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チャネル反転層の英語
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英訳・英語 channel inversion
「チャネル反転層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
また、表面チャネル層５がｐ型に反転することを防止することができる。例文帳に追加
The surface channel layer 5 can be prevented from being converted into a P-type. - 特許庁
ゲート電極２１２は、中央のＭＯＳ構造が反転されて表面反転層（チャネル）が形成されるように、所定の電圧を印加される。例文帳に追加
A predetermined voltage is applied to the gate electrode 212 so that a MOS structure in the center is reversed to form a surface reversed layer (channel). - 特許庁
ＳｉＣ−ＩＧＢＴは、ゲート絶縁膜とベース層との界面の表面準位の影響によって、反転型チャネルのチャネル抵抗が高くオン電圧が高いが、このオン電圧を低くすることが求められている。例文帳に追加
To lower on-voltage of SiC-IGBT, whose inverted channel's channel resistance is high due to the influence from the surface level of the interface between a gate insulation film and a base layer, and whose on-voltage is high. - 特許庁
適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。例文帳に追加
When a bias of appropriate polarity and a sufficient size is given to the gate electrode, an inversion layer is formed in the channel. - 特許庁
浮遊ゲートのフリンジ電界によって、第１の方向で隣り合う浮遊ゲート間の下のチャネル領域の表面に反転層が形成される。例文帳に追加
The fringe field of the floating gates forms an inversion layer on surfaces of the channel regions under the floating gates adjacent in the first direction. - 特許庁
チャネル形成領域が、第２導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域（ＣＨ１をなす基板ＳＵＢの表面領域）と、第１導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域ＡＣＬａ，ＡＣＬｂとからなる。例文帳に追加
The channel forming regions are constituted of an inverted layer forming region (a surface region of a substrate SUB which constitutes the CH1) which is composed of second conductivity semiconductor and in which a channel is formed of an inverted layer, and accumulation layer forming regions ACLa, ACLb which are composed of first conductivity semiconductor and in which channels are formed of storage layers composed of majority carrier. - 特許庁
バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。例文帳に追加
To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain. - 特許庁
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「チャネル反転層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。例文帳に追加
When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42. - 特許庁
半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。例文帳に追加
The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor. - 特許庁
伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。例文帳に追加
The two-layer graphene films contributing to a conduction is used for the channel, a fixed electric charge is introduced to the channel, and also a top gate or dual gate type gate electrode is configured so that an electric field can be applied to a vertical direction to the channel, to form a field-effect type transistor of an inverting type or normally-on type operation. - 特許庁
これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。例文帳に追加
Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b. - 特許庁
ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。例文帳に追加
When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204. - 特許庁
続いて、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ側をレジストによってマスクしたのち、イオン注入を行いｎ^-型層を反転させてｐ^-型層１１を形成する。例文帳に追加
After having masked the side of an n cannel MOSFET by means of a resist successively, the n type layer is reversed by implanting ions and a p type layer 11 is then formed. - 特許庁
画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。例文帳に追加
A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving. - 特許庁
つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。例文帳に追加
ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8. - 特許庁
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