の終端に結合されて、アンテナ素子(210)のインピーダンスを所定の負荷インピーダンスと整合させるアクティブインピーダンス整合部(220)とを備える。例文帳に追加
The antenna module includes: an antenna element (210) having a length shorter than a wavelength of a received signal; and an active impedance matching unit (220) connected to one end of the antenna element (210) for matching impedance of the antenna element (210) to a predetermined load impedance. - 特許庁
1対の電気接点を結合する相対的低インピーダンス回路が2つ以上有るときには、たとえば各回路の一部を成す低インピーダンス電気ブリッジを少なくとも1つ破壊することによって、全ての相対的低インピーダンス回路を破壊しなければならない。例文帳に追加
When there are two or more relative low impedance circuits which combine one pair of electrical contacts, for example, at least one low impedance electrical bridge which forms a part of each circuit is broken, all relative low impedance circuits have to break. - 特許庁
測定された電流及び入力インピーダンスに基づいて、各素子上の電流と、当該装置の入力インピーダンスと、励振素子自身の入力インピーダンスと、励振素子と各非励振素子間の結合インピーダンスと、可変リアクタンス素子が装荷された各非励振素子自身の入力インピーダンスとの間の関係式を用いて、各素子間のインピーダンスを含むアレーアンテナの構造パラメータを計算する。例文帳に追加
The structure parameter of an array antenna including impedance between the respective elements are calculated by using a relation among current on each element, input impedance of the array antenna system, the input impedance of the driven element itself, coupling impedance between the driven element and respective parasitic elements, and input impedance of each parasitic element itself mounted with the reactance element on the basis of the measured current and input impedance. - 特許庁
転送トランジスタ(M1)のゲートに結合された第1のインピーダンス要素と、転送トランジスタのバルクに結合された第2のインピーダンス要素とを含む高周波スイッチ回路(10)である。例文帳に追加
This high-frequency switch circuit (10) includes a first impedance element coupled to the gate of a transfer transistor (M1) and a second impedance element coupled to the bulk of the transfer transistor. - 特許庁
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