「シリコン光検出器」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エネルギー分散型Ｘ線分光器に用いられるシリコンドリフト型検出器においてバックグランドを低減する。例文帳に追加

To reduce background in a silicon drift type detector used in an energy dispersion type X-ray spectrometer. - 特許庁

窒化シリコン４４および二酸化シリコン４２の複合層を有する反射防止コーティングを光検出器の感光領域全体に形成し反射量を最小にする。例文帳に追加

An antireflection coating comprising a composite layer of a silicon nitride 44 and a silicon dioxide 42 is formed over the entire photosensitized region of a photodetector, for minimum reflected amount. - 特許庁

レーザＳＸＬがオフになる箇所のシリコン膜には、当該シリコン膜がラテラル結晶ＳＰＳＩであれば突起ＴＯＫＩが形成され、検査光ＰＲＯ１は突起ＴＯＫＩで散乱されて図示しない検出器で観測される。例文帳に追加

A silicon film, where the laser SXL is turned off, is formed with a protrusion TOKI when the silicon film is lateral crystallization SPSI, and the inspection light PRO1 is scattered by the protrusion TOKI, and observed by a detector (not shown). - 特許庁

イ　宇宙用に設計した固体の光検出器（ゲルマニウム又はシリコンを用いたものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

(a) Solid optical detectors designed for space use (excluding those using germanium or silicon) that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明における表面層検出装置１１は、シリコン基板２の表面にプラズマによる処理中に形成されたＳｉＣｌ_ｘ層を検出するものであって、プローブ光発生装置１３と光検出器１６とを備えている。例文帳に追加

The surface layer detecting apparatus 11 detects an SiCl_x layer formed on the surface of a silicon substrate 2 during processing using plasma and is equipped with a probe light generating device 13 and an optical detector 16. - 特許庁

シンチレータとシリコンフォトダイオードアレイを組み合わせた多素子X線検出器の隣接する素子間における光の漏れ込みを防止するとともに、シンチレータからの発光を有効にシリコンフォトダイオードアレイに導き、Ｓ／Ｎ、空間分解能の向上を図る。例文帳に追加

To prevent light from being leaked in a space between adjacent elements in a multi-element X-ray detector combined with scintillators and a silicon photo-diode array, and to effectively guide emitted light from the scintillators to the silicon photo-diode array to enhance an S/N ratio and spatial resolution. - 特許庁

光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。例文帳に追加

This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15. - 特許庁

このようにして、新しい材料および構造であるポーラスシリコン領域を有したｐ型Ｓｉ基板によって光電子放出面および光検出器を構成することができる。例文帳に追加

The photoelectron emission surface and the photodetector can be constituted by the p-type Si substrate having the porous silicon area of new material and structure. - 特許庁

ＣＣＤ検出器９０の映像信号からラマン散乱光のエネルギ分布を演算し、紫外光が照射されるシリコンウェーハの領域における歪量を演算する。例文帳に追加

The energy distribution of the Raman scattering light is calculated from the image signal of a CCD detector 90, and the amount of strain is calculated in the silicon wafer region on which the ultraviolet light is irradiated. - 特許庁

七　宇宙用に設計した固体の光検出器（ゲルマニウム又はシリコンを用いたものを除く。）であって、一、二〇〇ナノメートル超三〇、〇〇〇ナノメートル以下の波長範囲で最大感度を有するもの例文帳に追加

(vii) Solid optical detectors designed for space applications (excluding those that use germanium or silicon) with the maximum sensitivity within the range exceeding 1,200 nano meters to 30,000 nano meters or less  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。例文帳に追加

The window is applied to photon-sensitive silicon devices such as photodiodes, charge-coupled devices, active pixel sensors, low-energy X-ray sensors and other radiation detectors. - 特許庁

シリコン基板が用いられていると共に近赤外の波長帯域に十分な感度特性を有している光検出器を備えたＯＣＴ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an OCT device, including a photodetector with full sensitivity characteristics for near-infrared wavelength band, while using a silicon substrate. - 特許庁

例示的な応用例として、アスペクト比トラッピング技術を用いることによって、相補型金属酸化膜半導体光検出器がシリコン基板上に形成される。例文帳に追加

As an exemplary application, a complementary-metal-oxide-semiconductor photodetector is formed on a silicon substrate by using an aspect-ratio-trapping technique. - 特許庁

放射線検出器モジュール（９）は、Ｘ線（８）を光に変換するためにシンチレーション材料から作られたシンチレーション層（１０）と、光を検出するためにシンチレーション層（１０）に結合された光検出ユニット（１３）とを備え、光検出ユニット（１３）が複数のシリコンフォトマルチプライヤ（１５）を含む。例文帳に追加

The radiation detector module 9 is provided with a scintillation layer 10 made of a scintillation material for converting the X-ray 8 into a light, and a photodetection unit 13 coupled with the scintillation layer 10 to detect the light, and the photodetection unit 13 includes a plurality of silicon photomultipliers 15. - 特許庁

そして、一次電子走査線部１０６により制御された偏光器１０５により一次電子線１０２がシリコン基板１０８上を走査するのと同期して、一次電子線１０２の照射を受けてシリコン基板１０８から放出される二次電子１１２を二次電子検出器１１３で受け、二次電子強度として画像取得部１１４に与える。例文帳に追加

Then, in synchronization with the scanning of the primary electron beam 102 on the silicon substrate 108 by a polarizer 105 controlled by a primary electron raster section 106, a secondary electron 112 discharged from the silicon substrate 108 by irradiating the primary electron beam 102 is received by a secondary electron detector 113 for giving to an image acquisition section 114 as secondary electron intensity. - 特許庁

放射線検出器（３１）は、入射されるＸ線を光に変換するシンチレータ（３３）と、シンチレータ（３３）で変換された光を電気信号に変換するフォトダイオード（３４）と、フォトダイオード（３４）に接続され５０ミクロンピッチ以下の配線（Ｌ１）を有するシリコン基板（３４）と、シリコン基板を補強する補強基板（３５）と、を有する。例文帳に追加

The radiation detector 31 has a scintillator 33 for converting incident X rays into light, a photodiode 34 for converting the light obtained by the scintillator 33 into an electric signal, a silicon substrate 34 connected to the photodiode 34 and comprising wires L1 with pitches of 50 microns or less, and a reinforcement substrate 35 for reinforcing the silicon substrate. - 特許庁

ガラス基板等からなる絶縁性基板上に非晶質シリコンより成る半導体薄膜を用いたフォトダイオードとＴＦＴ（薄膜トランジスタ）よりなる光電変換素子が複数２次元に形成され、その表面に半導体保護層が形成され、全体として光検出器が構成される。例文帳に追加

A plurality of photoelectric conversion elements, consisting of a photo-diode using a semiconductor thin film made of amorphous silicon and TFT (thin-film transistor), are formed on an insulating substrate made of a glass substrate and the like in two dimensions, and a semiconductor protection layer is formed on the surface thereof, thus forming an optical power detector as a whole. - 特許庁

反射防止コーティングをフォトダイオードでのＰＮ接合と光検出器信号を増幅するためのＣＭＯＳ装置を組立製造するためのＣＭＯＳ工程で形成し、ここでポリシリコンゲート層をエッチイングストップとして用いる。例文帳に追加

The antireflection coating is formed at PN junction with a photodiode and in a CMOS process for assembly/manufacture of a CMOS device for amplifying a photodetector signal, with a polysilicon gate layer used as an etching stop here. - 特許庁

４５°ミラー１０６を搭載したマイクロマシン回転ステージ１０５を、２つの半導体レーザ１０２，１０３、および光検出器と一体としてシリコン基板１０１上に形成し、マイクロマシン回転ステージを回転させて、必要となる波長のレーザビームを選択して９０°立ち上げる。例文帳に追加

Therefore, it is possible to conform the optical axes of the two wavelengths to each other and to suppress increase in aberration of an objective lens. - 特許庁

ポリシリコンからなる薄膜試料６に対し、偏波面の方向が各々異なる電磁波を照射し、パルスレーザ１２により薄膜試料６にそのバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を照射し、その励起光の照射により変化する、薄膜試料６からの電磁波の反射波（反射マイクロ波）それぞれの強度をマイクロ波検出器１０により検出する。例文帳に追加

The thin-film sample 6 comprising polysilicon is irradiated with electromagnetic waves respectively different in plane of polarization and also irradiated with exciting light of energy with the band gap of the thin-film sample 6 or above by the pulsed laser 12 and the intensities of the respective reflected waves (reflected microwaves) of the electromagnetic waves from the thin-film sample 6 are detected by a microwave detector 10. - 特許庁

サーモパイル型赤外線検出装置の周囲温度が急激に変化した場合の温度検出を行うにあたり、高密度ポリエチレンから光学レンズを含む筒箱部、内壁部、及び、シリコン等からなる光学レンズの部以外の内壁部とサーモパイル型赤外線検出器冷接点部とを機械的、並びに、熱的に一体化させる為、ヒートシンクを設置・具備させた事を特徴としたサーモパイル型赤外線検出装置。例文帳に追加

The thermopile infrared detector is characteristized by comprising a heat sink to mechanically and thermally integrate the cylinder case including the optical lens formed of high-density polyethylene, the inner wall, and an inner wall other than the optical lens formed of silicon or the like and the cold junction of the thermopile infrared detector when detecting a temperature when the ambient temperature of the thermopile infrared detector changes abruptly. - 特許庁

ＯＣＴ装置の光検出器ＰＳは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の半導体層３が形成されたシリコン基板１と、第１主面１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極５と、を備えている。例文帳に追加

A photodetector PS of the OCT device, consisting of a semiconductor of a first conductivity type, includes a silicon substrate 1, where while having a first principal plane 1a and a second principal plane 1b both facing each other; a semiconductor layer 3 of the second conductivity type is formed at the side of first principal plane 1a and a charge forwarding electrode 5 arranged on the first principal plane 1a to forward the charge generated. - 特許庁