シリコン整流器の英語

前記第一のダイオードと前記ＭＯＳトランジスタは、ＥＳＤの放電経路を与えるための寄生シリコン制御整流器（ＳＣＲ）を形成する。例文帳に追加

The first diode and the MOS transistor form a parasite silicon-controlled rectifier (SCR) to provide a discharge path for ESD. - 特許庁

静電気放電（ＥＳＤ）シリコン制御整流器（ＳＣＲ）構造体のための設計構造体及び方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a design structure and a method for an electrostatic discharge (ESD) silicon controlled rectifier (SCR) Structure. - 特許庁

該点弧角の下限値に基づいて位相制御器３２において前記シリコン制御整流素子の点弧角を制御する。例文帳に追加

Based on the lower limit value of the ignition angle, the ignition angle of the silicon control rectifying element is controlled by a phase controller 32. - 特許庁

コンバータは、電力開閉器の各対は、シリコンカーバイド制御整流器５００と逆並列に接続された逆阻止電力開閉器４５４を含む。例文帳に追加

Each pair of power switches of the converter includes an inversion-prevention power switch 454 connected in reverse parallel to a silicon carbide control rectifier 500. - 特許庁

本発明は、シリコン制御整流調光器および／または標準的な照明スイッチと共に使用されるように適応され、それによって、構造が新規であり、２つの所定の確実な操作モードで調光を行うことも可能である。例文帳に追加

The ballast is adapted so as to be used together with a silicon controlled rectifier dimmer and/or a standard lighting switch, and thereby, the structure is new and it can also carry out dimming with two steady prescribed operation modes. - 特許庁

界磁電流検出器９１及び初期励磁電圧検出器９２によって夫々検出された界磁電流及び界磁電圧から、界磁抵抗関数器９３によって界磁抵抗を求め、これに基づいてリミッタ９４によって電力変換器３１のシリコン制御整流素子の点弧角の下限値を求める。例文帳に追加

According to a field current and a field voltage which is detected by a field current detector 91 and an initial excitation voltage detector 92, respectively, field resistance is obtained by field resistance function equipment 93, and the lower limit value of an ignition angle of the silicon control rectifying element of a power converter 31 is obtained by a limiter 94 based on the field resistance. - 特許庁