バルク抵抗の英語

負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect. - 特許庁

、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

By combining a magnetic material having negative spin- dependent bulk scattering parameter β and the spacer layer in which negative spin-dependent interface scattering parameter γ is acquired, large rate of magnetoresistance variation is acquired while utilizing negative magnetoresistive effect, in the magnetoresistive effect element. - 特許庁

本発明は、界面抵抗の増加の抑制と、バルク抵抗の増加の抑制とを両立させた硫化物固体電解質材料を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a sulfide solid electrolyte material which achieves both the suppression of increase in interface resistance and the suppression of increase in bulk resistance. - 特許庁

Ｐ型バルク基板２の抵抗率を１０００Ω・ｃｍとし、Ｐ型エピタキシャル層３の厚さを５μｍとし、抵抗率を１０Ω・ｃｍとする。例文帳に追加

The resistivity of the P type bulk substrate 2 is 1,000 Ωcm, the thickness of the P type epitaxial layer 3 is 5 μm and its resistivity is 10 Ωcm. - 特許庁

表裏を選択せずに安価に実装できるバルク実装に対応可能で、かつ抵抗体を所望のパターン形状に形成しやすいチップ抵抗器を提供すること。例文帳に追加

To provide a chip resistor that is capable of coping with bulk mounting through which it can be mounted at a low cost, without taking into consideration of its front facing upward or downward and equipped with a resistor which can be easily formed into a required pattern. - 特許庁

バルク状においてゼロ磁場状態で、５０Ｋ〜２５０Ｋの間で１０^８Ωｃｍ桁以上の抵抗変化をする材料と、これを用いた抵抗変化素子とを提供することである例文帳に追加

To provide a resistance-variable material and an element using the same which is varied in a ranges of higher than 1×10^8 Ωcm in bulk-shape form, in a bulk state, at zero magnetic field, and at a temperature range of 50-250°K. - 特許庁

酸化物磁性体を主体とし、従来の薄膜の巨大磁気抵抗効果材料に匹敵又はそれを上回る特性のＭＲ比を持つバルク巨大磁気抵抗効果材料を開発することを課題とする。例文帳に追加

To develop a bulk enormous magnetoresistance effect material which contains an oxide magnetic material as a main component and has an MR ratio in characteristics, comparative to or exceeding that of the conventional enormous magnetoresistance effect material of thin films. - 特許庁

磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。例文帳に追加

To realize reduction in contact resistance, suppression of insulation faults, good linear response or the like by suppressing the regenerated fringe or Barkhausen noise of a magnetoresistive effect element. - 特許庁