サイドゲートの英語

サイドゲートを備えるＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

SONOS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH SIDE GATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

ＴｉＳｉ2／Ｐｏｌｙ−Ｓｉのポリサイドゲート40、ポリサイドゲート40の上にハードマスク51、ポリサイドゲート40の側壁にスペーサ60が形成された状態で、全面にＴｉ膜70を形成する。例文帳に追加

A Ti film 70 is formed on the whole surface in a state that a TiSi-2/Poly-Si polycide gate 40 is formed on a substrate 10 via a gate insulating film, a hard mask 51 is formed on the gate 40 and spacers 60 are respectively formed on the sidewalls of the gate 40. - 特許庁

これにより、サイドゲート４５の上端部が剛性の高い鋭角な角部４５Ｃ４となるので、サイドゲート４５の上部に油圧ショベルのバケットが衝突したとしても、このときの衝撃荷重を角部４５Ｃ４によって受けることができ、サイドゲート４５が変形するのを抑えることができる。例文帳に追加

Since the upper end part of the side gate 45 is formed into a sharp angle part 45C4 with a high rigidity, even if the bucket of a hydraulic excavator collides with the upper part of the side gate 45, an impact load can be received by the angle part 45C4, and the side gate can be suppressed from being deformed. - 特許庁

溶接ステーション（１）に隣接したアクティブ位置と、溶接ステーション（１）から離れた少なくとも１つのパーキング位置との間でサイドゲートを移動させるために、サイドゲートとは独立した個々のトラクタ（１１ａ，１１ｂ）は、サイドゲートの異なる部分に自動で選択的に連結可能である。例文帳に追加

Since the side gates are moved between an active position adjacent to the welding station (1) and at least one parking position far from the welding station (1), individual tractors (11a, 11b) independent from the side gates can be automatically and selectively connected to a different part of the side gates. - 特許庁

非晶質シリコンよりなるキャップ層を有したポリサイドゲートの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF POLYCIDE GATE WITH CAP LAYER CONSISTING OF AMORPHOUS SILICON - 特許庁

前記ポリサイドゲート上に窒化珪素によるキャップ３４５，４４５を形成する。例文帳に追加

Caps 345 and 445 of silicon nitride are formed on the polycide gates. - 特許庁

適切な仕事関数のシリサイドゲート電極を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a silicide gate electrode having a proper work function. - 特許庁

サイドゲート式の射出成形金型およびそれを用いた成形部品の作製方法例文帳に追加

SIDE GATE TYPE INJECTION MOLDING MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING MOLDED PART USING THE SAME - 特許庁