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シリコン光電極の英語
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英訳・英語 silicon photoelectrode
「シリコン光電極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 184件
シリコン発光層と、シリコン発光層に電圧差を印加するための電極とを含んでなるシリコン発光素子において、シリコン発光層の上部と下部のうち少なくとも一つに、前記シリコン発光層の発光効率を高めるためのシリコンカーボンナイトライド膜を備える。例文帳に追加
In a silicon light emitting device having a silicon light emitting layer and electrodes that apply a voltage difference between both sides of the silicon light emitting layer, the silicon light emitting layer has a silicon carbon nitride film on at least either the upper or lower side for improving the light emitting efficiency. - 特許庁
シリコン系薄膜光電変換装置用裏面電極、およびそれを備えたシリコン系薄膜光電変換装置例文帳に追加
REAR SURFACE ELECTRODE FOR SILICON-SYSTEM THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND SILICON-SYSTEM THIN- FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE PROVIDED THEREWITH - 特許庁
本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板１、シリコン基板１の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第１の電極層７、第１の電極層７とシリコン基板１との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第２の電極層６、第２の電極層６とシリコン基板１との間に形成されたＢＳＦ層９を備えて構成される。例文帳に追加
The solar cell includes a silicon substrate 1 having a light receiving surface, a first electrode layer 7 containing aluminum formed on a surface opposite to the light receiving surface of the silicon substrate 1, a second electrode layer 6 containing aluminum and silicon formed between the first electrode layer 7 and the silicon substrate 1, and a BSF layer 9 formed between the second electrode layer 6 and the silicon substrate 1. - 特許庁
非受光面バスバー電極３Ｎは、シリコン基板１の非受光面１Ｎの上に形成されている。例文帳に追加
The nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N is formed on the nonlight-receiving surface 1N of the silicon board 1. - 特許庁
本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。例文帳に追加
A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode. - 特許庁
シリコン基板上のＺｎＯナノチップ電極電界発光素子、およびその製造方法例文帳に追加
ZnO NANO CHIP ELECTRODE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT ON SILICON SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
単結晶シリコンを所定形状に加工して蛍光管の電子放出電極として使用する。例文帳に追加
Single-crystal silicon is processed into a predetermined shape and used as an electron emission electrode of this fluorescent tube. - 特許庁
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「シリコン光電極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 184件
また、画素電極と重なるチャネルポリシリコンの領域に遮光膜を形成しない。例文帳に追加
Further, a light shielding film is not formed in the region of channel polysilicon overlapping the pixel electrode. - 特許庁
第１電極７は、受光面とは反対側のシリコン基板２の裏面上に形成されている。例文帳に追加
The first electrode 7 is formed on a rear surface of the silicon substrate 2 opposite to a light receiving surface. - 特許庁
レーザ光パルス２４の照射により溶融したシリコンは、マイクロ波３１の交番電界の作用により導電性電極として働き、溶融シリコン下部の非溶融シリコン原子に振動を与える。例文帳に追加
Silicon melted by the irradiation of the laser pulse 24 acts as a conductive electrode under influence of an alternating electrical field of the microwave 31 and provides vibration to non-melted silicon atoms under the melted silicon. - 特許庁
第１の光起電力素子３は、透明電極２側からｐ型非晶質シリコンカーバイド膜３１、ｉ型非晶質シリコン膜３２およびｎ型非晶質シリコン膜３３を順に含む。例文帳に追加
The first photovoltaic element 3 successively comprises a p-type amorphous silicon carbide film 31, an i-type amorphous silicon film 32, and an n-type amorphous silicon film 33, starting from the transparent electrode 2. - 特許庁
太陽電池は、シリコン基板１と、非受光面バスバー電極３Ｎと、受光面バスバー電極３Ｒと、コネクタ２とを備えている。例文帳に追加
The solar battery includes a silicon board 1, a nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N, a light-receiving surface bus bar electrode 3R, and a connector 2. - 特許庁
光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。例文帳に追加
After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer. - 特許庁
複合半導体装置はシリコン半導体基板（１）と発光素子用の主半導体領域（２）と第１の電極（３）と第２の電極（４）とを有する。例文帳に追加
A compound semiconductor device has a silicon semiconductor substrate (1), a main semiconductor region (2) for light emitting devices, a first electrode (3), and a second electrode (4). - 特許庁
スイッチ素子３６のソース電極および光センサ５１のＮ^＋ポリシリコン部とを共通のソース電極４１とする。例文帳に追加
The source electrode of a switching element 36 and the N^+ polysilicon part of the optical sensor 51 are made to be a common source electrode 41. - 特許庁
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