「チャネル反転層」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

チャネル形成領域が、第２導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域（ＣＨ１をなす基板ＳＵＢの表面領域）と、第１導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域ＡＣＬａ，ＡＣＬｂとからなる。例文帳に追加

The channel forming regions are constituted of an inverted layer forming region (a surface region of a substrate SUB which constitutes the CH1) which is composed of second conductivity semiconductor and in which a channel is formed of an inverted layer, and accumulation layer forming regions ACLa, ACLb which are composed of first conductivity semiconductor and in which channels are formed of storage layers composed of majority carrier. - 特許庁

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain. - 特許庁

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。例文帳に追加

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42. - 特許庁

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor. - 特許庁

伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。例文帳に追加

The two-layer graphene films contributing to a conduction is used for the channel, a fixed electric charge is introduced to the channel, and also a top gate or dual gate type gate electrode is configured so that an electric field can be applied to a vertical direction to the channel, to form a field-effect type transistor of an inverting type or normally-on type operation. - 特許庁

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。例文帳に追加

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b. - 特許庁

ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。例文帳に追加

When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204. - 特許庁

続いて、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ側をレジストによってマスクしたのち、イオン注入を行いｎ^-型層を反転させてｐ^-型層１１を形成する。例文帳に追加

After having masked the side of an n cannel MOSFET by means of a resist successively, the n type layer is reversed by implanting ions and a p type layer 11 is then formed. - 特許庁

画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。例文帳に追加

A conductive layer facing a region from a channel end to a drain part of a pixel switching element 10 is formed in such a manner that the potential of the above described region and the potential of the conductive layer facing the region have the same potential during inversion driving. - 特許庁

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。例文帳に追加

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8. - 特許庁

ＳｉＣのｎチャネルＭＯＳ半導体素子において、反転層の移動度を向上させて、オン抵抗が低く、しかも製造の容易なＭＯＳ半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide n channel MOS semiconductor device whose ON resistance is low and which can be manufactured easily by improving the mobility of an inverse layer therein. - 特許庁

反転層における電子の移動度μは、ｐ型ボディ領域２２のチャネル領域２９におけるアクセプタ濃度Ｎ_ａの逆数に比例する状態よりも強くアクセプタ濃度Ｎ_ａに依存する。例文帳に追加

Mobility μ of electrons in the inversion layer depends on an acceptor concentration N_a more strongly than in a state in proportion to an inverse of the acceptor concentration N_a in a channel region 29 of the p-type body region 22. - 特許庁

第２ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、基板領域１ａとポケット領域９の不純物濃度によって定まるので、低濃度の基板領域１ａをチャネル領域として利用することで、空乏層容量が小さくなり、サブスレッショルド特性を改善し、リーク電流を低減できる。例文帳に追加

The inversion voltage of the second nMOSFET is decided by impurity concentration of the substrate area 1a and the pocket area 9, so, by utilizing the low-concentration substrate area 1a as a channel area, a depletion layer capacity becomes less, resulting in improved sub-threshold characteristics and a reduced leak current. - 特許庁

２つのソース・ドレイン領域間の第１導電型半導体領域が、少数キャリアの反転層によりチャネルが形成される第１の領域２ｃｈと、第１の領域２ｃｈの一方の側で第１の領域２ｃｈとソース・ドレイン領域３Ａとの間に形成され、第１の領域２ｃｈより濃度が高い第２の領域７と、を含む。例文帳に追加

The first conductive semiconductor region between two pieces of source drain regions comprises the first region 2ch whose channel is formed of the conversion layer of a small number of carriers, and a second region 7 formed between the first region 2ch and the source drain region 3A at one side of the first region 2ch and higher in density than that of the first region 2ch. - 特許庁