シリコン撮像装置の英語

反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device with further reduced reflection loss compared with a case where a silicon nitride film is employed as an antireflective film. - 特許庁

シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。例文帳に追加

To provide: a solid-state imaging device that suppresses deterioration in pixel characteristics due to a crystal defect caused in a silicon layer; a method of manufacturing the same; and a camera. - 特許庁

この固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板８と、ｎ型シリコン基板８上に、画素５ごとにそれぞれ複数設けられたゲート電極６とを備えている。例文帳に追加

This solid-state image pickup device is provided with an n-type silicon substrate 8 and a plurality gate electrodes 6 provided for pixel 5 on the substrate 8. - 特許庁

高感度のアモルファスシリコンフォトダイオードおよびその製造方法ならびにそのアモルファスシリコンフォトダイオードを用いた低被爆量型のＸ線撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-sensitivity amorphous silicon photodiode and manufacturing method thereof, and a low dosage type X-ray imaging apparatus employing the amorphous silicon photodiode. - 特許庁

シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device capable of reducing short-circuiting failures occurring between a silicon substrate and a conductor layer in a through electrode formed in a through hole of the silicon substrate. - 特許庁

そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。例文帳に追加

By removing the insulator layer on the rear surface side, a light receiving part of the silicon layer is exposed, to form a low-profile solid state image pickup device comprising a silicon substrate. - 特許庁

シリコン基板を用いた固体撮像装置であって、近赤外を含む波長帯域に実用上十分な感度特性を有する固体撮像装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging apparatus consisting of a silicon substrate and providing a sensitivity characteristic that is practically enough for a wavelength band including a near-infrared band. - 特許庁

上層部に光電変換膜を有し、下層部にシリコンからなる光電変換素子を有するハイブリッド型の固体撮像素子を含む撮像装置において、高品質のカラー画像データを生成可能にする。例文帳に追加

To generate high-quality color image data in an image pickup apparatus including a hybrid solid-state image pickup element having a photoelectric conversion film on an upper layer and a photoelectric conversion element made of a silicon on a lower layer. - 特許庁