シリコン光スイッチの英語

シリコンナノフォトニクスにおいて、より高速な応答特性を備えてより微細とされた新たな全光型スイッチを提案する。例文帳に追加

To provide a new all-optical switch having faster response characteristics and a finer structure in silicon nanophotonics. - 特許庁

種々の実施の形態において、シリコン光スイッチは光スイッチ２３０、微細加工トーションミラー、静電駆動型マイクロミラー及び傾斜マイクロミラーのうち少なくともいずれかを備える。例文帳に追加

In various exemplary embodiments, the silicon optical switch has at least one of a micromachined torsion mirror, an electrostatic micromirror and a tilting micromirror. - 特許庁

光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。例文帳に追加

As an optical sensor element structure, one electrode of a sensor element is formed by the same film as a polycrystalline silicon film which becomes an active layer for a switching element constituting a circuit, and a light reception part in which photoelectric conversion is performed is amorphous silicon or polycrystalline silicon film of an intrinsic layer. - 特許庁

フロントケース２とバックカバー４とが一体的に組み付けられて成りフロントケース２の一部分に投光孔２５を有するスイッチケース１１と、スイッチケース表面にスイッチプレート２７を備えた無線式防水型押しボタンスイッチ１に対し、スイッチケース１１内に半透明シリコンゴムで成る防水部材５を収容する。例文帳に追加

This switch 1 is constituted by building a front case 2 and a back cover 4 in one and equipped with a switch case 11 having a light projection hole 25 at part of the front case 2 and a switch plate 27 on the switch case surface, and has a waterproof member 5 made of translucent silicone rubber in the switch case 11. - 特許庁

キー照光装置には、基板２０側にタクトスイッチ部２１及び光源部（ＬＥＤ２２ａ、２２ｂ）が、また筐体１０側にタクトスイッチ部２１をオンオフ可能に操作し、光源部からの光を照光する樹脂キー部１１及びシリコンゴム部１２が配設される。例文帳に追加

The key lighting device has a tact switch 21 and light source sections (LEDs 22a, 22b) on a side of a substrate 20, and a resin key section 21 and a silicone rubber section 12 on a side of a housing 10, for operably turning on or off the tact switch section 21 and applying light from the light source. - 特許庁

画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタの各々のチャネル層は、共に、近赤外光の波長帯域に感度を有する微結晶シリコン膜４と、外光の可視光に対して感度を有するノンドープ非晶質シリコン膜２３との２層構造から成る。例文帳に追加

Each channel layer of the thin film transistor for pixel switching and the thin film transistor for photodetection is constituted of a two layer structure of a fine crystal silicon film 4 having sensitivity in a wavelength band of near IR light and a non-doped amorphous silicon film 23 having sensitivity to visible light of external light. - 特許庁

サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。例文帳に追加

To realize, in hybrid circuit integration using inter-subband transition elements and a silicon wire, improvement of the efficiency of coupling with a silicon wire and an increase in phase modulation effect owing to elongation of the optical path, resulting in achievement of high performance features including an improved S/N ratio of optical gate switches and reduced energy consumption for operation. - 特許庁

回路ブロック間をシリコン基板１上にモノリシックに形成された線状の光伝送路により接続してもよく、この光伝送路の途中またはこの光伝送路と回路ブロックとの間に光スイッチを形成してもよい。例文帳に追加

The circuit blocks may be connected allowably by a linear optical transmission line formed on the silicon substrate 1 in a monolithic way, and in the course of this optical transmission line or between it and the circuit block, optical switches may be formed allowably. - 特許庁