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バイアス検査の英語
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「バイアス検査」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor inspection apparatus and a semiconductor inspection method capable of inspecting a semiconductor device appropriately in a bias-free state. - 特許庁
そして,微小欠陥の検査では,アノード電極11と破壊検出電極31との間に検査バイアスを印加する。例文帳に追加
In a minute defect inspection process, an inspection bias voltage is applied between the anode electrode 11 and the insulation breakdown detecting electrode 31. - 特許庁
専用検査器を必要とせず、コンデンサ1個当たりに要する検査時間を短縮してDCバイアス−容量特性を計測する。例文帳に追加
To measure DC bias-capacitance characteristics by shortening the inspection time necessary per capacitor without need for a dedicated inspecting instrument. - 特許庁
X線変換膜へのバイアス電圧の印加を停止することなく、分極に起因する検査精度の低下を回避し得る、物品検査装置を得る。例文帳に追加
To obtain an article inspection device avoiding the lowering of inspection precision caused by polarization without stopping the application of bias voltage to an X-ray conversion film. - 特許庁
ハードバイアス層の磁化方向を安定にした状態で特性を検査することができる薄膜磁気ヘッドの検査方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for inspecting a thin film magnetic head whose characteristic can be inspected in the state in which the magnetization direction of a hard bias layer is stabilized. - 特許庁
このイオン下で検査プローブに直流検査信号(バイアス電圧及び検査信号電圧)を印加した放電を利用して、検査用プローブと検査対象との電気的な導通を図る検査支援システムであり、このシステムを搭載して、検査信号を印加及び取得して回路配線の導通検査における良不良を判定する回路検査装置である。例文帳に追加
A circuit inspection device is equipped with this system to determine the proprieties in the conductivity inspection of circuit wiring, by applying and acquiring the inspection signal. - 特許庁
上記バイアス電圧依存性は、好適には、選別対象のツェナーダイオードのバイアス電圧を掃引し、検出される検波雑音電圧を縦軸に、バイアス電圧を横軸として特性曲線を二次元表示することによって検査される。例文帳に追加
The dependence is inspected by two-dimensionally displaying a characteristic curve, wherein an abscissa axis is a rectified noise voltage to be detected and an ordinate axis is a bias voltage, by sweeping the bias voltage of the diode to be selected. - 特許庁
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「バイアス検査」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
逆バイアス電圧の印加状態で発生する雑音出力のバイアス電圧依存性を検査することにより、ツェナーダイオードの選別が行われる。例文帳に追加
A Zener diode is selected by inspecting a bias voltage dependence of a noise output generated in the state that a reverse bias voltage is applied. - 特許庁
ストレス印加工程S5は、第1のリーク検査工程S4により印加された前記第1の逆バイアス電圧以上の第2の逆バイアス電圧を印加する。例文帳に追加
In a stress impression process S5, a second reverse bias voltage higher than the first reverse bias voltage impressed in the first leak inspection process S4 is impressed. - 特許庁
第2のリーク検査工程S6は、ストレス印加工程S5後に、前記第1の逆バイアス電圧と略同等な第3の逆バイアス電圧を印加し、第2の漏れ電流値を計測する。例文帳に追加
In a second leak inspection process S6, a third reverse bias voltage substantially equal to the first reverse bias voltage is impressed after the stress impression process S5 for measuring a second leak current value. - 特許庁
各検査位置において、チップ27と半導体デバイス構造30との間に印加されるバイアス電圧を変動させる。例文帳に追加
At each inspection position, a bias voltage applied between a chip 27 and a semiconductor device structure 30 is changed. - 特許庁
そして、回転現像ユニットを手作業で動かしながら検査用治具500をセットし、現像器と転写ドラムとのバイアス電圧を測定していく。例文帳に追加
The inspecting jig 500 is set while moving manually the rotation development unit, to measure a bias voltage between a developer and a transfer unit. - 特許庁
検査と判定を自動化し、目視判定のバイアスを回避し、呈色反応検査をCCD画像で入力し、画像処理を経て、判定結果を表示・記録する。例文帳に追加
To automate inspection and determination, to avoid a bias in visual determination, to input color reaction inspection by a CCD image, and to display and record a determined result through image processing. - 特許庁
半導体デバイスSに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスSのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光L1による2次元走査を行う。例文帳に追加
The semiconductor device S is inspected in a bias-free state using electromagnetic waves generated by the irradiation of pulse laser beams, an inspection range is set by referring to layout information for the semiconductor device S, and two-dimensional scanning is performed by inspection light L1 of the pulse laser beams within the range. - 特許庁
鉄系構造物もバイアス磁界に対し磁気回路の一部となり、バイアス磁界の強さが鉄系構造物の傷・腐食・減肉の程度に応じて変化し、その出力変化から鉄系構造物の欠陥の程度を検査する。例文帳に追加
The iron-based structure serves as part of a magnetic circuit with respect to the bias magnetic field, the intensity of the bias magnetic field varies according to the degree of a flaw/corrosion/thickness reduction of the iron-based structure, and the degree of a defect of the iron-based structure is inspected according to the output variation. - 特許庁
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