ダイの厚さの英語

前記ダイヤモンド膜４の膜厚は１μｍ以上３０μｍ以下とする。例文帳に追加

The film thickness of the diamond film 4 is 1-30 μm. - 特許庁

ダイアフラム基体５をダイアフラム部５ａと、ダイアフラム部５ａの外側に形成されてダイアフラム部５ａより厚みが厚い環状の厚肉部５ｂと、厚肉部５ｂから収納ケース１５の周壁部１９に向かって突出する環状の鍔部５ｃとにより一体に形成する。例文帳に追加

A diaphragm substrate 5 is composed, in one piece, of a diaphragm part 5a, an annular thick part 5b that is formed outside the diaphragm part 5a and is thicker than the diaphragm part 5a, and an annular collar part 5c that projects from the thick part 5b to a peripheral wall part 19 of an accommodation case 15. - 特許庁

ダイアフラムの絶縁物の厚さを高めることなく、ダイアフラムの破壊耐圧を向上させたセンサおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sensor in which the breakdown strength of a diaphragm is enhanced without increasing the thickness of an insulator for the diaphragm and to provide its manufacturing method. - 特許庁

導電性シリコン基板１上に形成されたダイアフラム２の大きさ及び厚さ、ダイアフラムと固定電極３との間隔を限定する。例文帳に追加

The size and thickness of a diaphragm 2 formed on a conductive silicon substrate 1 and the interval between the diaphragm and a fixed electrode are limited. - 特許庁

銅板の厚みは、リード端子２３１と接合材２２０を含むダイオードチップ２１０の厚みを足した厚みとほぼ同一とした。例文帳に追加

The thickness of the copper plate is made substantially the same as the thickness of the diode chip 210 which includes the lead terminal 231 and the junction material 220. - 特許庁

メタルダイアフラム３４とハウジング３０の一面３０ｂとの間に、メタルダイアフラム３４よりも厚肉のリングプレート３５ｂを配置する。例文帳に追加

Between the metal diaphragm 34 and one face 30b of the housing 30, a ring plate 35b thicker than the metal diaphragm 34 is disposed. - 特許庁

さまざまなチャネルの大きさおよび壁厚を有するハニカム体を生産するための押出ダイ、および押出ダイを製造する方法。例文帳に追加

To provide an extrusion die for producing a honeycomb body having sizes and wall thickness of various channels; and to provide a method of manufacturing the extrusion die. - 特許庁

使用する押出ダイスのオス型のダイスを全体の厚さの２０〜４０％とし、ダイス外径に対しポート径を５５〜８０％とする事を特徴とする製品１本押出用コンフォーム式押出ダイス。例文帳に追加

A conform type extrusion die for extruding one product is provided, wherein the male die in the extrusion die to be used is controlled to 20 to 40% of the thickness of the whole, and the diameter of a port to the outside diameter of the die is controlled to 55 to 80%. - 特許庁