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シリコン光電池の英語
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英訳・英語 silicon photovoltaic cell
「シリコン光電池」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
マルチバンドギャップを備えるナノ結晶シリコン光電池及び低温多結晶シリコン薄膜トランジスタパネルにおけるその応用例文帳に追加
SI-NANOCRYSTAL PHOTOVOLTAIC CELL WITH MULTI-BAND GAP AND APPLICATION IN LOW-TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM TRANSISTOR PANEL - 特許庁
ｎ型シリコン基板２と、シリコン基板２を貫通するスルーホール３を設け、シリコン基板２の少なくとも表面に設けたｐ型の拡散層４を有する光電池セル素子１を形成する。例文帳に追加
A photovoltaic cell element 1 is formed which is provided with an n-type silicon substrate 2 and through-holes 3 penetrating the silicon substrate 2, and has a p-type diffusion layer 4 provided at least on a top surface of the silicon substrate 2. - 特許庁
ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化例文帳に追加
ENHANCEMENT OF SHORT-CIRCUIT CURRENT BY USE OF WIDE BAND GAP N LAYER IN PIN AMORPHOUS SILICON PHOTOCELL - 特許庁
光電池セル素子１をシリコン基板２の基板面方向に複数配列し、その裏面側には複数の光電池セル素子１を保持する機能を備えた絶縁性の樹脂基材８を設ける。例文帳に追加
A plurality of photovoltaic cell elements 1 are arrayed in a substrate surface direction of the silicon substrate 2, and an insulating resin base 8 which has a function of holding the plurality of photovoltaic cell elements 1 is provided on the reverse surface side thereof. - 特許庁
電池で電力供給される時計の文字盤や他の電子装置に使用可能である半導体、好ましくはシリコンを持つ有色光電池（１）である。例文帳に追加
A colored photocell (1) is formed of semiconductor, preferably formed of silicon semiconductor and can be used for the dial of a watch and other electronic devices to which a power is supplied from a cell. - 特許庁
プラスチック被覆を除去した光ファイバー心線から、太陽光電池や半導体用として利用可能な付加価値の高いシリコンを得ることのできる、光ファイバー心線のリサイクル方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for recycling a coated optical fiber in which it is possible to produce a highly valuable silicon which can be used for a photovoltaic solar cell and a semiconductor from the coated optical fiber from which a plastic coating has been removed. - 特許庁
パネル１０は、下面側に樹脂製の下面接着層１５が設けられた鋼板製基板１１上に、結晶系シリコン製の光電池モジュール１２を介して透明な上面保護板１３が配置された状態で、基板１１及び上面保護板１３間に接着剤１４が光電池モジュール１２を密封する態様に充填されることによって形成されている。例文帳に追加
The panel 10 is formed by filling an adhesive 14 between a substrate 11 and a top face protecting plate 13 so as to seal a photovoltaic cell module 12 in a state of arranging the transparent top face protecting plate 13, via the photovoltaic cell module 12 made of crystalline silicon, on the steel plate made substrate 11 provided with a resin bottom face adhesive layer 15 in a bottom face side. - 特許庁
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「シリコン光電池」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
樹脂基材８に化学的処理により穴開け加工を施し、該穴位置に各光電池セル素子１のシリコン基板２に電気的に導通する電極５と、拡散層４に電気的に導通する電極６を形成して互いに間隔を介して配列する。例文帳に追加
Holes are bored in the resin base material 8 through chemical processing, and electrodes 5 which are electrically connected to silicon substrates 2 of the respective photovoltaic cell elements 1 and electrodes 6 which are electrically connected to the diffusion layer 4 are formed and arrayed at respective hole positions while spaced from one another. - 特許庁
８Ｎ型（又は６Ｐ型）の多結晶層と７Ｉ型シリコン多結晶層及び６Ｐ型（又は８Ｎ型）多結晶層３層の厚さは赤外線（λ＝約７００ｎｍ〜１，０００ｎｍ）を有効に吸収する厚さに設定されて、赤外線に高感度を有する光電池単体を形成する。例文帳に追加
The thickness of three layers of a 8N type (or 6P type) polycrystalline layer, a 7I type silicon polycrystalline layer and a 6P type (or 8N type) polycrystalline layer is set to the thickness that effectively absorbs infrared rays (λ= about 700 to 1,000 nm) to form the photoelectric cell unit having high sensitivity to the infrared rays. - 特許庁
垂直勾配凝固法を用いた単結晶あるいは多結晶材料、特に光電池用途のシリコンの製造方法及び装置を提供し、及び坩堝断面を多角形、特に矩形あるいは四角形形状に構成することにより材料の損耗を低減する。例文帳に追加
To provide a method and a device for production of single crystals or polycrystalline materials using a vertical-gradient-freeze method, in particular silicon for applications in photovoltaics; and to decrease the amount of wastage by constituting a crucible cross section in polygonal, particularly in rectangular or square-shape. - 特許庁
ｐｉｎ光電池が、透明な基板、基板上に形成された前面導電層、前面導電層の上に形成されたｐ型層、ｐ型層の上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層、ｉ層の上に形成された広い帯域ギャップを有するｎ型構造層、ｎ型構造層の上に形成された後面接点層を有する。例文帳に追加
A PIN photocell is equipped with a transparent board, a front conductive layer formed on the board, a P-type layer formed on the front conductive layer, an amorphous silicon I layer, an N-type structure layer formed on the I layer and possessed of a wide band gap, and a rear contact layer formed on the N-type structure layer. - 特許庁
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