フローティングゾーン法の英語

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven. - 特許庁

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven. - 特許庁

ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２にＹ成分とアルカリ土類金属のホウ化物を配合して原料を調製して原料棒にし、原料棒から高周波フローティングゾーン法により結晶化させて、ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２の単結晶を製造する。例文帳に追加

The single crystal of ZrB_2 or TiB_2 is manufactured by crystallizing a raw material rod prepared by mixing a Y ingredient and a boride of an alkaline earth metal into ZrB_2 or TiB_2, by high frequency floating zone method. - 特許庁

酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a silicon single crystal where the deposition and sticking of SiO_2 in a furnace is effectively suppressed when the silicon single crystal is produced by a floating zone method using a silicon raw material containing oxygen. - 特許庁

ＸＢ_２（ＸはＴｉ若しくはＺｒの少なくとも一種を含む）を主成分として、０．０５〜３重量％のＭｏＢ_２若しくはＷＢ_２の少なくとも一つを含む原料棒をフローティングゾーン法により結晶棒に育成することにより、単結晶を製造する。例文帳に追加

The single crystal is produced by growing a starting rod based on XB_2 (wherein X is at least either Ti or Zr) and containing 0.05-3 wt.% at least either MoB_2 or WB_2 into a crystal rod by the floating zone process. - 特許庁

フローティングゾーン法によりシリコン結晶を形成し、所定濃度のＮ型不純物を注入する第１の注入工程と、第１の注入工程の後、シリコン結晶に中性子照射を行い、所定濃度のリンを注入する第２の注入工程を備える。例文帳に追加

The method of manufacturing semiconductor wafer includes a first injection process for forming a silicon crystal by a floating zone method and injecting N type impurity of prescribed concentration, and a second injection process for performing neutron irradiation and injecting phosphorus in a prescribed concentration onto the silicon crystal after the first injection process. - 特許庁

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably. - 特許庁

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。例文帳に追加

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber. - 特許庁