バイアス抵抗器の英語

−Ｖ電源と第１の入力端子７ａの間はバイアス抵抗器９が接続されている。例文帳に追加

Between a -V electric source and the 1st input terminal 7a is connected with a bias resistor 9. - 特許庁

少なくとも２つの異なった抵抗状態を有するメモリ用センス増幅器バイアス回路例文帳に追加

SENSE AMPLIFIER BIAS CIRCUIT FOR MEMORY HAVING AT LEAST TWO DIFFERENT RESISTIVE STATE - 特許庁

バイアス安定用抵抗器（Ｒbs）の抵抗値をローパスフィルタ（２０）の出力インピーダンス（Ｚout）のインピーダンス値と等しくする（Ｒbs＝Ｚout）。例文帳に追加

A resistance of a bias stabilizing resistor (Rbs) is made equal to the output impedance (Zout) of a low-pass filter 20 (Rbs=Zout). - 特許庁

第２の抵抗器２の抵抗値は小値であり、その微調整により、ＦＥＴ６のバイアス調整が行われる。例文帳に追加

The resistance value of the second resistor 2 is a small value and by finely controlling that value, the bias control of the FET 6 is performed. - 特許庁

磁気検出器１３は、磁気抵抗素子２１と、磁気抵抗素子２１にバイアス磁界を印加する磁石Ｍ１とを内蔵している。例文帳に追加

The magnetic detector 13 comprises a magnetoreluctance element 21, and a magnet M1 for applying a bias field to the magnetoreluctance element 21. - 特許庁

バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも２個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された２個以上の抵抗のうち２個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。例文帳に追加

The bias circuit for use with a receiving amplifier is so constructed that a resistor is connected in series between a drain electrode of a field effect transistor and a drain bias terminal, at least two resistors are connected in series between the drain electrode and a gate bias terminal, and a junction connecting two of the two or more series-connected resistors is connected to a gate electrode. - 特許庁

負の定電圧Ｖggを、トリマブル抵抗である抵抗Ｒ１と正の温度係数を有する固定抵抗である抵抗Ｒ２の直列回路からなるゲートバイアス回路３で分圧して、高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴ２のゲートにゲートバイアス電圧Ｖgqとして印加するようにした。例文帳に追加

A constant negative voltage Vgg is divided by a gate bias circuit 3 composed of a serial circuit of a resistor R1 which is a trimmable resistor and a resistor R2 which is a fixed resistor having a positive temperature coefficient, and applied to the gate of a GaAs FET 2 comprising the high frequency amplifier as a gate bias voltage Vgq. - 特許庁

圧電振動子と電圧可変容量素子が直列に接続され、その接続点がバイアス抵抗を介して接地されている回路構成の電圧制御圧電発振器では、周波数可変幅および負性抵抗が前記バイアス抵抗の抵抗値によって変化し、さらに周波数特性を持つため広い周波数範囲をカバーするような最適なバイアス抵抗値を決めることができない。例文帳に追加

To solve the problems that an optimum bias resistance value so as to cover a wide frequency range can not be decided because frequency variable width and negative resistance are changed due to the resistance value of bias resistance and a frequency characteristic is further is held in a voltage controlled piezo-oscillator of a circuit configurations where a piezoelectric resonator and a voltage variable capacitive element are serially connected and the connection is grounded through a bias resistor. - 特許庁