シリコン光検出器の英語

レーザＳＸＬがオフになる箇所のシリコン膜には、当該シリコン膜がラテラル結晶ＳＰＳＩであれば突起ＴＯＫＩが形成され、検査光ＰＲＯ１は突起ＴＯＫＩで散乱されて図示しない検出器で観測される。例文帳に追加

A silicon film, where the laser SXL is turned off, is formed with a protrusion TOKI when the silicon film is lateral crystallization SPSI, and the inspection light PRO1 is scattered by the protrusion TOKI, and observed by a detector (not shown). - 特許庁

イ　宇宙用に設計した固体の光検出器（ゲルマニウム又はシリコンを用いたものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

(a) Solid optical detectors designed for space use (excluding those using germanium or silicon) that fall under any of the following発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明における表面層検出装置１１は、シリコン基板２の表面にプラズマによる処理中に形成されたＳｉＣｌ_ｘ層を検出するものであって、プローブ光発生装置１３と光検出器１６とを備えている。例文帳に追加

The surface layer detecting apparatus 11 detects an SiCl_x layer formed on the surface of a silicon substrate 2 during processing using plasma and is equipped with a probe light generating device 13 and an optical detector 16. - 特許庁

シンチレータとシリコンフォトダイオードアレイを組み合わせた多素子X線検出器の隣接する素子間における光の漏れ込みを防止するとともに、シンチレータからの発光を有効にシリコンフォトダイオードアレイに導き、Ｓ／Ｎ、空間分解能の向上を図る。例文帳に追加

To prevent light from being leaked in a space between adjacent elements in a multi-element X-ray detector combined with scintillators and a silicon photo-diode array, and to effectively guide emitted light from the scintillators to the silicon photo-diode array to enhance an S/N ratio and spatial resolution. - 特許庁

光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。例文帳に追加

This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15. - 特許庁

このようにして、新しい材料および構造であるポーラスシリコン領域を有したｐ型Ｓｉ基板によって光電子放出面および光検出器を構成することができる。例文帳に追加

The photoelectron emission surface and the photodetector can be constituted by the p-type Si substrate having the porous silicon area of new material and structure. - 特許庁

ＣＣＤ検出器９０の映像信号からラマン散乱光のエネルギ分布を演算し、紫外光が照射されるシリコンウェーハの領域における歪量を演算する。例文帳に追加

The energy distribution of the Raman scattering light is calculated from the image signal of a CCD detector 90, and the amount of strain is calculated in the silicon wafer region on which the ultraviolet light is irradiated. - 特許庁

七　宇宙用に設計した固体の光検出器（ゲルマニウム又はシリコンを用いたものを除く。）であって、一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの例文帳に追加

(vii) Solid optical detectors designed for space applications (excluding those that use germanium or silicon) with the maximum sensitivity within the range exceeding 1,200 nano meters to 30,000 nano meters or less発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム