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シリコン光陽極の英語
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英訳・英語 silicon photoanode
「シリコン光陽極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
シリコン・ガラス陽極接合技術を利用した光ファイバブロックの製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL FIBER BLOCK UTILIZING SILICON GLASS ANODIC BONDING TECHNIQUE - 特許庁
光共振器４０の下層側の反射層１９と陽極層１２との間には、シリコン窒化膜などからなる絶縁保護膜１８を形成する。例文帳に追加
An insulating protection film 18 composed of silicon nitride film or the like is formed between a reflection layer 19 and the anode layer 12 at lower layer side of the photo resonator 40. - 特許庁
発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming micropores with high controllability in a porous silicon layer formed by an anode oxidation method that can increase the luminous efficiency and narrow the band of the emission wavelength. - 特許庁
有機ＥＬ素子１０は、陽極層１２と基板１１との間に、第１の誘電体２１としてのシリコン窒化膜と第２の誘電体２２としてのシリコン酸化膜がｎ層ずつ交互に積層された誘電体積層膜２０が形成され、誘電体積層膜２０が光共振器３０として機能する。例文帳に追加
An organic EL element 10 has a dielectric lamination film 20 formed by alternately laminating each n-pieces of silicon oxide layers functioning as first dielectric 21 and second dielectric 22 between an anode layer and a substrate, and the dielectric lamination film functions as an optical resonator 30. - 特許庁
光音響ガスセンサのキャビティを形成するＳiチップ１１におけるガス通流路１４の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層１３を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。例文帳に追加
A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage. - 特許庁
光検出器１００は、ｐ型Ｓｉ基板１１と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域１２と、ポーラスシリコン領域１２上に形成されたＡｕ電極１３と、ｐ型Ｓｉ基板上に形成されたポーラスシリコン領域と反対側のｐ型Ｓｉ基板上に形成されたオーミック電極１４とを有する光電子放出面と、陽極１５とを備える。例文帳に追加
This photodetector 100 comprises a photoelectron emission surface having a p-type Si substrate 11, a porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate, an Au electrode 13 formed on the porous silicon area 12, and an ohmic electrode 14 formed on the p-type Si substrate opposite to the porous silicon area 12 formed on the p-type Si substrate; and an anode 15. - 特許庁
陽極酸化処理工程では、電解液の入った処理槽を利用しており、光源により多結晶シリコン層３の表面に光照射を行いながら下部電極１２と陰極との間に電流を流す。例文帳に追加
In the anodic oxidation treatment process using a treatment vessel filled with electrolyte, a current is made to flow between an electrode 12 and a cathode, while light emitted from an light source irradiates a surface of the polycrystalline silicon layer 3. - 特許庁
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「シリコン光陽極」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
酸化シリコン層４をマスク材料層として５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合し０℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層３に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層５を形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加
In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled at 0°C. - 特許庁
フィラメントに通電して発熱させ赤外線を出射させる赤外線光源において、フィラメントを不純物濃度、導電率を調整しシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を充填貫通電極１１を有するセラミック基板１０上に陽極接合し、フィラメント以外のシリコン基板をエッチング除去してセラミック基板上に前記フィラメント１３を形成する。例文帳に追加
In an infrared light source wherein a filament is energized to generate heat and emit infrared rays, the filament with adjusted impurity concentration and electric conductivity is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate is anodically joined on a ceramic substrate 10 having filled through-electrodes 11, and then the silicon substrate, except for the filament, is removed by etching to form the filament 13 on the ceramic substrate. - 特許庁
熱電子放射面２ａと、陽極５’との間には、十分長い陽光柱７’を有するアークが形成され、陰極本体２からシリコンイオンが放出される。例文帳に追加
An arc having a sufficiently long positive column is formed between the thermion radiation surface 2a and the positive electrode 5 and silicon is emitted from the negative electrode body 2. - 特許庁
本発明はシリコン基板とガラス板を陽極接合する工程でガラス板の非接合領域（光透過領域）に不純物が析出することを防止することを課題とする。例文帳に追加
To prevent precipitation of impurities on a non-bonding region (light transmissive region) of a glass plate in a process of anodic bonding between a silicon substrate and the glass plate. - 特許庁
陽極１１２と陰極１１４の間に発光ユニット１１５、１１６が積層されて成り、前記第１、第２の発光ユニットを含んだ発光ユニット１１７が形成されたエレクトロルミネセンス表示部と、表示部下部に接続された駆動回路１１０とから成る駆動表示装置において、駆動回路１１０の基板の上に非晶質シリコン膜１０３を形成する。例文帳に追加
In the drive display device consisting of: an electroluminescence display part constituted by laminating luminescence units 115, 116 between an anode 112 and a cathode 114 and on which a luminance unit 117 including the first, second luminescence units is formed; and a driving circuit 110 connected with a lower part of the display part, an amorphous silicon membrane 103 is formed on the substrate of a driving circuit 110. - 特許庁
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