バイアススパッタ法の英語

次にＳｉあるいはＴａ_２Ｏ_５などの高屈折率材とＳｉＯ_２のような低屈折率材の交互多層膜をバイアススパッタ法で積層する。例文帳に追加

Subsequently, an alternating multilayer film of a high refractive index material such as Si or Ta_2O_5 and a low refractive index material such as SiO_2 is formed by bias sputtering. - 特許庁

第１の導電膜１８を覆うように圧電基板１０の上に誘電体層２０をバイアススパッタリング法により形成する。例文帳に追加

A dielectric layer 20 is formed by a bias-sputtering method on the piezoelectric substrate 10 to cover the first conductive film 18. - 特許庁

凹部１１ｂ内にＴｉＯ_2からなる高屈折率を有する誘電体膜１６をバイアススパッタ法により平坦化埋め込みした。例文帳に追加

A dielectrics film 16 which is made of TiO_2 and has high refractive index is buried by flattening in the recessed part 11b by a bias sputtering method. - 特許庁

絶縁基板1 上に発熱抵抗体層3 及び一対の導電層4,4 を順次被着させるとともに、これらを保護層5 にて被覆して成るサーマルヘッドの製造方法であって、前記保護層5 は少なくとも３層構造を有し、上層5c及び下層5aをノンバイアススパッタリング法で、中層5bをバイアススパッタリングで形成する。例文帳に追加

In a method for manufacturing a thermal head by forming a resistor layer 3 and a pair of conductive layers 4, 4 sequentially on an insulating substrate 1 and coating them with a protective layer 5, the protective layer 5 has at least three layer structure including upper and lower layers 5c, 5a formed by non-bias sputtering and an intermediate layer 5b formed by bias sputtering. - 特許庁

バイアススパッタ法により絶縁基板上に各種の層を積層して、アルミ基板を用いた磁気記録媒体同等の磁気および電磁変換特性を達成することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium that can realize a magnetic and electromagnetic transducing characteristics equivalent to a magnetic recording medium using an aluminum substrate, by laminating various layers on an insulating substrate by a bias spatter method. - 特許庁

支持基板１上において、少なくともヒータ層２とその周辺の電極層３の一部を保護被覆するように形成される保護被覆層４を積層構造とし、かつ、そのうちの一層をバイアススパッタ法（又はＣＶＤ法）で形成する。例文帳に追加

At least a heater layer 2 and the protective coating layer 4 formed so as to protect and cover a part of the electrode layer 3 in the periphery of the heater layer 2 to form a laminated structure and one layer among those layers is formed on the support substrate 1 by a bias sputtering method (or a CVD method). - 特許庁

少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a film comprises: a stage where a substrate having first and second regions in which at least either is made of oxide, and also, which are made of mutually different materials is prepared; and a stage where a film is selectively deposited on either the first region or the second region by a bias sputtering process. - 特許庁

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering. - 特許庁