クラック長さの英語

各削り落としでは、それぞれの表面をクラック１６の長さよりも大きく、かつ後縁部２６の半径よりも小さい深さに亙って削り落としてクラック１６を除去し、削り落とし後の後縁部２６を形成する。例文帳に追加

In each shaving, the crack 16 is removed by shaving each surface larger than a length of the crack 16 and for a depth smaller than a radius of the trailing edge part 26, and the trailing edge part 26 is formed after shaving. - 特許庁

マイクロクラックは、電極層で阻害されるとともに、圧電層がマイクロクラックによって柔軟性を帯びるようになるため、その成長はいずれ抑制される。例文帳に追加

The microcrack is blocked in the electrode layer, and the piezoelectric layer obtains flexibility by the microcrack, whereby its growth is soon restrained. - 特許庁

表面で散乱した散乱光を撮影し、画像処理によりほぼ直線状で同一方向の線分をクラックとして抽出し、所定面積中のクラック長総和あるいは面積の総和を算出する。例文帳に追加

The light scattered on the surface is photographed, nearly linear line segments in equal direction are extracted as the cracks by image processing, and the crack length total or the area total inside a prescribed area is calculated. - 特許庁

判定手段１６は、連結処理手段１５が１つのクラックに属すると判断したクラック候補領域の長さの合計を用いて検査対象物Ｗの良否を判定する。例文帳に追加

A decision means 16 determines the quality of the object W to be inspected through the use of the sum of the lengths of crack candidate regions determined to belong to one crack by the connection processing means 15. - 特許庁

クロムメッキ層の、鋳造方向に垂直な任意の断面での単位長さ当りのクラック数である、クラック密度が、それぞれ５本／ｃｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

The crack density as the number of cracks per unit length in the optional cross-section vertical to the casting direction of each chromium plating layer is preferably controlled to ≤5 pieces/cm. - 特許庁

このとき、揮発時間の長いクラック５１部分では、クラック５１内に残存した浸透性液剤５３によって屈折率が低くなり、浸透性液剤５３が揮発した一般部と比較して、低輝度となる。例文帳に追加

A crack 51, with a long vaporization time has a low refraction index due to the permeable liquid agent 53 remaining in the crack 51 and low intensity in comparison with a general part in which the permeable liquid agent 53, is vaporized. - 特許庁

また、剥離、転置する際に該半導体装置に外周部から物理的な力が加わったとしても、クラック抑止層により、該半導体装置まで進行（成長）するクラックを防止することができる。例文帳に追加

Further, even though physical force is applied to the semiconductor device from the outer periphery when separation or transposition is performed, the crack prevention layer can prevent crack that progresses (grows) to the semiconductor device. - 特許庁

クラックの生成を抑制した結晶成長方法およびその結晶成長方法によって形成される多層構造体を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal growth method which restrains generation of cracks and a multilayer structure which is formed by the method. - 特許庁