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意味・対訳 シリコン整流器
「silicon rectifier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION SILICON CONTROLLED RECTIFIER (ESD-SCR) FOR SILICON GERMANIUM TECHNOLOGIES例文帳に追加
シリコン・ゲルマニウム技術のための静電放電保護シリコン制御整流器(ESD−SCR) - 特許庁
DESIGN STRUCTURE AND METHOD FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE SILICON CONTROLLED RECTIFIER STRUCTURE例文帳に追加
静電気放電シリコン制御整流器構造のための設計構造体及び方法 - 特許庁
A silicon-controlled rectifier 103 comprises a N-doped layer on a substrate and the first P-doped region on it.例文帳に追加
SCR103は、基板上のN-ドープト層と、その上の第一Pドープト領域とを含む。 - 特許庁
To provide an electrostatic breakdown protection device, having a silicon controlled rectifier for protecting an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路保護用の、シリコン制御式整流器を有する静電破壊保護デバイスを提供する。 - 特許庁
Activation of a solenoid coil 34 is controlled with an adequate switching element such as a silicon control rectifier.例文帳に追加
ソレノイド・コイル34の付勢は、シリコン制御整流器のような適当なスイッチング素子によって制御する。 - 特許庁
To provide a method of driving a metal oxide silicon (MOS) type rectifier which solves the problems due to bidirectional conduction characteristics that are inherent in a metal oxide silicon field transistor (MOSFET).例文帳に追加
MOSFET特有の双方向導通特性に起因する問題点を解消したMOS型整流器の駆動方法を提供する。 - 特許庁
The first N^+-doped region, the first P-doped region and the N-doped layer form the vertical NPN transistor 131 of the silicon controlled rectifier 103.例文帳に追加
第一N+ドープト領域、第一P-ドープト領及びN-ドープト層は、SCR103のバーティカルNPNトランジスタ131を形成する。 - 特許庁
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「silicon rectifier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
To provide a design structure and a method for an electrostatic discharge (ESD) silicon controlled rectifier (SCR) Structure.例文帳に追加
静電気放電(ESD)シリコン制御整流器(SCR)構造体のための設計構造体及び方法を提供すること。 - 特許庁
The second P-doped region, the N-doped layer and the first P-doped region form the lateral PNP transistor 132 of the silicon- controlled rectifier 103.例文帳に追加
第二Pドープト領域、N-ドープト層及び第一Pドープト領域は、SCR103のラテラルPNPトランジスタ132を形成する。 - 特許庁
A switch signal is supplied based on a pulse width modulation technique by a control panel to the inversion-prevention power switch and the silicon carbide control rectifier, and the DC link is precharged while the inversion-prevention power switch and the silicon carbide control rectifier are switched between the on position and the off position.例文帳に追加
切換信号が前記逆阻止電力開閉器とシリコンカーバイド制御整流器にパルス幅変調技法に基づいて制御パネルにより供給され、オン位置とオフ位置の間を逆阻止電力開閉器と前記シリコンカーバイド制御整流器とを切り換えて直流リンクをプリチャージする。 - 特許庁
The first diode and the MOS transistor form a parasite silicon-controlled rectifier (SCR) to provide a discharge path for ESD.例文帳に追加
前記第一のダイオードと前記MOSトランジスタは、ESDの放電経路を与えるための寄生シリコン制御整流器(SCR)を形成する。 - 特許庁
At least a strain sensor, an amplifier circuit, an analogue/digital converter, a rectifier, a detector, a modulator-demodulator circuit, and a communication control part are formed on the same silicon substrate.例文帳に追加
少なくともひずみセンサと増幅回路、アナログ/デジタルコンバータ、整流・検波・変復調回路部、通信制御部を同一のシリコン基板上に形成する。 - 特許庁
Each pair of power switches of the converter includes an inversion-prevention power switch 454 connected in reverse parallel to a silicon carbide control rectifier 500.例文帳に追加
コンバータは、電力開閉器の各対は、シリコンカーバイド制御整流器500と逆並列に接続された逆阻止電力開閉器454を含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device ensuring reliable electrostatic discharge protection characteristics in a high density integrated circuit by lowering the trigger voltage, more specifically a silicon controlled rectifier element(SCR).例文帳に追加
トリガ電圧を低下させ、高密度の集積回路で信頼性ある静電放電保護特性を得られる半導体装置、具体的にはシリコン制御整流素子(SCR)を提供すること。 - 特許庁
An AC1, a temperature fuse TF(10), a current fuse IF(9), a secondary wire (3). the anode A and cathode K of a silicon controlled rectifier SCR(14), and a primary wire (2) are connected in series in this order, as shown in the circuit diagram of the figure 4.例文帳に追加
図4の回路図のように(イ)AC1→温度ヒューズTF(10)→電流ヒューズIF(9)→二次線(3)→シリコン制御整流素子SCR(14)のアノードA、カソードK→一次線(2)→AC2を直列に接続する。 - 特許庁
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