バルク拡散の英語

この基板裏側からの加熱によって、基板Ｇ上のレジスト塗布膜のバルク部における溶剤の液相拡散が促進される。例文帳に追加

The liquid phase diffusion of a solvent in a bulk of a resist application film on the substrate G is promoted by heating from the rear side of the substrate. - 特許庁

バルクシリコンプロセスに使用した際にボディータイ用拡散層上に形成されていたコンタクト孔を削除する。例文帳に追加

A contact hole already formed on a diffusion layer for body tie, when used in a bulk silicon process, is removed. - 特許庁

ＳＲＡＭセルはＳＯＩ／バルク混成構造を有し、ソース／ドレイン拡散領域２０６、２０８は下地絶縁物層２１２には到達していない。例文帳に追加

An SRAM cell has an SOI/bulk hybrid structure, where source/ drain diffusion regions 206, 208 have not reached an underlying insulator layer 212. - 特許庁

Ｂドープｐ型結晶シリコン基板を用いて構成された光電変換装置であって、光活性領域であるバルク基板領域部分と、このバルク基板領域以外の部分とからなり、バルク基板領域部分を単独で取り出して、少数キャリア拡散長を光入射面側から測定したときに、０．５＜（Ｌ１／Ｌｐｅａｋ）とする。例文帳に追加

The photoelectric converter which is constituted by using a B doped p-type crystal silicon substrate is constituted of a bulk substrate region which is an optical active region, and the other portion except the bulk substrate region. - 特許庁

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。例文帳に追加

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness. - 特許庁

このような構成であれば、バルクトランジスタ１０と、ＳＯＩトランジスタ２０との間で生じる電気力線を不純物拡散層９１で遮断することができ、バルクトランジスタ１０とＳＯＩトランジスタ２０との間でのクロストークノイズを抑制することができる。例文帳に追加

With such a structure, an electric line of force generating between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20 can be shut off by the impurity diffusion layer 91, and a crosstalk noise can be suppressed between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20. - 特許庁

このようにすれば、高価な拡散ウェーハなどを利用してバルク抵抗をコントロールする従来技術よりも、はるかに簡便な手段によって静電耐量の向上を図ることができる。例文帳に追加

Thus, electrostatic resistance can be improved by more simple and convenient means than the conventional technique for controlling bulk resistance by using an expensive diffused wafer. - 特許庁

そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。例文帳に追加

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8. - 特許庁