バルクシリコンの英語

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。例文帳に追加

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process. - 特許庁

ｉｎ ｖｉｔｒｏ実験は、擬似体液溶液に液浸した時、ある種の有孔シリコンが該有孔シリコン２０と近接領域のバルクシリコン２２の両方にアパタイト沈着物の沈着を生じさせることを示した。例文帳に追加

In vitro experiments have shown that certain types of porous silicon cause the deposition of apatite to deposit both on the porous silicon 20 and neighboring areas of bulk silicon 22 when immersed in a simulated body fluid solution. - 特許庁

ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３上にシリコン酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化膜２２上に回路パターンを形成すべき活性シリコン層２１を形成して構成される。例文帳に追加

An SOI substrate W2 is constituted, by forming a silicon oxide film 22 on a bulk silicon layer 23 and on an active silicon layer 21 used for forming a circuit pattern on the oxide film 22. - 特許庁

バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a false SOI substrate wafer wherein insufficient high-frequency characteristic of a bulk silicon substrate, complicated process of manufacturing an SOI substrate and gettering characteristic are improved, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＭＯＳキャパシタ１３のゲート絶縁膜２０の膜質劣化を防止でき、バルクシリコン基板に形成する場合と同等の歩留で形成できるようになる。例文帳に追加

A gate insulating film 20 of a MOS capacitor 13 can be prevented from deterioration in film quality and formation in the same yield as formation on a bulk silicon substrate is enabled. - 特許庁

層転写プロセスに用いてＳＯＩ基板を作製するのに用いられるバルクシリコン基板中の潜在的結晶欠陥を予防的に顕在化させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of preemptively revealing a potential crystalline defect in a bulk silicon substrate used in manufacturing an SOI substrate using a layer transfer process. - 特許庁

誘電性絶縁部層２’によって被覆されているバルクシリコンウエハ基板１’上に島状の各活性エリア１０を互いに隣り合うようにそれぞれ設定する。例文帳に追加

Each active area 10 with an island shape is provided mutually adjacent on a bulk silicon wafer substrate 1' covered with a dielectric insulating layer 2'. - 特許庁

バルクシリコン使用のレイアウト資産をＳＯＩデバイスへ使用する際に最小限のレイアウト変更により、レイアウト面積の増加を抑制しつつ抵抗素子を形成することを可能とする。例文帳に追加

To enable formation of a resistive element, while suppressing increase in the layout surface area caused by a minimum layout modification, when a layout property of bulk silicon use is used for an SOI (silicon-on-insulator) device. - 特許庁