「フラックス成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ＧａＮ基板１０の結晶転位密度は、成長させる半導体結晶よりも高いので、その半導体結晶がフラックスに溶融するよりは、ＧａＮ基板１０がフラックスに溶融する方が速い。例文帳に追加

Because the crystal dislocation density of the GaN substrate 10 is higher than that of the semiconductor crystal to be grown, the melting speed of the GaN substrate 10 into a flux is faster than that of the semiconductor crystal into the flux. - 特許庁

ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。例文帳に追加

A mixed flux in which gallium and sodium are melted is filled, and a GaN single crystal is grown on a gallium surface F_Ga under pressurized nitrogen. - 特許庁

アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal in which the through-dislocation density is reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux. - 特許庁

III族窒化物が成長する領域からのフラックスの漏れを抑制し、高品質で大型のIII族窒化物結晶を実現する。例文帳に追加

To realize a high quality, large size group III nitride crystal by suppressing the leakage of a flux from a region where the group III nitride grows. - 特許庁

フラックス法に基づいた結晶成長処理によって、バルク状の高品質な半導体結晶を容易に低コストで生産すること。例文帳に追加

To easily, inexpensively produce a high-quality bulky semiconductor crystal by crystal growth treatment based on a flux method. - 特許庁

この種結晶１４のａ面である側面に、Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体をａ軸方向に結晶成長させる。例文帳に追加

On the side which is a-plane of the seed crystal 14, a group III nitride semiconductor is grown to a-axis direction by the Na flux method. - 特許庁

また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。例文帳に追加

By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness. - 特許庁

フラックス法により、欠陥の少ないＡｌＮ単結晶を大きな成長速度で製造可能なＡｌＮ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an AlN single crystal by which the AlN single crystal having few defects can be produced at high growth rate by a flux method. - 特許庁

鉛フリーフラックスを使用した液相エピタキシャル成長法による磁性ガーネット単結晶の製造方法を提。例文帳に追加

To provide a method for producing a magnetic garnet single crystal by a liquid-phase epitaxial growth method using a lead-free flux. - 特許庁

Ｈ_２Ｏ_２の殺菌作用で膜面でのスライムの付着、成長が防止され、膜フラックスを高く維持できる。例文帳に追加

Sticking and growth of slime on a membrane surface is prevented with a sterilization work of H2O2, and high performance of a membrane flux can be maintained. - 特許庁

フラックス法により結晶成長した窒化ガリウム単結晶基板３１には、クラックがほとんど生じていなかった（１．Ｆ）。例文帳に追加

The nitride gallium single crystal substrate 31 grown by the flux method is almost free of cracks (1.F). - 特許庁

アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal in which threading dislocations are reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux. - 特許庁

液相法であるフラックス法において作業性が高められたＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride crystal, wherein the workability is improved in a flux method as a liquid phase method. - 特許庁

フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ_2 ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。例文帳に追加

A GaN single crystal 20 is grown on a crystal growth surface of a seed crystal (GaN layer 13) on the basis of the flux method in a nitrogen (N_2) atmosphere at 3.7 MPa and 870°C employing a flux mixture including Ga, Na and Li at about 870°C. - 特許庁

本発明は、原料およびモリブデン化合物を含有するフラックスを含有する試料を加熱し、フラックスの蒸発を駆動力として結晶を析出および成長させるフラックス蒸発法により、六角両錐形を基本形状とする人工コランダム結晶を製造することを特徴とする人工コランダム結晶の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The method for producing an artificial corundum crystal is characterized in that an artificial corundum crystal having a hexagonal dipyramidal shape as a basic shape is produced by a flux evaporation method in which a sample containing a raw material and a flux containing a molybdenum compound is heated to precipitate and grow a crystal by use of flux evaporation as driving force. - 特許庁

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。例文帳に追加

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux. - 特許庁

フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。例文帳に追加

In the method for growing the group III nitride crystal, comprising growing the group III nitride crystal from a mixed melt containing a flux and at least a group III metal and nitrogen by reacting the group III metal and nitrogen, at least one melt of the group III metal and the flux is filled in the interface for growing the group III nitride crystal. - 特許庁

結晶転位密度が成長させる半導体結晶よりも高いＧａＮ基板１０を用いて、フラックス法でＧａＮ単結晶２０を結晶成長させる。例文帳に追加

A GaN single crystal 20 is grown by the flux method using a GaN substrate 10 having a crystal dislocation density higher than that of a semiconductor crystal to be grown. - 特許庁

フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。例文帳に追加

To enhance the growth rate of a crystal and to grow a high quality large crystal in a short period of time when the crystal is grown in a melt containing a flux and a raw material. - 特許庁

ＭＢＥ法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。例文帳に追加

This is an MBE-assisted compound semiconductor crystal growing method wherein correlation between the cell temperature and molecular beam rate is determined on the basis of the physical properties of a grown film, the correlation is used for correcting the flux gage measurement, and the corrected measurement is used for setting the cell temperature. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。例文帳に追加

The surface of the gallium nitride-based semiconductor layer 51 grows to represent semi-polarity but the surface is modified by heat treatment by irradiation of a nitrogen radical or gallium flux in a high vacuum. - 特許庁

フラックス法でＩＩＩ族窒化物結晶の結晶サイズをより一層大きく作製することの可能なＩＩＩ族窒化物結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a group III nitride crystal, in which the crystal size of the group III nitride crystal can be made larger by a flux method. - 特許庁

フラックス法などのように、アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境下で使用される場合にも、劣化の少ない熱電対及び反応系及び結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thermocouple, a reaction system, and a crystal growth device, less deteriorated even when they are used in an environment where substances exist containing alkaline metals and at least nitrogen, like a flux method, etc. - 特許庁

バルク結晶に匹敵する結晶完全性を有した薄膜を製造でき、かつ、製造コストが低い、固相フラックスエピタキシー成長法を提供する。例文帳に追加

To provide a solid phase flux epitaxy growth method by which a thin film having crystalline completeness comparable with a bulk crystal can be produced at a low production cost. - 特許庁

次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。例文帳に追加

Next, a raw material solution 8 comprising Ga as a raw material metal and Na as a flux and nitrogen as a raw material gas are brought into contact with each other on the nitrided sapphire substrate 7 to grow a GaN crystal thereon. - 特許庁

その際、フラックス中に、はんだ合金粉末の他にＩＢ族金属元素粉末を添加し、はんだ付け後にＺｎを捕獲し、Ｚｎの固相反応により配線パターンとの界面に生じる化合物層の成長を抑制する。例文帳に追加

At this time, group IB metal element powder is added in addition to the solder alloy powder into the flux and Zn is captured after soldering to suppress the growth of a compound layer generated at the boundary with wiring patterns by the solid phase reaction of the Zn. - 特許庁

下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。例文帳に追加

An intermediate layer 3 having a lower hardness than a group III nitride single crystal 6 grown by a flux method is formed on the base film 2 by a vapor-phase growth method. - 特許庁

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造において、従来結晶成長工程終了後に廃棄されていたＮａを再利用できる製造装置を実現すること。例文帳に追加

To provide a production apparatus capable of reusing Na, which has been conventionally discarded after the completion of a crystal growth step, in the production of a group III nitride semiconductor by the Na flux method. - 特許庁

結晶成長速度、育成量を向上させ、かつ結晶の厚さの均一性を高めることが可能なＮａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a GaN crystal by an Na flux method that increases a crystal growth rate and a growth amount as well as improves uniformity in the thickness of a crystal. - 特許庁

フラックス法による結晶育成終了後の降温時において、低品質の結晶が成長しないIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor crystal in which a low quality crystal is not grown during the temperature decrease after the completion of crystal growth by a flux method, and to provide an apparatus for producing a group III nitride semiconductor. - 特許庁

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長工程終了後、坩堝１１の温度が１００℃以上である時に、回収装置２０にてＮａを吸引し、保持容器２２内に液体状態で保持する。例文帳に追加

After the completion of a crystal growth step of a group III nitride semiconductor by a Na flux method, when the temperature of a crucible 11 is not less than 100°C, Na is sucked by a recovery apparatus 20 and held in a liquid state in a holding container 22. - 特許庁

必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ_2 Ｏ_3 をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。例文帳に追加

A TGG crystal is LPE grown at 850 to 980°C by bringing one surface of a substrate into contact with the surface of a melt containing necessary garnet raw materials and a flux of PbO and B_2O_3. - 特許庁

ＧａＮ単結晶２０が例えば約５００μｍ以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を８５０℃以上８８０℃以下に維持して、サファイア基板１１を混合フラックス中にて全て溶解させる。例文帳に追加

When the GaN single crystal 20 is grown to a sufficient thickness, for example, about 500 μm or more, the whole of sapphire substrate 11 is dissolved in the flux mixture while maintaining the temperature of a crucible at 850 to 880°C. - 特許庁

固相反応、すなわち固相拡散によって、目的物質とフラックスが混合し、共晶状態の液相となり、液相からエピタキシー成長する。例文帳に追加

The aimed substance mixes with the flux by solid phase reaction, that is, solid phase diffusion to produce a liquid phase of the eutectic, from which a crystal is epitaxially grown. - 特許庁

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。例文帳に追加

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction. - 特許庁

圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes a process for bringing a silicon carbide single crystal substrate 25 into contact with a lithium flux 23 in which silicon dissolved in a pressure vessel, and a process for growing a 2H silicon carbide single crystal 27 on the single crystal substrate 25 from the lithium flux 23 by introducing methane 26 into the pressure vessel and bringing the methane 26 into contact with the lithium flux 23. - 特許庁

III 族窒化物結晶を成長させる際にフラックスとして用いるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を抑えて、結晶性、結晶成長の再現性を向上できるIII 族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, by which the crystallinity and the reproducibility of crystal growth can be improved by suppressing oxidation of an alkali metal or an alkaline earth metal used as flux when the group III nitride crystal is grown, and to provide an apparatus for manufacturing the group III nitride crystal. - 特許庁

このように、III族金属とフラックス（例えばＮａ）が十分ある状態で、窒素原料である窒素ガスの圧力が制御できることで、継続的なIII族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）の成長が可能となり、III族窒化物結晶（ＧａＮ結晶）を所望の大きさに成長させることが可能となる。例文帳に追加

Thus, when the pressure of the gaseous nitrogen being the nitrogen raw material is controlled under such a state that sufficient amounts of a group III metal and a flux (e.g. Na) are present, it becomes possible to continuously grow the group III nitride crystal (GaN crystal) and to grow the group III nitride crystal (GaN crystal) having a desired crystal size. - 特許庁

この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。例文帳に追加

The crystal is prepared by a method comprising a raw material-blending process of blending raw materials in such a manner that Ti has a greater molar ratio relative to Ba, and a crystal growth process of growing a crystal of BaTiO_3 by the flux method using KF as a flux. - 特許庁

反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。例文帳に追加

In a reaction vessel 101, a mixed liquid 102 of Ga as group III metal and Na as flux is filled, a heating device 106 is provided so as to control the temperature suitable for crystal growth, and nitrogen gas is used as raw material of nitrogen. - 特許庁

これにより、結晶成長中の時間内（数１０〜数１００時間）では、保持容器内の融液中に含まれるフラックスの減少を防止することができ、その結果として、従来よりも低コストかつ高品質で、大型のＩＩＩ族窒化物結晶を製造することが可能となる。例文帳に追加

By this, the lowering of flux contained in the melt in the holding vessel can be prevented during a crystal growing time (several ten-several hundred hours), and resultantly a group III nitride crystal having a large size and higher quality can be produced more inexpensively than before. - 特許庁

ルツボ３内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液１２を形成し、種結晶基板１１として融液１２に浸漬した４Ｈ炭化珪素単結晶もしくは６Ｈ炭化珪素単結晶のＣ面［（０００−１）面］上に、２Ｈ炭化珪素単結晶のＬＰＥ膜を３０μｍ厚以上成長させる。例文帳に追加

A melt 12 of silicon and carbon is prepared in a lithium flux in a crucible 3, and an LEP film of a 3H silicon carbide single crystal is grown to a the thickness of 30 μm or more on the C-plane [(000-1)] of a 4H silicon carbide single crystal or a 6H silicon carbide single crystal immersed as a seed crystal substrate 11 in the melt 12. - 特許庁

炉心管と、単結晶構成元素及びその酸化物の少なくとも一方とフラックスとを保持するルツボと、ルツボを炉心管内部の所定位置に支持する支持部と、炉心管の外周部に配置された発熱体とからなる単結晶成長装置において、炉心管の内径を１１０mm以下とした。例文帳に追加

In a single crystal growing device equipped with a furnace tube, a crucible for holding at least one of a single crystal constitutive element and its oxide, and a flux, a supporting part for supporting the crucible at a predetermined position in the furnace tube, and a heating element arranged at the peripheral part of the furnace tube, the inner diameter of the furnace tube is set to be ≤110 mm. - 特許庁