フラックス成長の英語

固相フラックスエピタキシー成長法例文帳に追加

SOLID PHASE FLUX EPITAXY GROWTH METHOD - 特許庁

樹脂結晶成長型のフラックス回収装置及びフラックス回収方法例文帳に追加

RESIN CRYSTAL GROWTH TYPE FLUX RECOVERY SYSTEM, AND METHOD OF RECOVERING FLUX - 特許庁

隣接する転写ピンの相互間に残存したフラックスが成長することを抑制できるフラックス転写装置を提供する。例文帳に追加

To provide a flux transfer apparatus capable of suppressing growth of the flux remaining between adjoining transfer pins. - 特許庁

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。例文帳に追加

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E). - 特許庁

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。例文帳に追加

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal. - 特許庁

ＧａＮ基板１０の結晶転位密度は、成長させる半導体結晶よりも高いので、その半導体結晶がフラックスに溶融するよりは、ＧａＮ基板１０がフラックスに溶融する方が速い。例文帳に追加

Because the crystal dislocation density of the GaN substrate 10 is higher than that of the semiconductor crystal to be grown, the melting speed of the GaN substrate 10 into a flux is faster than that of the semiconductor crystal into the flux. - 特許庁

ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。例文帳に追加

A mixed flux in which gallium and sodium are melted is filled, and a GaN single crystal is grown on a gallium surface F_Ga under pressurized nitrogen. - 特許庁