「バルクシリコン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

高価のＳＯＩウエハーを用いることなく、バルクシリコンウエハーを用いて、さらに向上した半導体素子を製造することが可能な方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a further improved semiconductor device using a bulk silicon wafer without using an expensive SOI wafer. - 特許庁

バルクシリコンプロセスに使用した際にボディータイ用拡散層上に形成されていたコンタクト孔を削除する。例文帳に追加

A contact hole already formed on a diffusion layer for body tie, when used in a bulk silicon process, is removed. - 特許庁

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。例文帳に追加

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process. - 特許庁

ｉｎ ｖｉｔｒｏ実験は、擬似体液溶液に液浸した時、ある種の有孔シリコンが該有孔シリコン２０と近接領域のバルクシリコン２２の両方にアパタイト沈着物の沈着を生じさせることを示した。例文帳に追加

In vitro experiments have shown that certain types of porous silicon cause the deposition of apatite to deposit both on the porous silicon 20 and neighboring areas of bulk silicon 22 when immersed in a simulated body fluid solution. - 特許庁

ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３上にシリコン酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化膜２２上に回路パターンを形成すべき活性シリコン層２１を形成して構成される。例文帳に追加

An SOI substrate W2 is constituted, by forming a silicon oxide film 22 on a bulk silicon layer 23 and on an active silicon layer 21 used for forming a circuit pattern on the oxide film 22. - 特許庁

バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a false SOI substrate wafer wherein insufficient high-frequency characteristic of a bulk silicon substrate, complicated process of manufacturing an SOI substrate and gettering characteristic are improved, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＭＯＳキャパシタ１３のゲート絶縁膜２０の膜質劣化を防止でき、バルクシリコン基板に形成する場合と同等の歩留で形成できるようになる。例文帳に追加

A gate insulating film 20 of a MOS capacitor 13 can be prevented from deterioration in film quality and formation in the same yield as formation on a bulk silicon substrate is enabled. - 特許庁

層転写プロセスに用いてＳＯＩ基板を作製するのに用いられるバルクシリコン基板中の潜在的結晶欠陥を予防的に顕在化させる方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of preemptively revealing a potential crystalline defect in a bulk silicon substrate used in manufacturing an SOI substrate using a layer transfer process. - 特許庁

誘電性絶縁部層２’によって被覆されているバルクシリコンウエハ基板１’上に島状の各活性エリア１０を互いに隣り合うようにそれぞれ設定する。例文帳に追加

Each active area 10 with an island shape is provided mutually adjacent on a bulk silicon wafer substrate 1' covered with a dielectric insulating layer 2'. - 特許庁

バルクシリコン使用のレイアウト資産をＳＯＩデバイスへ使用する際に最小限のレイアウト変更により、レイアウト面積の増加を抑制しつつ抵抗素子を形成することを可能とする。例文帳に追加

To enable formation of a resistive element, while suppressing increase in the layout surface area caused by a minimum layout modification, when a layout property of bulk silicon use is used for an SOI (silicon-on-insulator) device. - 特許庁

バルクシリコン（６０）中にある下部フォトディテクタ素子（１３）と、その下部フォトディテクタ素子の上に高架された上部フォトディテクタ素子（１２）とを有する、各フォトディテクタ位置で二色以上を検出可能な二色フォトディテクタ（５）を含むセンサ（１０）を提供する。例文帳に追加

The sensor (10) comprises dichroic photodetectors (5), which includes a lower photodetector element (13) inside a bulk silicon (60) and an upper photodetector element (12), installed on the lower photodetector element and which can detect two or more colors at respective photodetector positions. - 特許庁

従来のＳＯＩ基板は、シリコン半導体基板の一方の面のみに素子形成領域が形成されていたため、さらなる大規模な集積化が要求された場合に、従来のバルクシリコン基板と同様にデザインルールに従い半導体基板（チップ）の大型化が避けられない。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate which is also suitable for large- scale integration, and moreover suppresses the enlargement of a substrate and has circuit element formation regions on both sides. - 特許庁

本発明の光導波路及びカップラ素子及びその製造方法は、バルク半導体基板、例えば、バルクシリコン基板からなる基板にトレンチを形成し、下部クラッド層をトレンチ内に形成し、コア領域を下部クラッド層上に形成して得られる。例文帳に追加

The optical waveguide and a coupler device, and methods of manufacturing them are obtained by: forming a trench in the bulk semiconductor substrate, for example, a bulk silicon substrate; forming a bottom cladding layer in the trench; and forming a core region on the bottom cladding layer. - 特許庁

バルクシリコンウエハ基板１’の表面上において、各活性エリア１０を電界効果トランジスタの本体領域をフィン部３、５の形状で突出するように露出させて形成するために、誘電性絶縁部層２’を厚さ方向にエッチバックして絶縁体層２を形成する。例文帳に追加

On a surface of the bulk silicon wafer substrate 1', an insulator layer 2 is formed by etching back the dielectric insulating layer 2' in its thickness direction for forming each active area 10 being exposed so as to project a body region of the field effect transistor in a shape of fin portions 3 and 5. - 特許庁

フィン型ＦＥＴのみを製造する工程に比べて大幅に工程数を増やすことなく、フィン型ＦＥＴと絶縁破壊の容易な経路を持つ電気ヒューズあるいは不揮発性メモリとをバルクシリコン基板上に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a fin-type FET and either an electric fuse having a path where a dielectric breakdown easily occurs or a nonvolatile memory can be formed on a bulk silicon substrate without largely increasing the number of processes compared with the case where only a fin-type FET is formed. - 特許庁

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。例文帳に追加

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor. - 特許庁

これによってバルクシリコンプロセスに使用した際には、ボディータイ用拡散層であった拡散層は、ＳＯＩデバイス上では絶縁酸化膜によりトランジスタ素子や基板と完全に分離されるため拡散抵抗として使用できるようになる。例文帳に追加

With it, when used in the bulk silicon process, the diffusion layer as the diffusion layer for body tie can be used as a diffusion resistance, because an insulating oxide film causes the diffusion layer to be isolated completely from a transistor element or a substrate on an SOI device. - 特許庁

ＳＯＩ層膜厚変動に伴う光の反射率の変動を抑制してＳＯＩウェーハの位置制御の精度を向上することができ、また、バルクシリコンウェーハのデバイス作製工程または検査工程で使用している位置制御のための機構と共用してコストを削減できるＳＯＩウェーハの設計方法及び製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide designing method and manufacturing method of an SOI (Silicon-On Insulator) wafer increasing the accuracy in position control of the SOI wafer by suppressing the fluctuation in reflectance of light with the fluctuation in film thickness of an SOI layer, and reducing the cost by commonly using a mechanism for position control used in the device producing step or the inspecting step of a bulk silicon wafer. - 特許庁

Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、ゲート１１０を絶縁体で封止し、ゲルマニウム含有層を側壁１０５の外側に成層させ、次いで、アニーリング又は酸化により、ゲルマニウムを絶縁体上シリコン層又はバルクシリコンの中に拡散させて、勾配付き組み込みシリコン−ゲルマニウムのソース−ドレイン４０及び／又は延長部（ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥ）を形成する。例文帳に追加

The P-type MOSFET seals a gate 110 with an insulating material, forms a germanium-containing layer outside a sidewall 105, then diffuses germanium into a silicon layer or bulk silicon on an insulator through annealing or oxidization, and thus forms a slanted, built-in source/drain 40 of silicon-germanium and/or an extension section (geSiGe-SDE). - 特許庁