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シリコン光電極の英語
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英訳・英語 silicon photoelectrode
「シリコン光電極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 154件
シリコン系薄膜光電変換装置用裏面電極、およびそれを備えたシリコン系薄膜光電変換装置例文帳に追加
REAR SURFACE ELECTRODE FOR SILICON-SYSTEM THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND SILICON-SYSTEM THIN- FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE PROVIDED THEREWITH - 特許庁
太陽電池は、シリコン基板1と、非受光面バスバー電極3Nと、受光面バスバー電極3Rと、コネクタ2とを備えている。例文帳に追加
The solar battery includes a silicon board 1, a nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N, a light-receiving surface bus bar electrode 3R, and a connector 2. - 特許庁
シリコン基板上のZnOナノチップ電極電界発光素子、およびその製造方法例文帳に追加
ZnO NANO CHIP ELECTRODE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT ON SILICON SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
非受光面バスバー電極3Nは、シリコン基板1の非受光面1Nの上に形成されている。例文帳に追加
The nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N is formed on the nonlight-receiving surface 1N of the silicon board 1. - 特許庁
シリコン発光層と、シリコン発光層に電圧差を印加するための電極とを含んでなるシリコン発光素子において、シリコン発光層の上部と下部のうち少なくとも一つに、前記シリコン発光層の発光効率を高めるためのシリコンカーボンナイトライド膜を備える。例文帳に追加
In a silicon light emitting device having a silicon light emitting layer and electrodes that apply a voltage difference between both sides of the silicon light emitting layer, the silicon light emitting layer has a silicon carbon nitride film on at least either the upper or lower side for improving the light emitting efficiency. - 特許庁
光センサ素子の第一の電極11と第二の電極12を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層13を非晶質シリコン膜で形成する。例文帳に追加
After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer. - 特許庁
シリコン基板2の電極4a,4bと光半導体素子3の電極5a,5bは金製のスタッドバンプ7によって接合されており、シリコン基板2の電極4cと光半導体素子3の電極5cは、半田6によって接合されている。例文帳に追加
The electrodes 4a and 4b of the silicon substrate 2 and the electrodes 5a and 5b of the optical semiconductor element 3 are joined by a stud bump 7 made of gold, and the electrode 4c of the silicon substrate 2 and the electrode 5c of the optical semiconductor element 3 are joined by solder 6. - 特許庁
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「シリコン光電極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 154件
電気光学装置は、基板(10)上に、画素電極(9)と、画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極(71)と、画素電極と容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜(72)とを備える。例文帳に追加
The electro-optical apparatus has on a substrate (10): a pixel electrode (9); a capacity electrode (71) disposed on the lower layer side of the pixel electrode to face the pixel electrode; and a dielectric film (72) disposed between the pixel electrode and capacity electrode and containing at least silicon nitride or nitride silicon oxide. - 特許庁
この太陽電池セル(光電変換素子)1は、貫通孔10aが形成されたシリコン基板10と、シリコン基板10の受光面上に設けられた受光面電極21と、貫通孔10aの内部に設けられた貫通孔電極22と、シリコン基板10の裏面上に設けられた裏面電極23とを備える。例文帳に追加
A solar battery cell (photoelectric conversion element) 1 is equipped with a silicon substrate 10 formed with a through hole 10a; an electrode 21 provided on the light receiving surface of the silicon substrate 10; a through-hole electrode 22 provided inside the through hole 10a; and a rear-face electrode 23 provided on the rear face of the silicon substrate 10. - 特許庁
第1電極7は、受光面とは反対側のシリコン基板2の裏面上に形成されている。例文帳に追加
The first electrode 7 is formed on a rear surface of the silicon substrate 2 opposite to a light receiving surface. - 特許庁
単結晶シリコンを所定形状に加工して蛍光管の電子放出電極として使用する。例文帳に追加
Single-crystal silicon is processed into a predetermined shape and used as an electron emission electrode of this fluorescent tube. - 特許庁
本発明に係る太陽電池は、受光面を有するシリコン基板1、シリコン基板1の受光面に対して反対面側に形成されアルミニウムを含有する第1の電極層7、第1の電極層7とシリコン基板1との間に形成されアルミニウムとシリコンを含有する第2の電極層6、第2の電極層6とシリコン基板1との間に形成されたBSF層9を備えて構成される。例文帳に追加
The solar cell includes a silicon substrate 1 having a light receiving surface, a first electrode layer 7 containing aluminum formed on a surface opposite to the light receiving surface of the silicon substrate 1, a second electrode layer 6 containing aluminum and silicon formed between the first electrode layer 7 and the silicon substrate 1, and a BSF layer 9 formed between the second electrode layer 6 and the silicon substrate 1. - 特許庁
本発明の電界発光素子は、下部電極102と上部電極108とからなる一対の電極を有し、下部電極102と上部電極108との間に蛍光体を含むシリコン蛍光体層106が設けられた電界発光素子であって、下部電極102には、ナノメートルオーダーの微小突起104が複数設けられたナノ構造を有し、シリコン蛍光体層106は、微小突起104を覆うように設けられている。例文帳に追加
The electroluminescent device has a pair of electrodes comprising an upper electrode 102 and a lower electrode 108 between which a silicon phosphor layer 106 including a phosphor is formed, where the lower electrode 102 has a nanostructure, in which a plurality of micro-protrusions 104 in the order of nanometers are formed, and the silicon phosphor layer 106 is formed so as to cover the micro-protrusions 104. - 特許庁
光電変換装置は、受光面を有するシリコン基板1およびn型拡散層5と受光面に形成された電極とを備える。例文帳に追加
The photoelectric conversion device has a silicon substrate 1 having a light receiving surface, an n-type diffusion layer 5, and electrodes formed on the light receiving surface. - 特許庁
本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。例文帳に追加
A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode. - 特許庁
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silicon photoelectrode
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