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バンチ長の英語
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英訳・英語 bunch length
「バンチ長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
エピタキシャル成長を行わなくても素子形成が行え、かつ、バンチングが発生することを防止できるようにする。例文帳に追加
To form an element even without requiring epitaxial growth, and to prevent bunching from occurring. - 特許庁
流体交絡処理の施された糸条がボビン上に巻取られた糸層の表面又はボビン端部の少なくとも一方にバンチ巻部が形成され、該バンチ巻部における糸条の単位長さ当たりの交絡数が前記糸層における糸条の単位長さ当たりの交絡数よりも大きくなっている。例文帳に追加
A bunch wind part is formed on the surface of the yarn layer where the confounded yarn is taken up on the bobbin or at least one of the bobbin ends, and the number of confoundings per unit length of yarn in the bunch wind part is made greater than the number of confoundings per unit length of yarn in the yarn layer. - 特許庁
一定の電子ビームエネルギーの下でアンジュレータギャップdを変更して波長を変更すると共に、共振器長Lを調整してアンジュレータ中のFEL光のバンチを電子ビームのバンチに同期させることにより、FEL波長を遠赤外領域において広範囲に変更できるようにする。例文帳に追加
An undulator gap d is varied under a predetermined electron beam energy to vary any wavelength, and any FEL wavelength is varied over a wide range in a far infrared region by adjusting a resonator length L to synchronize with a bunch of FEL light in an undulator to that of an electron beam. - 特許庁
エピタキシャル結晶成長層2において、ゲート電極7が配置されている領域の一部は、表面にバンチングステップが形成されない平滑な第1領域となっており、ゲート電極7が配置されていない領域の全部は、表面にバンチングステップが形成された第2領域となっている。例文帳に追加
In the epitaxial crystal growth layer 2, a part of a region where a gate electrode 7 is arranged, becomes a smooth first region where a bunching step is not formed on the surface, and the entire region where the gate electrode 7 is not arranged, becomes a second region where the bunching step is formed on the surface. - 特許庁
長尺状のターゲット12に対し、その軸方向の一端から所定のエネルギー範囲に属する核融合燃料のイオンからなるイオンバンチBを注入する。例文帳に追加
An ion bunch B composed of fusion fuel ions that belong to a predetermined energy range is injected from one end of an elongated target 12 in the axial direction. - 特許庁
電流ブロック層8、n−GaInPステップバンチング発生層9、n−GaInP秩序構造形成層(自然超格子層)10をエピタキシャル成長させる(a)。例文帳に追加
A current block layer 8, an n-GaInP step-punching generation payer 9, and an n-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 10, are epitaxially grown. - 特許庁
このバンチャー用弓では、撚線形成用の素線を案内する案内部5の全区間のうちの少なくとも中央部の3分の2以上の区間が、長手方向に連なる筒形案内部5aとされている。例文帳に追加
This bow for the buncher is obtained by forming at least ≥2/3 of a section in the central part in the whole section of a guide part 5 for guiding wires for forming a strand into a cylindrical guide part 5a connected in the longitudinal direction. - 特許庁
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「バンチ長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
所望範囲の長さの傾斜巻及び尻糸巻を良好な紡出状態で形成し、しかも紡出条件の変更やトップバンチ巻を行う場合にも簡単に対応可能とする。例文帳に追加
To enable forming an oblique winding and a tail yarn winding of a length in a desired range in an excellent spinning state, and easily coping with the changing of spinning conditions and the performance of top bunch winding. - 特許庁
糸条をボビンに巻付けるに際し、テールバンチを巻付けず、かつ糸条の太さや油剤などが異なる品種について、高い切替成功率を維持し、テール糸の単糸ばらけの抑制や適正なテール長を安定的かつ容易に形成することである。例文帳に追加
To maintain a high switching success ratio for kinds different in thickness of yarn and oil solution without winding a tail bunch when winding yarn on a bobbin, to suppress single yarn dispersion of tail yarn and to stably and easily form a proper tail length. - 特許庁
n型GaAs基板1上に、バッファ層2、n−AlGaInPクラッド層3、活性層4、p−AlGaInPクラッド層5、p−GaInPステップバンチング発生層6、p−GaInP秩序構造形成層(自然超格子層)7をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。例文帳に追加
A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed. - 特許庁
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