bias sputteringとは 意味・読み方・使い方

To form an insulating film good in insulating pressure-resistance on a substrate by high frequency bias sputtering.例文帳に追加

高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること - 特許庁

To normally apply bias voltage to a substrate even when sputtering is repeated many times in the sputtering for depositing a conductive film while applying the bias voltage to the substrate.例文帳に追加

基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板９に印加されるようにする。 - 特許庁

During the zero voltage portion, the sputtering from the target is stopped, and the reverse sputtering is generated from the substrate by the bias on the substrate.例文帳に追加

ゼロの電圧部分の間は、ターゲットからのスパッタリングが止まる一方で、基板上のバイアスにより基板から逆スパッタリングが起こる。 - 特許庁

As a result of the simultaneous sputtering, the insulating property of the bias layer 5 is increased and the conductance is lowered.例文帳に追加

このように、同時にスパッタすることにより、バイアス層５絶縁性が大きくなり、コンダクタンスが下がる。 - 特許庁

This sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film comprises a vacuum tank for maintaining the film deposition pressure, a vacuum pump for evacuating the vacuum tank, a power source for performing the sputtering, a gas introduction system required for the sputtering, a bias power source for applying the bias to a substrate, and an introduction unit for applying the bias to a predetermined part of the film surface.例文帳に追加

成膜圧力を保持する為の真空槽、真空槽を排気する為の真空ポンプ、スパッタリングを行う為の電源、スパッタリングに必要なガス導入システム、基板にバイアスを印加させる為のバイアス電源、膜表面の特定部分にバイアスを印加する為の導入部で構成される圧電素子膜製造スパッタリング装置。 - 特許庁

To increase the ratio of the sputtering ionization of a non-SSS material and thereby to promote the filling of a deep hole by a pedestal of an external bias or a self-bias.例文帳に追加

非ＳＳＳ材料のスパッタリングイオン化の割合を増大させ、これにより外部バイアスあるいはセルフバイアスのぺデスタルによって深いホール充填を促進する。 - 特許庁

To provide a high-quality magnetoresistive thin film by using a method for controlling self bias of a high-frequency sputtering device.例文帳に追加

高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment device where the application of bias voltage upon sputtering treatment to the substrate to be treated and power supply upon etching treatment by a sputtering process can be satisfactorily performed.例文帳に追加

被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。 - 特許庁