「シリコン光電極」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

シリコン基板上のＺｎＯナノチップ電極電界発光素子、およびその製造方法例文帳に追加

ZnO NANO CHIP ELECTRODE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT ON SILICON SUBSTRATE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

単結晶シリコンを所定形状に加工して蛍光管の電子放出電極として使用する。例文帳に追加

Single-crystal silicon is processed into a predetermined shape and used as an electron emission electrode of this fluorescent tube. - 特許庁

また、画素電極と重なるチャネルポリシリコンの領域に遮光膜を形成しない。例文帳に追加

Further, a light shielding film is not formed in the region of channel polysilicon overlapping the pixel electrode. - 特許庁

第１電極７は、受光面とは反対側のシリコン基板２の裏面上に形成されている。例文帳に追加

The first electrode 7 is formed on a rear surface of the silicon substrate 2 opposite to a light receiving surface. - 特許庁

レーザ光パルス２４の照射により溶融したシリコンは、マイクロ波３１の交番電界の作用により導電性電極として働き、溶融シリコン下部の非溶融シリコン原子に振動を与える。例文帳に追加

Silicon melted by the irradiation of the laser pulse 24 acts as a conductive electrode under influence of an alternating electrical field of the microwave 31 and provides vibration to non-melted silicon atoms under the melted silicon. - 特許庁

第１の光起電力素子３は、透明電極２側からｐ型非晶質シリコンカーバイド膜３１、ｉ型非晶質シリコン膜３２およびｎ型非晶質シリコン膜３３を順に含む。例文帳に追加

The first photovoltaic element 3 successively comprises a p-type amorphous silicon carbide film 31, an i-type amorphous silicon film 32, and an n-type amorphous silicon film 33, starting from the transparent electrode 2. - 特許庁

太陽電池は、シリコン基板１と、非受光面バスバー電極３Ｎと、受光面バスバー電極３Ｒと、コネクタ２とを備えている。例文帳に追加

The solar battery includes a silicon board 1, a nonlight-receiving surface bus bar electrode 3N, a light-receiving surface bus bar electrode 3R, and a connector 2. - 特許庁

光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。例文帳に追加

After a first electrode 11 and a second electrode 12 of the photo-sensor element are formed of polycrystalline silicon films, a light-receiving layer 13 of the photo-sensor element is formed of an amorphous silicon film on an upper layer. - 特許庁

複合半導体装置はシリコン半導体基板（１）と発光素子用の主半導体領域（２）と第１の電極（３）と第２の電極（４）とを有する。例文帳に追加

A compound semiconductor device has a silicon semiconductor substrate (1), a main semiconductor region (2) for light emitting devices, a first electrode (3), and a second electrode (4). - 特許庁

スイッチ素子３６のソース電極および光センサ５１のＮ^＋ポリシリコン部とを共通のソース電極４１とする。例文帳に追加

The source electrode of a switching element 36 and the N^+ polysilicon part of the optical sensor 51 are made to be a common source electrode 41. - 特許庁

シリコン基板２の電極４ａ，４ｂと光半導体素子３の電極５ａ，５ｂは金製のスタッドバンプ７によって接合されており、シリコン基板２の電極４ｃと光半導体素子３の電極５ｃは、半田６によって接合されている。例文帳に追加

The electrodes 4a and 4b of the silicon substrate 2 and the electrodes 5a and 5b of the optical semiconductor element 3 are joined by a stud bump 7 made of gold, and the electrode 4c of the silicon substrate 2 and the electrode 5c of the optical semiconductor element 3 are joined by solder 6. - 特許庁

基板２０に、金属製の可動な上電極７および固定された下電極８とシリコン製の犠牲層９９により可動層を形成し、さらに酸化シリコン製の光学素子層を積層する。例文帳に追加

A movable layer is formed on a substrate 20 by a metallic movable upper electrode 7, a fixed lower electrode 8, and a silicon sacrifice layer 99, and a silicon oxide optical element layer is laminated. - 特許庁

光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。例文帳に追加

As an optical sensor element structure, one electrode of a sensor element is formed by the same film as a polycrystalline silicon film which becomes an active layer for a switching element constituting a circuit, and a light reception part in which photoelectric conversion is performed is amorphous silicon or polycrystalline silicon film of an intrinsic layer. - 特許庁

光電変換装置は、受光面を有するシリコン基板１およびｎ型拡散層５と受光面に形成された電極とを備える。例文帳に追加

The photoelectric conversion device has a silicon substrate 1 having a light receiving surface, an n-type diffusion layer 5, and electrodes formed on the light receiving surface. - 特許庁

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。例文帳に追加

To realize an efficient solar battery by devising the formation form of a silicon nitride film that is formed as a rear surface passivation film by considering the interference between reflection light on the surface of a rear surface metal electrode layer and reflection light at the boundary of a silicon single-crystal substrate and the silicon nitride film. - 特許庁

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。例文帳に追加

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film. - 特許庁

この太陽電池セル（光電変換素子）１は、貫通孔１０ａが形成されたシリコン基板１０と、シリコン基板１０の受光面上に設けられた受光面電極２１と、貫通孔１０ａの内部に設けられた貫通孔電極２２と、シリコン基板１０の裏面上に設けられた裏面電極２３とを備える。例文帳に追加

A solar battery cell (photoelectric conversion element) 1 is equipped with a silicon substrate 10 formed with a through hole 10a; an electrode 21 provided on the light receiving surface of the silicon substrate 10; a through-hole electrode 22 provided inside the through hole 10a; and a rear-face electrode 23 provided on the rear face of the silicon substrate 10. - 特許庁

この太陽電池セル（光電変換素子）１は、貫通孔１０ａが形成されたｐ型のシリコン基板１０と、シリコン基板１０の受光面上に設けられた受光面電極２１と、貫通孔１０ａの内部に設けられた貫通孔電極２２と、シリコン基板１０の裏面上に設けられた裏面電極２３とを備える。例文帳に追加

A solar battery cell (the photoelectric conversion element) 1 includes a p-type silicon substrate 10 having a through hole 10a, a light receiving surface electrode 21 provided on a light receiving surface of the silicon substrate 10, a through hole electrode 22 formed in the through hole 10a, a rear surface electrode 23 formed on a rear surface of the silicon substrate 10. - 特許庁

厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。例文帳に追加

To amplify and output a photoelectric current resulting from photoconduction by a diode formed at a connection plane of an n-type amorphous silicon film of a low resistance and a thick amorphous silicon film by disposing the n-type amorphous silicon film between the thick amorphous silicon film and an upper electrode. - 特許庁

一方の電極となる基板上に、水素を含有する一導電型を呈する結晶質シリコン粒子を多数配設し、この結晶質シリコン粒子間に絶縁物質を介在させて、この結晶質シリコン粒子の上部に逆導電型を呈する半導体層を設けて光電変換装置を形成する。例文帳に追加

The photoelectric converter is formed by laying an insulating substance among the above particles, on which a semiconductor layer showing reverse electrical conductivity is arranged. - 特許庁

一導電型の結晶質シリコン基板１を備えたセル本体の両主面に電極を設けて成り、かつ式Ａ×Ｂ ≦ 1.3×10^−５（ただし、Ａ：結晶質シリコン基板の厚さ[ｍ]、Ｂ：結晶質シリコン基板１の単位面積当たりの反り[ｍ^−１]）を満足する光電変換装置とする。例文帳に追加

The photo-electric converter provides electrodes on both principal surfaces of a cell body provided with a crystalline silicon substrate 1 of one conductivity type and satisfies a formula, A×B≤1.3×10^-5 (where A: thickness [m] of a crystalline silicon substrate, B: warpage [m^-1] of unit area of crystalline silicon substrate 1). - 特許庁

そして、（ｄ）非晶質シリコン膜４０にパルスレーザ光５０を照射し、当該非晶質シリコン膜４０を結晶化した微結晶シリコン膜４１を形成する工程と、（ｅ）ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１以外の微結晶半導体膜４１を除去する工程とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has the process (d) irradiating the amorphous silicon film 40 with pulse laser beams 50 and forming a crystallite silicon film 41 formed by crystallizing the amorphous silicon film 40 and the process (e) removing the crystallite semiconductor film 41 excepting the crystallite semiconductor film 41 on the upper side of the gate electrode 20. - 特許庁

支持基板１上に、透明電極２、非晶質シリコン膜を光活性層に用いる第１の光起電力素子３、反射膜４、微結晶シリコン膜を光活性層に用いる第２の光起電力素子５および裏面電極６が順に形成されている。例文帳に追加

A transparent electrode 2, a first photovoltaic element 3 where an amorphous silicon film is used as an optically active layer, a reflecting film 4, a second photovoltaic element 5 where a microcrystal silicon film is used as an optically active layer, and a back electrode 6, are successively formed on a support substrate 1. - 特許庁

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極の下層側に、前記画素電極に対向するように設けられた容量電極（７１）と、画素電極と容量電極との間に介在すると共に、窒化シリコン及び窒化酸化シリコンの少なくとも一方を含んでなる誘電体膜（７２）とを備える。例文帳に追加

The electro-optical apparatus has on a substrate (10): a pixel electrode (9); a capacity electrode (71) disposed on the lower layer side of the pixel electrode to face the pixel electrode; and a dielectric film (72) disposed between the pixel electrode and capacity electrode and containing at least silicon nitride or nitride silicon oxide. - 特許庁

本発明における光半導体集積回路装置およびその製造方法では、ホトダイオード表面に形成されたシリコン酸化膜を容量の下部電極表面のシリコン酸化膜を除去する際に同時に除去する。例文帳に追加

In the optical semiconductor integrated circuit device and the manufacturing method, a silicon oxide film formed on a photodiode surface is simultaneously removed at the time of removing the silicon oxide film on the lower electrode surface of the capacitor. - 特許庁

この溝４２に、ｉ型アモルファスシリコン層３４、ｎ型アモルファスシリコン層３５及びｎ側電極３６を順次埋め込んで、受光素子アレイを形成する。例文帳に追加

An i-type amorphous silicon layer 34, an n-type amorphous silicon layer 35 and an n-side electrode 36 are buried in the groove 42 one by one, and a photosensitive element array is formed. - 特許庁

シリコン半導体基板の非受光面にアルミニウムを主成分とする裏面電極層を形成した太陽電池において、ＢＳＦ効果を維持しつつシリコン半導体基板１１の反りを抑制する。例文帳に追加

To control curvature of a silicon semiconductor substrate 11 in a solar battery, while maintaining BSF effects, the solar battery that has formed a back electrode layer on a non-euphotic side of the silicon semiconductor substrate whose principal ingredient is aluminum. - 特許庁

次に、ゲート電極６が形成されている側から高強度の光を照射して、ゲート絶縁膜５を介して多結晶シリコン膜４をアニールし、多結晶シリコン膜４に導入した不純物を活性化する。例文帳に追加

Then, high-intensity light is applied from a side on which the gate electrode 6 is formed, a polycrystalline silicon film 4 is annealed via a gate insulating film 5, and impurities introduced to the polycrystalline silicon film 4 are activated. - 特許庁

シリコン基板上に集積化した波数マッチング構造と、第１表面が前記シリコン基板の低濃度にドープされた領域及びドープされていない領域のいずれかに隣接し、ショットキー接合を形成する、第１伝導性電極と、前記第１伝導性電極の第２表面に隣接する誘電体と、前記シリコン基板に形成される第２伝導性電極とを備える集積化光電センサを提供する。例文帳に追加

The integrated opto-electric sensor comprises a wavenumber matching structure integrated on a silicon substrate, a first conductive electrode that is adjacent to one of a lightly doped and an undoped region in the silicon substrate to form a Schottky junction, a dielectric adjacent to the second surface of the first conductive electrode, and a second conductive electrode formed at the silicon substrate. - 特許庁

薄膜光電変換装置１は、透明基板２と、この透明基板２上に形成された透明前面電極層３と、この透明電極層３上に形成された非単結晶シリコン系光電変換ユニット４と、この非単結晶シリコン系光電変換ユニット４上に形成された銀系裏面電極層５と、銀系裏面電極層５上に形成された裏面電極保護層６とを具備する。例文帳に追加

This device 1 is provided with a transparent substrate 2, a transparent front electrode layer 3 formed on the transparent substrate 2, a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4 formed on the electrode 3, a silver base rear electrode layer 5 formed on the a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4, and a rear electrode protective layer 6 formed on the silver base rear electrode layer 5. - 特許庁

光反射性金属膜（１２１）を含む裏面電極（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明前面電極（１４）とを備える。例文帳に追加

The silicon thin-film photoelectric conversion device is provide with a rear side electrode 12 containing a light-reflective metal film 121; a silicon thin-film photoelectric conversion unit 13 containing a one-conductivity type layer 131, a photoconductive layer 132 made of a crystalline silicon thin film, and an inverse-conductivity type layer 133; and a transparent front side electrode 14. - 特許庁

受光部１０Ａの第１のＭＯＳＦＥＴ２０Ａのゲート電極１７Ａは多結晶シリコンの単層構造である。例文帳に追加

A gate electrode 17A of a first MOSFET 20A in the light receiving part 10A has a single layer structure of polycrystalline silicon. - 特許庁

発光素子１０は、半導体基板１と、シリコン量子ドット２〜４と、絶縁膜５と、電極６を備える。例文帳に追加

A light-emitting element 10 comprises a semiconductor substrate 1, silicon quantum dots 2 to 4, an insulating film 5, and an electrode 6. - 特許庁

シリコン系光電変換素子上に、高精度の電極を容易に形成することができる太陽電池の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a solar cell in which a high-precision electrode can be easily formed on a silicon-based photoelectric converting element. - 特許庁

また、センサ素子の２つの電極の間には、受光部の非晶質シリコンと絶縁層が挟まれるような構造を採用する。例文帳に追加

In addition, a structure in which the amorphous silicon of the light reception part and an insulating layer are sandwiched between two electrodes of the sensor element is employed. - 特許庁

ｐ型非晶質シリコン膜上の周辺部を除く領域に、透明導電膜からなる受光面電極２が形成されている。例文帳に追加

In the region except the periphery of the p-type amorphous silicon film, a light receiving surface electrode 2 composed of a transparent conductive film is formed. - 特許庁

効果的に不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜をキャパシタの電極として使用した有機発光表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic light emitting diode display using a polycrystal silicon film effectively doped with impurities, as an electrode of a capacitor. - 特許庁

中間透明電極層６と第１光電変換層（シリコン層）３との界面に及び裏面透明電極層１０と第２光電変換層（シリコン層）７との界面に、夫々、厚さ５０〜１００ｎｍの第１及び第２バッファ層４，８を挿入する。例文帳に追加

First and second buffer layers 4 and 8 each having a thickness of 50-100 nm are inserted into an interface between an intermediate transparent electrode layer 6 and a first photoelectric conversion layer (silicon layer) 3 and into an interface between a back transparent electrode layer 10 and a second photoelectric conversion layer (silicon layer) 7, respectively. - 特許庁

支持基板１００上に、裏面金属電極３、微結晶シリコンを光電変換層に用いたボトムセル２００、非晶質シリコンを光電変換層に用いたフロントセル３００および表面透明電極１０が順に形成されている。例文帳に追加

In the stacked photovoltaic power apparatus, a rear face metallic electrode 3, a bottom cell 200 in which microcrystal silicon is used for a photoelectric conversion layer, a front cell 300 which uses an amorphous silicon for a photoelectric device layer, and a surface transparent electrode 10 are formed in this order on a supporting board 100. - 特許庁

透明前面電極膜（１２）と、一導電型層（１３１）、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層（１３２）および逆導電型層（１３３）を含むシリコン系薄膜光電変換ユニット（１３）と、透明裏面導電膜（１４）と、裏面金属電極膜（１５）とを備える。例文帳に追加

This transducer is provided with a transparent front electrode film 12, a silicon-based thin-film photoelectric conversion unit 13 which contains are conductivity type layer 131, a photoelectric conversion layer 132 composed of crystalline silicon-based thin-film, and an opposite conductivity type layer 133, a transparent rear conducting film 14, and a rear metal electrode film 15. - 特許庁

薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。例文帳に追加

The manufacturing method also includes steps of: forming a semiconductor layer 42 of a thin film transistor; forming a gate insulating film 2 on the semiconductor layer 42; forming an amorphous silicon layer 34A on the gate insulating films 2; and crystallizing the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer 34A with light to form a capacity electrode layer 34 made of polycrystalline silicon. - 特許庁

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。例文帳に追加

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1. - 特許庁

この有機半導体発光素子は、電子注入電極３および正孔注入電極４と、有機半導体部５と、酸化シリコン膜２と、これを挟んで有機半導体部５に対向するゲート電極１とを備えている。例文帳に追加

This organic semiconductor light emitting element comprises an electron injecting electrode 3, a hole injecting electrode 4, an organic semiconductor part 5, a silicon oxide film 2, and a gate electrode 1 which is put opposite to the semiconductor part 5 across the silicon oxide film 2. - 特許庁

半導体チップ５０には、シリコン基板１、集積回路部２、受光部３、層間絶縁膜４、樹脂層５、表面電極６、貫通電極８、裏面電極９、裏面保護膜１２、ボール端子１３が設けられる。例文帳に追加

In the semiconductor chip 50, there are provided a silicon substrate 1, an integrated circuit 2, an euphotic section 3, an interlayer insulating film 4, a resin layer 5, a front surface electrode 6, a through electrode 8, a rear surface electrode 9, a rear surface protective film 12, and a ball terminal 13. - 特許庁

不透明基板及び不透明電極を備えた場合であっても優れた光電変換特性を有する薄膜シリコン太陽電池を提供すること、及び不透明基板及び不透明電極を使用した場合であっても優れた光電変換特性を有する薄膜シリコン太陽電池を効率よくかつ簡便に得ることが可能な薄膜シリコン太陽電池の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin-film silicon solar battery having improved photoelectric conversion characteristics even if an opaque substrate and an opaque electrode is provided, and a method for manufacturing the thin-film silicon solar battery for obtaining the thin-film silicon solar battery having improved photoelectric conversion characteristics efficiently and easily even if the opaque substrate and the opaque electrode is used. - 特許庁