ブロッキング電極の英語

半導体基板と、半導体基板上のトンネリング絶縁層と、トンネリング絶縁層上の電荷保存層と、電荷保存層上のブロッキング絶縁層と、ブロッキング絶縁層上のゲート電極と、を備え、ブロッキング絶縁層は、ゲート電極を取り囲むことを特徴とするメモリトランジスタである。例文帳に追加

There are provided a semiconductor substrate, a tunneling insulation layer on the semiconductor substrate, an electric charge storing layer on the tunneling insulation layer, a blocking insulation layer on the electric charge storing layer, and a gate electrode on the blocking insulation layer, wherein the blocking insulation layer is a memory transistor that surrounds the gate electrode. - 特許庁

このとき、ブロック層１４のブロッキング作用によって、金属電極の表面上にだけ抗体層１４が形成される。例文帳に追加

At this time, the antibody layer 14 is formed only on the surface of the metal electrodes by the blocking action of the block layer 14. - 特許庁

ブロッキング絶縁膜１３０は、ストレージノード膜１２５と制御ゲート電極１４０との間に介在される。例文帳に追加

A blocking insulating film 130 is interposed in between the storage node film 125 and the control gate electrode 140. - 特許庁

電極２０４と光電変換層２００との間に、複数層（２０２ａ，２０２ｂ）からなる電荷ブロッキング層２０２が設けられる。例文帳に追加

A charge blocking layer 202 consisting of a plurality of layers (202a, 202b) is provided between an electrode 204 and a photoelectric conversion layer 200. - 特許庁

基材フィルム１０上の電極層２０や絶縁層３０、特に絶縁層３０の割れを防止し、しかもまた、ブロッキングをも防止する。例文帳に追加

To offer an electrode arrangement in which a crack of an electrode layer 20 and an insulation layer 30 on a base material film 10, especially the insulation layer 30, is prevented and blocking is also prevented. - 特許庁

トランジスタのＢＬ絶縁膜５３とＢＬ絶縁膜５５との間に、ＧＮＤ電極５４が設けられ、ブロッキング膜５８は、この三層からなる。例文帳に追加

A GND electrode 54 is disposed between the BL insulating film 53 and the BL insulating film 55 of a transistor, and a blocking film 58 has three layers. - 特許庁

また第２の励振電極４２Ｂを囲む、第１の液体収容空間とは分離された第２の液体収容空間５３Ｂに、前記ブロッキング物質を含む溶液を供給して、前記第２の励振電極４２Ｂ表面にブロッキング物質を吸着させる。例文帳に追加

Further, the solution containing the blocking substance is supplied to a second liquid housing space 53B, which surrounds the second excitation electrode 42B and is separated from the first liquid housing space to adsorb the blocking substance on the surface of the second excitation electrode 42B. - 特許庁

一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５の表面の平均粗さが２．０nm以下とする。例文帳に追加

The photoelectric conversion element includes a photoelectric conversion layer 102 arranged between a pair of electrodes 101 and 104, and an electric charge blocking layer 105 formed between the electrodes 101 and 104, and the photoelectric conversion layer 102, wherein an average surface roughness of the electric charge blocking layer 105 is 2.0 nm or less. - 特許庁