シリコン撮像装置の英語

膜形成方法及び形成装置、並びにシリコン系膜、起電力素子及びそれを用いた太陽電池、センサー及び撮像素子例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING FILM, SILICON-BASED FILM, ELECTROMOTIVE FORCE ELEMENT AND SOLAR BATTERY THEREWITH, AND SENSOR AND IMAGING ELEMENT - 特許庁

そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。例文帳に追加

By removing the insulator layer on the rear surface side, a light receiving part of the silicon layer is exposed, to form a low-profile solid state image pickup device comprising a silicon substrate. - 特許庁

反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device with further reduced reflection loss compared with a case where a silicon nitride film is employed as an antireflective film. - 特許庁

シリコン層に結晶欠陥が生じて画素特性が悪化を抑制する固体撮像装置とその製造方法並びにカメラを提供する。例文帳に追加

To provide: a solid-state imaging device that suppresses deterioration in pixel characteristics due to a crystal defect caused in a silicon layer; a method of manufacturing the same; and a camera. - 特許庁

シリコン基板の貫通孔に形成される貫通電極において、シリコン基板と導電体層との間に発生するショート不良を低減することができる固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device capable of reducing short-circuiting failures occurring between a silicon substrate and a conductor layer in a through electrode formed in a through hole of the silicon substrate. - 特許庁

上層部に光電変換膜を有し、下層部にシリコンからなる光電変換素子を有するハイブリッド型の固体撮像素子を含む撮像装置において、高品質のカラー画像データを生成可能にする。例文帳に追加

To generate high-quality color image data in an image pickup apparatus including a hybrid solid-state image pickup element having a photoelectric conversion film on an upper layer and a photoelectric conversion element made of a silicon on a lower layer. - 特許庁

シリコン基板の表面におけるダングリングボンドを効果的に終端化することにより界面準位を低減し、暗電流が少ない固体撮像装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a solid-state image pickup element having a small dark current by effectively terminating dangling bond on the surface of a silicon substrate for reducing an interface level. - 特許庁

ＣＣＤ型固体撮像装置の製造方法では、シリコン基板１１の一方の主面上に絶縁膜１８を積層し、その上に、第１レンズ材料膜１９０を積層する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the optical semiconductor device, an insulating film 18 is laminated on one principal surface of a silicon substrate 11, and a first lens material film 190 is laminated thereupon. - 特許庁