スカンジウム薄膜の英語

発光管１の石英ガラス内表面に酸化スカンジウムと酸化珪素の混合物又はスカンジウム珪酸塩からなる層を、スカンジウムの含有率が表面から深さ方向に減少するように形成し、その上に酸化スカンジウムからなる薄膜を形成する。例文帳に追加

In this method, a layer composed of a scandium silicate or a mixture of a scandium oxide with a silicon oxide is formed on the inner surface of a silica glass of an arc tube 21 so as to reduce a percentage content of a scandium in the direction from the surface to the depth and a thin film composed of the scandium oxide is formed thereon. - 特許庁

スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜において、スカンジウムの含有率が３５〜４０原子％の範囲であっても、スカンジウムを含有させない場合と比較して圧電応答性が低下しない圧電体薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a piezoelectric thin film having an aluminum nitride thin film containing scandium, the piezoelectric response of which is not reduced in comparison with the case where the scandium is not contained even when the content rate of the scandium is in a range of 35-40 atom%. - 特許庁

本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。例文帳に追加

A method of manufacturing a piezoelectric thin film with an aluminum nitride thin film containing scandium, includes a sputtering process wherein sputtering is carried out with aluminum and scandium in an atmosphere including at least nitrogen gas. - 特許庁

薄膜の組成を長時間一定に保ちながら、スカンジウムアルミニウム窒化物膜を製造する方法を実現する。例文帳に追加

To achieve a method that manufactures a scandium aluminum nitride film, while keeping a film composition constant for long periods of time. - 特許庁

少なくともバリウムとスカンジウムを含む複合酸化物からなる電子放射物質を多孔質金属基体中に含浸させた含浸型陰極において、前記複合酸化物中のスカンジウム原子の含有量が０．０１ｍｏｌ％以上、１ｍｏｌ％以下で、かつ前記多孔質金属基体表面に金属薄膜を有さない含浸型陰極とする。例文帳に追加

In an impregnated type cathode which is formed by impregnating the electron emission material consisting of compound oxide including at least barium and scandium into porous metal bases, the content of scandium atoms in the compound oxide is not less than 0.01 mol%, nor more than 1 mol%, and also the cathode has not a metal thin film on the porous metal base surface. - 特許庁